公开(公告)号：US20130005118A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13535845

申请日：2012-06-28

申请人： Sung Won Jun ,  Yan Wang ,  Hua Chung ,  Jiang Lu ,  Kuan Chien Keris Shen ,  Shiva Rai

发明人： Sung Won Jun ,  Yan Wang ,  Hua Chung ,  Jiang Lu ,  Kuan Chien Keris Shen ,  Shiva Rai

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02661 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： Methods of forming III-V materials using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) with chlorine cleans operations are described. A chlorine-clean operation may further season an MOCVD process for improved throughput for high volume manufacturing.

摘要翻译： 描述了使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）与氯清洗操作形成III-V材料的方法。 氯清洁操作可以进一步增加MOCVD过程，以提高大批量生产的产量。