公开(公告)号：USRE45781E1

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：US14176526

申请日：2014-02-10

申请人： Jeffrey C. Hedrick ,  Kang-Wook Lee ,  Kelly Malone ,  Christy S. Tyberg

发明人： Jeffrey C. Hedrick ,  Kang-Wook Lee ,  Kelly Malone ,  Christy S. Tyberg

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L21/70 ,  H01L23/52 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

摘要： A structure useful for electrical interconnection comprises a substrate; a plurality of porous dielectric layers disposed on the substrate; an etch stop layer disposed between a first of the dielectric layers and a second of the dielectric layers; and at least one thin, tough, non-porous dielectric layer disposed between at least one of the porous dielectric layers and the etch stop layer. A method for forming the structure comprising forming a multilayer stack of porous dielectric layers on the substrate, the stack including the plurality of porous dielectric layers, and forming a plurality of patterned metal conductors within the multilayer stack. Curing of the multilayer dielectric stack may be in a single cure step in a furnace. The application and hot plate baking of the individual layers of the multi layer dielectric stack may be accomplished in a single spin-coat tool, without being removed, to fully cure the stack until all dielectric layers have been deposited.

摘要翻译： 用于电互连的结构包括：基底; 设置在所述基板上的多个多孔介电层; 设置在第一电介质层和第二介电层之间的蚀刻停止层; 以及设置在至少一个多孔电介质层和蚀刻停止层之间的至少一个薄的，韧性的无孔介电层。 一种用于形成所述结构的方法，包括在所述衬底上形成多层介电层的多层堆叠，所述堆叠包括所述多个多孔介电层，以及在所述多层堆叠内形成多个图案化的金属导体。 多层电介质堆叠的固化可以在炉中的单一固化步骤中。 多层电介质堆叠的各层的应用和热板烘烤可以在单个旋涂工具中实现，而不被去除，以完全固化堆叠，直到所有电介质层已经沉积。

公开(公告)号：US08860225B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13271878

申请日：2011-10-12

申请人： Philipp Riess ,  Erdem Kaltalioglu ,  Hermann Wendt

发明人： Philipp Riess ,  Erdem Kaltalioglu ,  Hermann Wendt

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Structures and methods of forming metallization layers on a semiconductor component are disclosed. The method includes etching a metal line trench using a metal line mask, and etching a via trench using a via mask after etching the metal line trench. The via trench is etched only in regions common to both the metal line mask and the via mask.

摘要翻译： 公开了在半导体部件上形成金属化层的结构和方法。 该方法包括使用金属线掩模蚀刻金属线沟槽，并且在蚀刻金属线沟槽之后使用通孔掩模蚀刻通孔沟槽。 通孔沟槽仅在金属线掩模和通孔掩模两者共同的区域中被蚀刻。

公开(公告)号：US08778201B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13278833

申请日：2011-10-21

申请人： Koji Asakawa ,  Toshiro Hiraoka ,  Yoshihiro Akasaka ,  Yasuyuki Hotta

发明人： Koji Asakawa ,  Toshiro Hiraoka ,  Yoshihiro Akasaka ,  Yasuyuki Hotta

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C08J9/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/479 ,  C03C2218/33 ,  C08J2333/12 ,  C08J2383/16 ,  C23F1/30 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/74 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  G11B2005/0029 ,  H01G11/30 ,  H01G11/56 ,  H01J9/02 ,  H01J9/025 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31695 ,  H01M2/145 ,  H01M2/1653 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/8605 ,  H01M4/96 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/0245 ,  H01M8/026 ,  H01M8/1011 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/13 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/947 ,  Y10S977/90 ,  Y10T428/24149

摘要： A pattern forming material contains a block copolymer or graft copolymer and forms a structure having micro polymer phases, in which, with respect to at least two polymer chains among polymer chains constituting the block copolymer or graft copolymer, the ratio between N/(Nc−No) values of monomer units constituting respective polymer chains is 1.4 or more, where N represents total number of atoms in the monomer unit, Nc represents the number of carbon atoms in the monomer unit, No represents the number of oxygen atoms in the monomer unit.

