公开(公告)号：US20110253670A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US12896389

申请日：2010-10-01

申请人： YIFENG ZHOU ,  QINGJUN ZHOU ,  RYAN PATZ ,  JEREMIAH T. PENDER ,  MICHAEL D. ARMACOST

发明人： YIFENG ZHOU ,  QINGJUN ZHOU ,  RYAN PATZ ,  JEREMIAH T. PENDER ,  MICHAEL D. ARMACOST

IPC分类号： B01J19/00

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： Methods for etching silicon-based antireflective layers are provided herein. In some embodiments, a method of etching a silicon-based antireflective layer may include providing to a process chamber a substrate having a multiple-layer resist thereon, the multiple-layer resist comprising a patterned photoresist layer defining features to be etched into the substrate disposed above a silicon-based antireflective coating; and etching the silicon-based antireflective layer through the patterned photoresist layer using a plasma formed from a process gas having a primary reactive agent comprising a chlorine-containing gas. In some embodiments, the chlorine-containing gas is chlorine (Cl2).

摘要翻译： 本文提供了蚀刻硅基抗反射层的方法。 在一些实施例中，蚀刻硅基抗反射层的方法可以包括向处理室提供其上具有多层抗蚀剂的衬底，所述多层抗蚀剂包括限定要被蚀刻到衬底中的特征的图案化光致抗蚀剂层 在硅基抗反射涂层之上; 以及使用由具有包含含氯气体的初级反应剂的工艺气体形成的等离子体，通过图案化的光致抗蚀剂层蚀刻硅基抗反射层。 在一些实施方案中，含氯气体是氯（Cl 2）。

公开(公告)号：US20100043821A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12193964

申请日：2008-08-19

申请人： Siyi Li ,  Ryan Patz ,  Qingjun Zhou ,  Jeremiah Pender ,  Michael D. Armacost

发明人： Siyi Li ,  Ryan Patz ,  Qingjun Zhou ,  Jeremiah Pender ,  Michael D. Armacost

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01L21/76808

摘要： Described herein are methods and apparatus for removing photoresist in the presence of low-k dielectric layers. In one embodiment, the method includes exciting a first mixture of gases having a ratio of a flow rate of reducing process gas to a flow rate of an oxygen-containing process gas that is between 1:1 and 100:1 to generate a first reactive gas mixture. Next, the method includes exposing the photoresist layer that overlays the low-k dielectric layer on a substrate to the first reactive gas mixture to selectively remove the photoresist layer from the dielectric layer. Next, the method includes exposing the photoresist layer to a second reactive gas mixture to selectively remove the photoresist layer from the dielectric layer. The first and second reactive gas mixtures contain substantially no ions when the substrate is exposed to these mixtures in order to minimize damage to the low-k dielectric layer.

摘要翻译： 这里描述了在低k电介质层的存在下去除光致抗蚀剂的方法和装置。 在一个实施方案中，该方法包括激发第一混合气体，其中还原过程气体的流量与含氧处理气体的流量之比在1:1至100:1之间以产生第一反应性 气体混合物 接下来，该方法包括将衬底上的低k电介质层覆盖的光致抗蚀剂层暴露于第一反应气体混合物，以从电介质层选择性地除去光致抗蚀剂层。 接下来，该方法包括将光致抗蚀剂层暴露于第二反应气体混合物以从介质层选择性地除去光致抗蚀剂层。 当基板暴露于这些混合物时，第一和第二反应气体混合物基本上不含离子，以便最小化对低k电介质层的损伤。

公开(公告)号：US20100022091A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12180367

申请日：2008-07-25

申请人： SIYI LI ,  Qingjun Zhou ,  Ryan Patz ,  Yifeng Zhou ,  Jeremiah Pender ,  Michael D. Armacost

发明人： SIYI LI ,  Qingjun Zhou ,  Ryan Patz ,  Yifeng Zhou ,  Jeremiah Pender ,  Michael D. Armacost

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813

摘要： Described herein are methods and apparatuses for etching low-k dielectric layers to form various interconnect structures. In one embodiment, the method includes forming an opening in a resist layer. The method further includes etching a porous low-k dielectric layer with a process gas mixture that includes a fluorocarbon gas and a carbon dioxide (CO2) gas to form vias. The fluorocarbon gas may be C4F6 gas. A ratio of a flow rate of the C4F6 gas to a flow rate of the CO2 gas can vary from approximately 1:2 to 1:10. In another embodiment, the porous low-k dielectric layer is etched with a process gas mixture that includes a fluorocarbon gas and an argon gas with no CHF3 gas to form trenches aligned with the vias in an integrated dual-damascene structure. The fluorocarbon gas may be CF4 gas.

摘要翻译： 这里描述了用于蚀刻低k电介质层以形成各种互连结构的方法和装置。 在一个实施例中，该方法包括在抗蚀剂层中形成开口。 该方法还包括用包括碳氟化合物气体和二氧化碳（CO 2）气体的工艺气体混合物蚀刻多孔低k电介质层以形成通孔。 碳氟化合物气体可以是C 4 F 6气体。 C4F6气体的流量与CO 2气体的流量的比率可以在约1:2至1:10之间变化。 在另一个实施例中，多孔低k电介质层被包括碳氟化合物气体和没有CHF 3气体的氩气的工艺气体混合物进行蚀刻，以形成与整个双镶嵌结构中的通路对准的沟槽。 碳氟化合物气体可以是CF 4气体。