公开(公告)号：US08622021B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12740091

申请日：2008-10-27

申请人： Travis R. Taylor ,  Mukund Srinivasan ,  Bobby Kadkhodayan ,  K. Y. Ramanujam ,  Biljana Mikijelj ,  Shanghua Wu

发明人： Travis R. Taylor ,  Mukund Srinivasan ,  Bobby Kadkhodayan ,  K. Y. Ramanujam ,  Biljana Mikijelj ,  Shanghua Wu

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/22 ,  H01L21/306 ,  C23F1/00 ,  B22F3/04 ,  B22F3/15 ,  C23C16/44

CPC分类号： C04B35/593 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  H01J37/32467 ,  H01L21/3065

摘要： A method of increasing mean time between cleans of a plasma etch chamber and chamber parts lifetimes is provided. Semiconductor substrates are plasma etched in the chamber while using at least one sintered silicon nitride component exposed to ion bombardment and/or ionized halogen gas. The sintered silicon nitride component includes high purity silicon nitride and a sintering aid consisting of silicon dioxide. A plasma processing chamber is provided including the sintered silicon nitride component. A method of reducing metallic contamination on the surface of a silicon substrate during plasma processing is provided with a plasma processing apparatus including one or more sintered silicon nitride components. A method of manufacturing a component exposed to ion bombardment and/or plasma erosion in a plasma etch chamber, comprising shaping a powder composition consisting of high purity silicon nitride and silicon dioxide and densifying the shaped component.

摘要翻译： 提供了一种增加等离子体蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。 在使用暴露于离子轰击和/或电离卤素气体的至少一种烧结氮化硅组件的同时，半导体衬底在腔室中进行等离子体蚀刻。 烧结氮化硅组分包括高纯度氮化硅和由二氧化硅组成的烧结助剂。 提供了包括烧结氮化硅组分的等离子体处理室。 提供了一种在等离子体处理期间减少硅衬底表面上的金属污染的方法，该等离子体处理装置包括一个或多个烧结氮化硅组分。 一种在等离子体蚀刻室中制造暴露于离子轰击和/或等离子体侵蚀的部件的方法，包括使由高纯度氮化硅和二氧化硅组成的粉末组合物成形并致密化成形部件。

公开(公告)号：US20070129232A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11649079

申请日：2007-01-03

申请人： Russell Yeckley ,  Shanghua Wu

发明人： Russell Yeckley ,  Shanghua Wu

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/10

CPC分类号： C04B35/117 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/803 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/524 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  Y10T82/10 ,  Y10T82/141 ,  Y10T407/27

摘要： A ceramic body that includes between about 15 volume percent and about 35 volume percent of a boron carbide irregular-shaped phase, and at least about 50 volume percent alumina, and the ceramic body has a fracture toughness (KIC, 18.5 Kg Load E&C) greater than or equal to about 4.5 MPa·m0.5.

摘要翻译： 一种陶瓷体，其包含约15体积％至约35体积％的碳化硼不规则形状相和至少约50体积％的氧化铝，并且所述陶瓷体具有断裂韧性（K >，18.5Kg负载E＆C）大于或等于约4.5MPa.m <0.5。

公开(公告)号：US20070114705A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11648984

申请日：2007-01-03

申请人： Russell Yeckley ,  Shanghua Wu

发明人： Russell Yeckley ,  Shanghua Wu

IPC分类号： C04B35/563

CPC分类号： C04B35/117 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/803 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/524 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  Y10T82/10 ,  Y10T82/141 ,  Y10T407/27

摘要： A process for making a ceramic body that includes the following steps: providing a starting powder mixture, the starting powder mixture comprises between about 15 volume percent and about 35 volume percent boron carbide powder and at least about 50 volume percent alumina powder and no more than about 5 volume percent of a sintering aid; and consolidating the powder mixture at a temperature equal to between about 1400 degrees Centigrade and 1850 degrees Centigrade to achieve a ceramic with a density equal to greater than 99 percent of theoretical density.

摘要翻译： 一种制造陶瓷体的方法，包括以下步骤：提供起始粉末混合物，起始粉末混合物包含约15体积％至约35体积％的碳化硼粉末和至少约50体积％的氧化铝粉末，不超过 约5体积％的烧结助剂; 并将该混合物在约1400摄氏度和1850摄氏度之间的温度下固化，以达到密度等于理论密度的99％以上的陶瓷。

公开(公告)号：US20100130344A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12315056

申请日：2008-11-26

申请人： Biljana Mikijelj ,  Shanghua Wu

发明人： Biljana Mikijelj ,  Shanghua Wu

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/565 ,  C04B35/583

CPC分类号： C04B35/5603 ,  C04B35/575 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96

摘要： A dense silicon carbide (SiC) material with boron (B), nitrogen (N) and oxygen (O) as the only additives and with excellent insulting performance (electrical volume resistivity greater than 1×108 Ω.cm). The SiC ceramic material, made from a powder mix of, by weight, from 0.1 to 7% boron carbide, from 0.1 to 7% silicon nitride, from 0.1 to 6% silicon dioxide, and a balance of α-SiC, consists essentially of (1) at least 90% by weight of α-SiC, (2) about 0.3 to 4.0% by weight of boron, (3) about 0.1 to 6.0% by weight of nitrogen, (4) about 0.06 to 0.5% by weight of oxygen, and (5) no more than 0.07% by weight of metallic impurities; wherein the boron and nitrogen are present according to an B/N atomic ratio of 0.9:1 to 5:1. In particular, this material is suitable for applications in plasma etching chambers for semiconductor and integrated circuit manufacturing.

