公开(公告)号：US08481425B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US13108969

申请日：2011-05-16

申请人： Yen-Liang Lu ,  Chun-Ling Lin ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chun-Hung Chen ,  Tsun-Min Cheng ,  Meng-Hong Tsai

发明人： Yen-Liang Lu ,  Chun-Ling Lin ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chun-Hung Chen ,  Tsun-Min Cheng ,  Meng-Hong Tsai

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831

摘要： A method for fabricating through-silicon via structure is disclosed. The method includes the steps of: providing a semiconductor substrate; forming a through-silicon via in the semiconductor substrate; covering a liner in the through-silicon via; performing a baking process on the liner; forming a barrier layer on the liner; and forming a through-silicon via electrode in the through-silicon via.

摘要翻译： 公开了一种制造硅通孔结构的方法。 该方法包括以下步骤：提供半导体衬底; 在半导体衬底中形成穿硅通孔; 覆盖穿通硅通孔内的衬垫; 在衬垫上进行烘烤过程; 在衬垫上形成阻挡层; 以及在所述贯通硅通孔中形成贯通硅通孔电极。

公开(公告)号：US20120305403A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13154420

申请日：2011-06-06

申请人： Chun-Ling Lin ,  Yen-Liang Lu ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chun-Hung Chen ,  Tsun-Min Cheng ,  Meng-Hong Tsai

发明人： Chun-Ling Lin ,  Yen-Liang Lu ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chun-Hung Chen ,  Tsun-Min Cheng ,  Meng-Hong Tsai

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D5/00

CPC分类号： C25D5/54 ,  C25D3/38 ,  C25D5/00 ,  C25D5/10 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76879

摘要： An electrical chemical plating process is provided. A semiconductor structure is provided in an electrical plating platform. A pre-electrical-plating step is performed wherein the pre-electrical-plating step is carried out under a fixed voltage environment and lasts for 0.2 to 0.5 seconds after the current is above the threshold current of the electrical plating platform. After the pre-electrical-plating step, a first electrical plating step is performed on the semiconductor structure.

摘要翻译： 提供电化学镀工艺。 半导体结构设置在电镀平台中。 进行预电镀步骤，其中预电镀步骤在固定电压环境下进行，并且在电流高于电镀平台的阈值电流之后持续0.2至0.5秒。 在预电镀步骤之后，对半导体结构进行第一电镀步骤。

公开(公告)号：US20120295437A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13108969

申请日：2011-05-16

申请人： Yen-Liang Lu ,  Chun-Ling Lin ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chun-Hung Chen ,  Tsun-Min Cheng ,  Meng-Hong Tsai

发明人： Yen-Liang Lu ,  Chun-Ling Lin ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chun-Hung Chen ,  Tsun-Min Cheng ,  Meng-Hong Tsai

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831

摘要： A method for fabricating through-silicon via structure is disclosed. The method includes the steps of: providing a semiconductor substrate; forming a through-silicon via in the semiconductor substrate; covering a liner in the through-silicon via; performing a baking process on the liner; forming a barrier layer on the liner; and forming a through-silicon via electrode in the through-silicon via.

摘要翻译： 公开了一种制造硅通孔结构的方法。 该方法包括以下步骤：提供半导体衬底; 在半导体衬底中形成穿硅通孔; 覆盖穿通硅通孔内的衬垫; 在衬垫上进行烘烤过程; 在衬垫上形成阻挡层; 以及在所述贯通硅通孔中形成贯通硅通孔电极。