摘要翻译： 图案形成材料含有嵌段共聚物或接枝共聚物，并形成具有微聚合物相的结构，其中，关于构成嵌段共聚物或接枝共聚物的聚合物链中的至少两个聚合物链，N /（Nc- 否）构成各聚合物链的单体单元的值为1.4以上，其中N表示单体单元中的总原子数，Nc表示单体单元中的碳原子数，No表示单体单元中的氧原子数 。

公开(公告)号：US08715788B1

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13275209

申请日：2011-10-17

申请人： Ananda K. Bandyopadhyay ,  Seon-Mee Cho ,  Haiying Fu ,  Easwar Srinivasan ,  David Mordo

发明人： Ananda K. Bandyopadhyay ,  Seon-Mee Cho ,  Haiying Fu ,  Easwar Srinivasan ,  David Mordo

IPC分类号： C08F2/46 ,  B05D3/00 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01L21/31633 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31695

摘要： Methods and apparatus for improving mechanical properties of a dielectric film on a substrate are provided. In some embodiments, the dielectric film is a carbon-doped oxide (CDO). The methods involve the use of modulated ultraviolet radiation to increase the mechanical strength while limiting shrinkage and limiting any increases in the dielectric constant of the film. Methods improve film hardness, modulus and cohesive strength, which provide better integration capability and improved performance in the subsequent device fabrication procedures such as chemical mechanical polishing (CMP) and packaging.

摘要翻译： 提供了用于提高基板上的电介质膜的机械特性的方法和装置。 在一些实施例中，电介质膜是碳掺杂氧化物（CDO）。 这些方法涉及使用调制的紫外线辐射来增加机械强度，同时限制收缩并限制膜的介电常数的任何增加。 方法可提高膜的硬度，模量和内聚强度，从而在随后的装置制造程序如化学机械抛光（CMP）和包装中提供更好的整合能力和改进的性能。

公开(公告)号：US20130295334A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13936557

申请日：2013-07-08

申请人： Air Products And Chemicals Inc.

发明人： Aiping Wu ,  Scott Jeffrey Weigel ,  Thomas Albert Braymer

IPC分类号： B32B5/18

CPC分类号： B32B5/18 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24496

摘要： Described herein is a method for removing at least a portion of the carbon-containing species within an organosilicate (OSG) film by treating the OSG film with a chemical, such as but not limited to an oxidizer, exposing the OSG film to an energy source comprising ultraviolet light, or treating the OSG film with a chemical and exposing the OSG film to an energy source.

摘要翻译： 本文描述了通过用化学物质（例如但不限于氧化剂）处理OSG膜将OSG膜暴露于能量源的方法，用于去除有机硅酸盐（OSG）膜中的至少一部分含碳物质的方法 包括紫外光，或用化学品处理OSG膜并将OSG膜暴露于能量源。

公开(公告)号：US08507665B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US13475237

申请日：2012-05-18

申请人： Sung Kyu Min ,  Ja Chun Ku ,  Sang Tae Ahn ,  Chai O Chung ,  Hyeon Ju An ,  Hyo Seok Lee ,  Eun Jeong Kim ,  Chan Bae Kim

发明人： Sung Kyu Min ,  Ja Chun Ku ,  Sang Tae Ahn ,  Chai O Chung ,  Hyeon Ju An ,  Hyo Seok Lee ,  Eun Jeong Kim ,  Chan Bae Kim

IPC分类号： C08B37/16

CPC分类号： H01L21/31695 ,  C08B37/0012 ,  C08L83/04 ,  C09D105/16 ,  C09D183/02 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337

摘要： A reactive cyclodextrin derivative or a reactive glucose derivative is used as a template derivative for forming an ultra-low dielectric layer. A layer is formed of the reactive cyclodextrin derivative or the reactive glucose derivative capped with Si—H and then cured in an atmosphere of hydrogen peroxide to form the ultra-low dielectric layer.

摘要翻译： 使用反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物作为形成超低介电层的模板衍生物。 由反应性环糊精衍生物或用Si-H封端的反应性葡萄糖衍生物形成层，然后在过氧化氢气氛中固化形成超低介电层。

公开(公告)号：US08492266B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13302348

申请日：2011-11-22

申请人： Makoto Ueki ,  Takahiro Onodera ,  Yoshihiro Hayashi

发明人： Makoto Ueki ,  Takahiro Onodera ,  Yoshihiro Hayashi

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a semiconductor device, which includes an interlayer insulating film formed on a semiconductor substrate, a wiring layer filled in a recess formed in the interlayer insulating film, and a cap insulating film. The interlayer insulating film includes a first SiOCH film and a surface modification layer including an SiOCH film formed by modifying a surface layer of the first SiOCH film, the SiOCH film having a lower carbon concentration and a higher oxygen concentration than the first SiOCH film has. The cap insulating film contacts with surfaces of the metal wiring and the surface modification layer.

