公开(公告)号：US20120043551A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13200206

申请日：2011-09-21

申请人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

发明人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： A Schottky diode includes a first nitride-based semiconductor layer disposed atop a substrate. A second nitride-based semiconductor layer is disposed atop a portion of the first nitride-based semiconductor layer. The second layer has a doping concentration lower than that of the first layer. A first Schottky contact metal layer having a first metal work function is disposed on a top planar surface of the second layer, forming a first Schottky junction. A second Schottky contact metal layer having a second metal work function is disposed atop of and laterally surrounding the first Schottky contact metal layer, the metal work function of the second metal layer is higher than that of the first metal layer. A metal layer disposed on first and second planar surfaces forms an ohmic contact with the first nitride-based semiconductor layer.

摘要翻译： 肖特基二极管包括设置在基板顶上的第一氮化物基半导体层。 第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层的一部分的顶部。 第二层的掺杂浓度低于第一层的掺杂浓度。 具有第一金属功函数的第一肖特基接触金属层设置在第二层的顶平面上，形成第一肖特基结。 具有第二金属功函数的第二肖特基接触金属层设置在第一肖特基接触金属层的顶部并且横向围绕第一肖特基接触金属层，第二金属层的金属功函数高于第一金属层的金属功函数。 设置在第一和第二平面上的金属层与第一氮化物基半导体层形成欧姆接触。

公开(公告)号：US08629525B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13200206

申请日：2011-09-21

申请人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

发明人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

IPC分类号： H01L31/07

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： A Schottky diode includes a first nitride-based semiconductor layer disposed atop a substrate. A second nitride-based semiconductor layer is disposed atop a portion of the first nitride-based semiconductor layer. The second layer has a doping concentration lower than that of the first layer. A first Schottky contact metal layer having a first metal work function is disposed on a top planar surface of the second layer, forming a first Schottky junction. A second Schottky contact metal layer having a second metal work function is disposed atop of and laterally surrounding the first Schottky contact metal layer, the metal work function of the second metal layer is higher than that of the first metal layer. A metal layer disposed on first and second planar surfaces forms an ohmic contact with the first nitride-based semiconductor layer.

摘要翻译： 肖特基二极管包括设置在基板顶上的第一氮化物基半导体层。 第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层的一部分的顶部。 第二层的掺杂浓度低于第一层的掺杂浓度。 具有第一金属功函数的第一肖特基接触金属层设置在第二层的顶平面上，形成第一肖特基结。 具有第二金属功函数的第二肖特基接触金属层设置在第一肖特基接触金属层的顶部并且横向围绕第一肖特基接触金属层，第二金属层的金属功函数高于第一金属层的金属功函数。 设置在第一和第二平面上的金属层与第一氮化物基半导体层形成欧姆接触。

公开(公告)号：US08026568B2

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：US11589124

申请日：2006-10-27

申请人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

发明人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

IPC分类号： H01L31/07 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： A Schottky contact is disposed atop a surface of a semiconductor. A first Schottky contact metal layer is disposed atop a first portion of the semiconductor surface. A second Schottky contact metal is disposed atop a second portion of the surface layer and adjoins the first Schottky contact metal layer. The first Schottky contact metal layer has a lower work function than the second Schottky contact metal layer.

摘要翻译： 将肖特基接触件设置在半导体的表面上。 第一肖特基接触金属层设置在半导体表面的第一部分的顶部。 第二肖特基接触金属设置在表面层的第二部分的顶部并与第一肖特基接触金属层相邻。 第一肖特基接触金属层的功函数低于第二肖特基接触金属层。

公开(公告)号：US07229866B2

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：US10935000

申请日：2004-09-07

申请人： Ting Gang Zhu ,  Bryan S. Shelton ,  Alex D. Ceruzzi ,  Linlin Liu ,  Michael Murphy ,  Milan Pophristic

发明人： Ting Gang Zhu ,  Bryan S. Shelton ,  Alex D. Ceruzzi ,  Linlin Liu ,  Michael Murphy ,  Milan Pophristic

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/32 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

摘要： A guard ring is formed in a semiconductor region that is part of a Schottky junction or Schottky diode. The guard ring is formed by ion implantation into the semiconductor contact layer without completely annealing the semiconductor contact layer to form a high resistance region. The guard ring may be located at the edge of the layer or, alternatively, at a distance away from the edge of the layer. A Schottky metal contact is formed atop the layer, and the edges of the Schottky contact are disposed atop the guard ring.

摘要翻译： 在作为肖特基结或肖特基二极管的一部分的半导体区域中形成保护环。 保护环通过离子注入形成于半导体接触层中，而不会使半导体接触层完全退火以形成高电阻区域。 保护环可以位于层的边缘处，或者可选地，离开层的边缘一定距离。 肖特基金属接触形成在层的顶部，肖特基接触的边缘设置在保护环的顶部。