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    Methods of producing high-K dielectric films using cerium-based precursors
    1.
    发明授权
    Methods of producing high-K dielectric films using cerium-based precursors 有权
    使用铈基前体制备高K电介质膜的方法

    公开(公告)号：US08613975B2

    公开(公告)日：2013-12-24

    申请号：US12992936

    申请日：2009-05-22

    申请人： Paul Raymond Chalker ,  Peter Nicholas Heys

    发明人： Paul Raymond Chalker ,  Peter Nicholas Heys

    IPC分类号： C23C16/40

    CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/45553

    摘要： Methods are provided to form and stabilize high-κ dielectric films by chemical phase deposition processes using metal-source precursors and cerium-based β-diketonate precursors according to Formula I: Ce(L)x (Formula I) wherein: L is a β-diketonate; and x is 3 or 4. Further provided are methods of improving high-κ gate property of semiconductor devices by using cerium precursors according to Formula I. High-κ dielectric films are also provided comprising hafnium oxide, titanium oxide or mixtures thereof, and further containing a permittivity maintaining or increasing amount of cerium atoms.

    摘要翻译： 提供了通过使用金属源前体和根据式I的铈基β-二酮前体的化学相沉积方法形成和稳定高kappa介电膜的方法：Ce（L）x（式I）其中：L是β 二酮 并且x是3或4.还提供了通过使用根据式I的铈前体来改善半导体器件的高κ卡特性的方法。还提供了包含氧化铪，氧化钛或其混合物的高kappa介电膜， 含有维持或增加量的铈原子的介电常数。

    HIGH-K DIELECTRIC FILMS AND METHODS OF PRODUCING USING TITANIUM-BASED B-DIKETONATE PRECURSORS
    2.
    发明申请
    HIGH-K DIELECTRIC FILMS AND METHODS OF PRODUCING USING TITANIUM-BASED B-DIKETONATE PRECURSORS 审中-公开
    高K电介质薄膜和使用钛酸钡的二氧化硅前体的生产方法

    公开(公告)号：US20110151227A1

    公开(公告)日：2011-06-23

    申请号：US12992942

    申请日：2009-05-22

    申请人： Paul Raymond Chalker ,  Peter Nicholas Heys

    发明人： Paul Raymond Chalker ,  Peter Nicholas Heys

    IPC分类号： C04B35/48 ,  B32B15/02 ,  H01L21/31

    CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531

    摘要： Methods are provided to form and stabilize high-κ dielectric films by vapor deposition processes using metal-source precursors and titanium-based β-diketonate precursors according to Formula I: Ti(L)x wherein: L is a β-diketonate; and x is 3 or 4. Further provided are methods of improving high-κ gate property of semiconductor devices by using titanium precursors according to Formula I. High-κ dielectric film-forming lattices are also provided comprising titanium precursors according to Formula I.

    摘要翻译： 提供了形成和稳定高分子化合物的方法。 通过使用金属源前体和根据式I的钛基和二苯乙烯酮前体的气相沉积方法的介电膜：Ti（L）x其中：L是二 - 二酮; 并且x是3或4.进一步提供了改善高分子量的方法。 通过使用根据式I的钛前体制备半导体器件的栅极特性。 还提供了包含根据式I的钛前体的介电膜形成晶格。

    HIGH-K DIELECTRIC FILMS AND METHODS OF PRODUCING USING CERIUM-BASED BETA-DIKETONATE PRECURSORS
    6.
    发明申请
    HIGH-K DIELECTRIC FILMS AND METHODS OF PRODUCING USING CERIUM-BASED BETA-DIKETONATE PRECURSORS 有权
    高K电介质膜和使用基于CER的BETA-DIKETONATE前体的生产方法

    公开(公告)号：US20110165401A1

    公开(公告)日：2011-07-07

    申请号：US12992936

    申请日：2009-05-22

    申请人： Paul Raymond Chalker ,  Peter Nicholas Heys

    发明人： Paul Raymond Chalker ,  Peter Nicholas Heys

    IPC分类号： B32B5/00 ,  H01L21/31 ,  C09D1/00

    CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/45553

    摘要： Methods are provided to form and stabilize high-κ dielectric films by chemical phase deposition processes using metal-source precursors and cerium-based β-diketonate precursors according to Formula I: Ce(L)x (Formula I) wherein: L is a β-diketonate; and x is 3 or 4. Further provided are methods of improving high-κ gate property of semiconductor devices by using cerium precursors according to Formula I. High-κ dielectric films are also provided comprising hafnium oxide, titanium oxide or mixtures thereof, and further containing a permittivity maintaining or increasing amount of cerium atoms.

    摘要翻译： 提供了形成和稳定高分子化合物的方法。 通过化学相沉积方法使用金属源前体和根据式I的铈 - 基 - 二 - 酮前体的介电膜：Ce（L）x（式I）其中：L是二 - 二酮; 并且x是3或4.进一步提供了改善高分子量的方法。 通过使用根据式I的铈前体制备半导体器件的栅极特性。 还提供了包含氧化铪，氧化钛或其混合物的介电膜，并且进一步含有介电常数保持或增加量的铈原子。