公开(公告)号：US08624345B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13486995

申请日：2012-06-01

申请人： Ken Wu ,  Hung-Chang Hsieh ,  Chang-Cheng Hung ,  Luke Hsu ,  Ren-Guey Hsieh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen

发明人： Ken Wu ,  Hung-Chang Hsieh ,  Chang-Cheng Hung ,  Luke Hsu ,  Ren-Guey Hsieh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen

IPC分类号： H01L33/44 ,  G03F1/46 ,  G03F1/58 ,  G03F1/68

CPC分类号： G03F7/70941 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F7/70433

摘要： A mask substrate, photomask and method for forming the same are provided. The photomask includes a substantially light transparent substrate and a circuitry pattern disposed over the light transparent substrate. The circuitry pattern includes a phase shifting layer disposed over the substantially light transparent substrate. A substantially light shielding layer is disposed over the phase shifting layer. At least one barrier layer is disposed over the substantially light shielding layer. An uppermost portion of the substantially light shielding layer does not comprise anti-reflective properties and the at least one barrier layer comprises an uppermost hardmask layer and an underlying anti-reflective layer.

摘要翻译： 提供了掩模基板，光掩模及其形成方法。 光掩模包括基本上透明的基板和设置在光透明基板上的电路图案。 电路图案包括设置在基本上光透明基底上的相移层。 基本上遮光层设置在相移层上。 至少一个阻挡层设置在基本上遮光层上。 基本上遮光层的最上部分不包括抗反射性质，并且至少一个阻挡层包括最上面的硬掩模层和下面的抗反射层。

公开(公告)号：US08198118B2

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：US11590257

申请日：2006-10-31

申请人： Ken Wu ,  Hung-Chang Hsieh ,  Chang-Cheng Hung ,  Luke Hsu ,  Ren-Guey Hsieh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen

发明人： Ken Wu ,  Hung-Chang Hsieh ,  Chang-Cheng Hung ,  Luke Hsu ,  Ren-Guey Hsieh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L33/44 ,  G03F1/00 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70941 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F7/70433

摘要： A mask and method for forming the same including carrying out a photolithographic patterning process the method including providing a substantially light transparent portion; forming a substantially light shielding layer disposed over the substantially light transparent portion; forming at least one barrier layer disposed over the substantially light shielding layer; forming a resist layer disposed over the at least one barrier layer; patterning the resist layer for producing a circuitry pattern; and, carrying out an etching process according to the circuitry pattern to expose a portion of the substantially light transparent portion to form a mask.

摘要翻译： 一种掩模及其形成方法，包括进行光刻图案处理，该方法包括提供基本上透明的部分; 形成设置在所述基本上透明部分上的基本上遮光层; 形成设置在所述基本上遮光层上的至少一个势垒层; 形成设置在所述至少一个阻挡层上的抗蚀剂层; 图案化抗蚀剂层以产生电路图案; 并且根据电路图案进行蚀刻处理以暴露基本上光透明部分的一部分以形成掩模。

公开(公告)号：US06861179B1

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：US10187675

申请日：2002-07-02

申请人： Ren-Guey Hsieh ,  Chang-Cheng Hung ,  Jaw-Jung Shin

发明人： Ren-Guey Hsieh ,  Chang-Cheng Hung ,  Jaw-Jung Shin

IPC分类号： G03F1/14 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/40 ,  G03F1/50

摘要： Secondary mask pattern elements are used to interconnect isolated sub-patterns of a mask pattern. The interconnection of the isolated sub-patterns prevents different electrostatic charge accumulation on the various isolated sub-patterns. This prevents mask damage due to electrostatic discharge, problems with mask inspection, and problems with mask repair due to different electrostatic charge accumulation on various isolated sub-patterns. The mask is used to transfer the mask pattern to a layer of photosensitive material. The width of the secondary sub-pattern elements are sufficiently small relative to the wavelength of the light used to transfer the mask pattern to the photosensitive material that the secondary sub-pattern elements are not transferred to the photosensitive material.