摘要翻译： 提供了一种半导体器件，其包括形成在半导体衬底上的层间绝缘膜，填充在形成于层间绝缘膜中的凹部中的布线层和帽绝缘膜。 层间绝缘膜包括第一SiOCH膜和包括通过改性第一SiOCH膜的表面层形成的SiOCH膜的表面改性层，具有比第一SiOCH膜具有更低的碳浓度和更高的氧浓度的SiOCH膜具有。 盖绝缘膜与金属布线和表面改性层的表面接触。

公开(公告)号：US08394877B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US13278904

申请日：2011-10-21

申请人： Koji Asakawa ,  Toshiro Hiraoka ,  Yoshihiro Akasaka ,  Yasuyuki Hotta

发明人： Koji Asakawa ,  Toshiro Hiraoka ,  Yoshihiro Akasaka ,  Yasuyuki Hotta

IPC分类号： C08K5/07 ,  C08K5/101 ,  C08F220/06

CPC分类号： C08J9/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/479 ,  C03C2218/33 ,  C08J2333/12 ,  C08J2383/16 ,  C23F1/30 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/74 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  G11B2005/0029 ,  H01G11/30 ,  H01G11/56 ,  H01J9/02 ,  H01J9/025 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31695 ,  H01M2/145 ,  H01M2/1653 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/8605 ,  H01M4/96 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/0245 ,  H01M8/026 ,  H01M8/1011 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/13 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/947 ,  Y10S977/90 ,  Y10T428/24149

摘要： A pattern forming material contains a block copolymer or graft copolymer and forms a structure having micro polymer phases, in which, with respect to at least two polymer chains among polymer chains constituting the block copolymer or graft copolymer, the ratio between N/(Nc−No) values of monomer units constituting respective polymer chains is 1.4 or more, where N represents total number of atoms in the monomer unit, Nc represents the number of carbon atoms in the monomer unit, No represents the number of oxygen atoms in the monomer unit.

摘要翻译： 图案形成材料含有嵌段共聚物或接枝共聚物，并形成具有微聚合物相的结构，其中，关于构成嵌段共聚物或接枝共聚物的聚合物链中的至少两个聚合物链，N /（Nc- 否）构成各聚合物链的单体单元的值为1.4以上，其中N表示单体单元中的总原子数，Nc表示单体单元中的碳原子数，No表示单体单元中的氧原子数 。

公开(公告)号：US08354350B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US13475178

申请日：2012-05-18

申请人： Sung Kyu Min ,  Ja Chun Ku ,  Sang Tae Ahn ,  Chai O Chung ,  Hyeon Ju An ,  Hyo Seok Lee ,  Eun Jeong Kim ,  Chan Bae Kim

发明人： Sung Kyu Min ,  Ja Chun Ku ,  Sang Tae Ahn ,  Chai O Chung ,  Hyeon Ju An ,  Hyo Seok Lee ,  Eun Jeong Kim ,  Chan Bae Kim

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31695 ,  C08B37/0012 ,  C08L83/04 ,  C09D105/16 ,  C09D183/02 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337

摘要： A reactive cyclodextrin derivative or a reactive glucose derivative is used as a template derivative for forming an ultra-low dielectric layer. A layer is formed of the reactive cyclodextrin derivative or the reactive glucose derivative capped with Si—H and then cured in an atmosphere of hydrogen peroxide to form the ultra-low dielectric layer.

摘要翻译： 使用反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物作为形成超低介电层的模板衍生物。 由反应性环糊精衍生物或用Si-H封端的反应性葡萄糖衍生物形成层，然后在过氧化氢气氛中固化形成超低介电层。

公开(公告)号：US08343866B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US13251952

申请日：2011-10-03

申请人： David E. Lazovsky ,  Sandra G. Malhotra ,  Thomas R. Boussie

发明人： David E. Lazovsky ,  Sandra G. Malhotra ,  Thomas R. Boussie

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76829 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76849

摘要： A masking layer is formed on a dielectric region of an electronic device so that, during subsequent formation of a capping layer on electrically conductive regions the masking layer inhibits formation of capping layer material on the dielectric region. The capping layer can be formed selectively on the electrically conductive regions or non-selectively; in either case, capping layer material formed over the dielectric region can subsequently be removed, thus ensuring that capping layer material is formed only on the electrically conductive regions. Silane-based materials, such as silane-based SAMs, can be used to form the masking layer. The capping layer can be formed of an electrically conductive, a semiconductor material, or an electrically insulative material, and can be formed using any appropriate process, including conventional deposition processes such as electroless deposition, chemical vapor deposition, physical vapor deposition or atomic layer deposition.

摘要翻译： 在电子器件的电介质区域上形成掩模层，使得在导电区域之后形成覆盖层时，掩模层阻止在电介质区域上形成覆盖层材料。 可以选择性地在导电区域或非选择性地形成覆盖层; 在任一种情况下，形成在电介质区域上的覆盖层材料随后可以被去除，从而确保覆盖层材料仅在导电区域上形成。 可以使用诸如硅烷基SAM之类的硅烷基材料来形成掩模层。 覆盖层可以由导电，半导体材料或电绝缘材料形成，并且可以使用任何适当的工艺形成，包括常规沉积工艺，例如无电沉积，化学气相沉积，物理气相沉积或原子层沉积 。