公开(公告)号：US07632771B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11702706

申请日：2007-02-06

申请人： Francesca Iacopi ,  Salvador Eslava Fernandez ,  Christine Kirschhock ,  Johan Martens

发明人： Francesca Iacopi ,  Salvador Eslava Fernandez ,  Christine Kirschhock ,  Johan Martens

IPC分类号： B01J29/06 ,  B01J20/28 ,  B01J21/08

CPC分类号： C01B37/02 ,  B01D67/0041 ,  B01D67/0046 ,  B01D67/0051 ,  B01D67/0083 ,  B01D67/009 ,  B01D71/028 ,  B01D2323/04 ,  B01D2323/345 ,  B82Y30/00 ,  C01B39/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31695

摘要： A method is provided for making pure-silica-zeolite films useful as low-k material, specifically, more hydrophobic, homogeneous and with absence of cracks. The method utilizes a UV cure; preferably the UV cure is performed at temperatures at higher than the deposition temperature. The UV-assisted cure removes the organic template promoting organic functionalization and silanol condensation, making the silica-zeolite films more hydrophobic. Moreover, the zeolite material is also mechanically stronger and crack-free. The method can be used to prepare pure-silica-zeolite films more suitable as low-k materials in semiconductor processing.

摘要翻译： 提供了一种制备纯二氧化硅 - 沸石膜用于低k材料，特别是更疏水，均匀和不存在裂纹的方法。 该方法利用UV固化; 优选地，UV固化在高于沉积温度的温度下进行。 UV辅助固化除去促进有机官能化和硅烷醇缩合的有机模板，使得二氧化硅 - 沸石膜更具疏水性。 此外，沸石材料也机械地更坚固和无裂纹。 该方法可用于制备在半导体加工中更适合作为低k材料的纯二氧化硅 - 沸石膜。