摘要翻译： 辅助掩模图案元件用于连接掩模图案的隔离子图案。 隔离子图案的互连防止了各种隔离子图案上的不同的静电电荷积累。 这可以防止由于静电放电引起的掩模损坏，掩模检查的问题以及由于各种隔离的子图案上的不同的静电电荷累积而导致的掩模修复的问题。 掩模用于将掩模图案转印到感光材料层上。 次级子图案元件的宽度相对于用于将掩模图案转印到感光材料的光的波长足够小，使次级子图案元件不被转印到感光材料上。

公开(公告)号：US06660439B1

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US10117949

申请日：2002-04-08

申请人： Ren-Guey Hsieh

发明人： Ren-Guey Hsieh

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/68 ,  Y10S430/143

摘要： A method of adding optical proximity correction, OPC, to a base pattern is described. A base pattern is represented by a digital base pattern data file. A first OPC data file representing a first OPC pattern which adds pattern width at exterior corners of the pattern and a second OPC data file representing a second OPC pattern which reduces pattern width at interior corners of the pattern are formed. The final data file results from the logical subtraction of the second OPC data file from an interim data file formed by the logical OR of the base pattern data file and the first OPC data file. The final data file can be used to form masks or to inspect masks.

摘要翻译： 描述了将光学邻近校正OPC添加到基本图案的方法。 基本图案由数字基本图案数据文件表示。 形成第一OPC数据文件，其表示在图案的外角处添加图案宽度的第一OPC图案，以及表示减少图案的内角处的图案宽度的第二OPC图案的第二OPC数据文件。 最终的数据文件是从由基本模式数据文件和第一OPC数据文件的逻辑或形成的临时数据文件的第二OPC数据文件的逻辑减法产生的。 最终的数据文件可用于形成掩码或检查掩码。

公开(公告)号：US06311319B1

公开(公告)日：2001-10-30

申请号：US09083273

申请日：1998-05-22

申请人： Chih-Chiang Tu ,  Ren-Guey Hsieh

发明人： Chih-Chiang Tu ,  Ren-Guey Hsieh

IPC分类号： G06F760

CPC分类号： G03F7/70433 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70441

摘要： A methodolgy is described which allows a variety of optical proximity corrections to be added to a mask pattern at low cost and with a view to minimizing the number of electron beam exposures that will be needed later when the reticle is prepared. The basic approach is to add serifs and/or hammerheads to the vertices of the mask pattern on the basis of a small number of simple rule checks. The first check is for the presence of an overlapping pattern at the next level. If this is not detected noting is added at the vertex in question. If some overlap is etected, a predefined search area (at the same mask level) is quickly scanned and, if another stripe is found to be located within a preset distance, serifs are added at the appropriate vertices. If no stripe was found, a second search area, further away, is scanned and if a neighbouring stripe is detected this time, larger serifs are added. If the second search also comes up empty, a hammerhead is added at the appropriate line end. The method may be refined by using additional searches, if so desired.

摘要翻译： 描述了一种方法，其允许以低成本将各种光学邻近校正添加到掩模图案中，并且考虑到最小化当准备掩模版时稍后将需要的电子束曝光的数量。 基本方法是基于少量简单的规则检查，将衬线和/或锤头添加到掩模图案的顶点。 第一个检查是在下一个级别存在重叠模式。 如果没有检测到，则在相关顶点添加注释。 如果检测到一些重叠，则快速扫描预定义的搜索区域（处于相同的掩码级别），并且如果发现另一个条带位于预设的距离内，则在适当的顶点添加衬线。 如果没有找到条带，则扫描更远的第二搜索区域，并且如果此时检测到相邻的条带，则添加更大的衬线。 如果第二次搜索也是空的，那么在适当的行尾添加一个锤头。 如果需要，可以通过使用其他搜索来改进该方法。

公开(公告)号：US20120237861A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13486995

申请日：2012-06-01

申请人： Ken Wu ,  Hung-Chang Hsieh ,  Chang-Cheng Hung ,  Luke Hsu ,  Ren-Guey Hsieh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen

发明人： Ken Wu ,  Hung-Chang Hsieh ,  Chang-Cheng Hung ,  Luke Hsu ,  Ren-Guey Hsieh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen

IPC分类号： G03F1/26

CPC分类号： G03F7/70941 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F7/70433

摘要： A mask substrate, photomask and method for forming the same are provided. The photomask includes a substantially light transparent substrate and a circuitry pattern disposed over the light transparent substrate. The circuitry pattern includes a phase shifting layer disposed over the substantially light transparent substrate. A substantially light shielding layer is disposed over the phase shifting layer. At least one barrier layer is disposed over the substantially light shielding layer. An uppermost portion of the substantially light shielding layer does not comprise anti-reflective properties and the at least one barrier layer comprises an uppermost hardmask layer and an underlying anti-reflective layer.