摘要翻译： 具有硼（B），氮（N）和氧（O）的致密碳化硅（SiC）材料作为唯一的添加剂并且具有优异的侮辱性能（电体积电阻率大于1×108和OHgr.cm）。 由以重量计0.1至7％的碳化硼，0.1至7％的氮化硅，0.1至6％的二氧化硅和余量的α-SiC的粉末混合物制成的SiC陶瓷材料基本上由 （1）至少90重量％的α-SiC，（2）约0.3-4.0重量％的硼，（3）约0.1至6.0重量％的氮，（4）约0.06至0.5重量％ 的氧，和（5）不超过0.07重量％的金属杂质; 其中硼和氮根据B / N原子比为0.9:1至5:1存在。 特别地，该材料适用于用于半导体和集成电路制造的等离子体蚀刻室。

公开(公告)号：US07309475B2

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US11411611

申请日：2006-04-26

申请人： Russeli L. Yeckley ,  Shanghua Wu

发明人： Russeli L. Yeckley ,  Shanghua Wu

IPC分类号： C01B21/082

CPC分类号： C04B35/581 ,  B23B2226/18 ,  C01B21/0825 ,  C01P2002/32 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/117 ,  C04B35/119 ,  C04B35/645 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96

摘要： A process of making aluminum oxynitride powder including the steps of: forming a powder mixture by mixing alumina powder and aluminum nitride powder according to the following formula: ((4−x)/3) alumina and x aluminum nitride wherein x is in mole percent and ranges between about 0.31 and about 0.61; adding between about 0.1 mole percent and about 1.0 mole percent of pure aluminum powder to the powder mixture; and reacting the powder mixture containing aluminum at a temperature between about 1600° C. and about 1900° C. for a duration between about 2 hours and about 24 hours in a flowing nitrogen atmosphere so as to form aluminum oxynitride.

摘要翻译： 一种制造氮氧化铝粉末的方法，包括以下步骤：通过根据下式将氧化铝粉末和氮化铝粉末混合形成粉末混合物：（（4-x）/ 3）氧化铝和x氮化铝，其中x为摩尔％ 范围在约0.31至约0.61之间; 向粉末混合物中加入约0.1摩尔％至约1.0摩尔％的纯铝粉末; 并在约1600℃至约1900℃的温度下，在流动的氮气气氛中使包含铝的粉末混合物在约2小时至约24小时之间的时间内反应，以形成氮氧化铝。

公开(公告)号：US20060188348A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11311209

申请日：2005-12-19

申请人： Russel Yeckley ,  Shanghua Wu

发明人： Russel Yeckley ,  Shanghua Wu

IPC分类号： C04B35/56 ,  C04B35/117

CPC分类号： C04B35/645 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B35/803 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/524 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  Y10T407/27

摘要： A ceramic body, as well as a method of making the ceramic body, wherein in one aspect a hot-pressing method is used to produce the ceramic body. In another aspect, a sintering to full density method is used to produce the ceramic body. The hot-pressed ceramic body contains between about 15 volume percent and about 35 volume percent of a boron carbide phase and at least about 50 volume percent of alumina, and the substrate has a fracture toughness (KIC, 18.5 Kg Load E&C) greater than or equal to about 4.5 MPa·m0.5. The sintered to full density ceramic body contains between about 15 volume percent and about 50 volume percent of a boron carbide irregular-shaped phase and at least about 50 volume percent alumina. The substrate further includes at least one of the following components (a) through (b) wherein the sum of the amounts of components (a) and (b) is equal to an effective amount to achieve full densification wherein components (a) and (b) include (a) a metal component including one or more of aluminum, magnesium and zinc; and (b) a reduction component containing carbon.

摘要翻译： 陶瓷体，以及制造陶瓷体的方法，其中在一个方面，使用热压法来制造陶瓷体。 另一方面，使用烧结至全密度法制造陶瓷体。 热压陶瓷体含有约15体积％至约35体积％的碳化硼相和至少约50体积％的氧化铝，并且该基材具有断裂韧性（K < 18.5Kg负载E＆C）大于或等于约4.5MPa.m <0.5。 烧结至全密度陶瓷体含有约15体积％至约50体积％的碳化硼不规则形状相和至少约50体积％的氧化铝。 所述基材还包括以下组分（a）至（b）中的至少一种，其中组分（a）和（b）的量的总和等于实现完全致密化的有效量，其中组分（a）和（b） b）包括（a）包括铝，镁和锌中的一种或多种的金属组分; 和（b）含有碳的还原组分。

