公开(公告)号：US20070194301A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US10580881

申请日：2004-11-24

申请人： Recai Sezi ,  Andreas Walter ,  Reimund Engl ,  Anna Maltenberger ,  Christine Dehm ,  Sitaram Arkalgud ,  Igor Kasko ,  Joachim Nuetzel ,  Jakob Kriz ,  Thomas Mikolajick ,  Cay-Uwe Pinnow

发明人： Recai Sezi ,  Andreas Walter ,  Reimund Engl ,  Anna Maltenberger ,  Christine Dehm ,  Sitaram Arkalgud ,  Igor Kasko ,  Joachim Nuetzel ,  Jakob Kriz ,  Thomas Mikolajick ,  Cay-Uwe Pinnow

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L21/8232

CPC分类号： H01L51/0036 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/28 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0595

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor arrangement having at least one nonvolatile memory cell which has a first electrode comprising at least two layers; and having an organic material, the organic material forming a compound with that layer of the first electrode which is in direct contact. One aspect of the invention furthermore relates to a method for producing the nonvolatile memory cell, a semiconductor arrangement having a plurality of memory cells according to the invention, and a method for producing the same.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有至少一个非易失性存储单元的半导体装置，其具有包括至少两层的第一电极; 并且具有有机材料，所述有机材料与所述第一电极的所述层直接接触形成化合物。 本发明的一个方面还涉及一种用于制造非易失性存储单元的方法，具有根据本发明的多个存储单元的半导体装置及其制造方法。