摘要翻译： 提供了掩模基板，光掩模及其形成方法。 光掩模包括基本上透明的基板和设置在光透明基板上的电路图案。 电路图案包括设置在基本上光透明基底上的相移层。 基本上遮光层设置在相移层上。 至少一个阻挡层设置在基本上遮光层上。 基本上遮光层的最上部分不包括抗反射性质，并且至少一个阻挡层包括最上面的硬掩模层和下面的抗反射层。

公开(公告)号：US20080102379A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11590257

申请日：2006-10-31

申请人： Ken Wu ,  Hung-Chang Hsieh ,  Chang-Cheng Hung ,  Luke Hsu ,  Ren-Guey Hsieh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen

发明人： Ken Wu ,  Hung-Chang Hsieh ,  Chang-Cheng Hung ,  Luke Hsu ,  Ren-Guey Hsieh ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70941 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F7/70433

摘要： A mask and method for forming the same including carrying out a photolithographic patterning process the method including providing a substantially light transparent portion; forming a substantially light shielding layer disposed over the substantially light transparent portion; forming at least one barrier layer disposed over the substantially light shielding layer; forming a resist layer disposed over the at least one barrier layer; patterning the resist layer for producing a circuitry pattern; and, carrying out an etching process according to the circuitry pattern to expose a portion of the substantially light transparent portion to form a mask.

摘要翻译： 一种掩模及其形成方法，包括进行光刻图案处理，该方法包括提供基本上透明的部分; 形成设置在所述基本上透明部分上的基本上遮光层; 形成设置在所述基本上遮光层上的至少一个阻挡层; 形成设置在所述至少一个阻挡层上的抗蚀剂层; 图案化抗蚀剂层以产生电路图案; 并且根据电路图案进行蚀刻处理以暴露基本上光透明部分的一部分以形成掩模。

公开(公告)号：US07011926B2

公开(公告)日：2006-03-14

申请号：US09975855

申请日：2001-10-11

申请人： Ren-Guey Hsieh

发明人： Ren-Guey Hsieh

IPC分类号： G03F9/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F1/78 ,  H01J2237/31769

摘要： Within a charged particle beam exposure method for forming a patterned resist layer there is employed separating at least one adjacent pair of fractured pattern elements employed in forming a contiguous latent pattern within a blanket resist layer a gap. By employing the gap, a patterned resist layer formed incident to development of the blanket resist layer is formed with enhanced pattern fidelity and enhanced critical dimension control.

公开(公告)号：US06737199B1

公开(公告)日：2004-05-18

申请号：US09494637

申请日：2000-01-31

申请人： Ren-Guey Hsieh

发明人： Ren-Guey Hsieh

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/68

摘要： This invention describes methods of using pattern fracture rules to form mask pattern segments and the mask for the mask pattern segments. The mask pattern segments have optical proximity correction and are separated into regular pattern elements and optical proximity correction elements. Regular fracture elements and special fracture elements are used. The special fracture elements are parallel to the regular fracture elements, perpendicular to the regular fracture elements, or both parallel to and perpendicular to the regular fracture elements. The special fracture elements are used to define the regular pattern elements and prevent the formation of resist residue in the completed mask. The optical proximity correction elements are formed using the regular fracture elements.

摘要翻译： 本发明描述了使用图案断裂规则来形成掩模图案片段和掩模图案片段的掩模的方法。 掩模图案段具有光学邻近校正，并且被分离为规则图案元件和光学邻近校正元件。 使用常规的断裂元素和特殊的断裂元素。 特殊断裂元件与常规断裂元件平行，垂直于规则断裂元件，或平行于和垂直于规则断裂元件。 特殊的断裂元件用于限定规则图案元素，并防止在完成的掩模中形成抗蚀剂残留物。 使用规则的断裂元件形成光学邻近校正元件。