公开(公告)号：US20110021031A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12740091

申请日：2008-10-27

申请人： Travis R. Taylor ,  Mukund Srinivasan ,  Bobby Kadkhodayan ,  K.Y. Ramanujam ,  Biljana Mikijelj ,  Shanghua Wu

发明人： Travis R. Taylor ,  Mukund Srinivasan ,  Bobby Kadkhodayan ,  K.Y. Ramanujam ,  Biljana Mikijelj ,  Shanghua Wu

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/08 ,  C23F1/00 ,  B29C43/02

CPC分类号： C04B35/593 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  H01J37/32467 ,  H01L21/3065

摘要： A method of increasing mean time between cleans of a plasma etch chamber and chamber parts lifetimes is provided. Semiconductor substrates are plasma etched in the chamber while using at least one sintered silicon nitride component exposed to ion bombardment and/or ionized halogen gas. The sintered silicon nitride component includes high purity silicon nitride and a sintering aid consisting of silicon dioxide. A plasma processing chamber is provided including the sintered silicon nitride component. A method of reducing metallic contamination on the surface of a silicon substrate during plasma processing is provided with a plasma processing apparatus including one or more sintered silicon nitride components. A method of manufacturing a component exposed to ion bombardment and/or plasma erosion in a plasma etch chamber, comprising shaping a powder composition consisting of high purity silicon nitride and silicon dioxide and densifying the shaped component.

摘要翻译： 提供了一种增加等离子体蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。 在使用暴露于离子轰击和/或电离卤素气体的至少一种烧结氮化硅组件的同时，半导体衬底在腔室中进行等离子体蚀刻。 烧结氮化硅组分包括高纯度氮化硅和由二氧化硅组成的烧结助剂。 提供了包括烧结氮化硅组分的等离子体处理室。 提供了一种在等离子体处理期间减少硅衬底表面上的金属污染的方法，该等离子体处理装置包括一个或多个烧结氮化硅组分。 一种在等离子体蚀刻室中制造暴露于离子轰击和/或等离子体侵蚀的部件的方法，包括使由高纯度氮化硅和二氧化硅组成的粉末组合物成形并致密化成形部件。

公开(公告)号：US07402540B2

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US11649079

申请日：2007-01-03

申请人： Russell L. Yeckley ,  Shanghua Wu

发明人： Russell L. Yeckley ,  Shanghua Wu

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/117

CPC分类号： C04B35/117 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/803 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/524 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  Y10T82/10 ,  Y10T82/141 ,  Y10T407/27

摘要： A ceramic body that includes between about 15 volume percent and about 35 volume percent of a boron carbide irregular-shaped phase, and at least about 50 volume percent alumina, and the ceramic body has a fracture toughness (KIC, 18.5 Kg Load E&C) greater than or equal to about 4.5 MPa·m0.5.

摘要翻译： 一种陶瓷体，其包含约15体积％至约35体积％的碳化硼不规则形状相和至少约50体积％的氧化铝，并且所述陶瓷体具有断裂韧性（K >，18.5Kg负载E＆C）大于或等于约4.5MPa.m <0.5。

公开(公告)号：US07368406B2

公开(公告)日：2008-05-06

申请号：US11234013

申请日：2005-09-23

申请人： Russell L. Yeckley ,  Shanghua Wu

发明人： Russell L. Yeckley ,  Shanghua Wu

IPC分类号： C04B35/81 ,  C04B35/515 ,  C04B35/577

CPC分类号： C04B35/581 ,  B23B2226/18 ,  C01B21/0825 ,  C01P2002/32 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/117 ,  C04B35/119 ,  C04B35/645 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96

摘要： A ceramic body, as well as a method for making the same, wherein the ceramic body contains aluminum oxynitride and whiskers, (and optionally) one or more of titanium carbonitride, and/or alumina, and/or zirconia, and/or other component(s).

摘要翻译： 一种陶瓷体及其制造方法，其中陶瓷体含有氮氧化铝和晶须（和任选地）一种或多种碳氮化钛和/或氧化铝和/或氧化锆和/或其它组分 （s）。

公开(公告)号：US20060189474A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11063480

申请日：2005-02-23

申请人： Russell Yeckley ,  Shanghua Wu

发明人： Russell Yeckley ,  Shanghua Wu

IPC分类号： C04B35/56 ,  C04B35/117

CPC分类号： C04B35/645 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B35/803 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/524 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  Y10T407/27

摘要： A ceramic body that contains between about 15 volume percent and about 35 volume percent of a boron carbide irregular-shaped phase and at least about 50 volume percent of alumina. The substrate has a fracture toughness (KIC, 18.5 Kg Load E&C) greater than or equal to about 4.5 MPa·m0.5.

摘要翻译： 陶瓷体，其含有约15体积％至约35体积％的碳化硼不规则形状相和至少约50体积％的氧化铝。 基材具有大于或等于约4.5MPa.m <0.5的断裂韧性（K C，18.5Kg负载E＆C）。