公开(公告)号：US08026568B2

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：US11589124

申请日：2006-10-27

申请人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

发明人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

IPC分类号： H01L31/07 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： A Schottky contact is disposed atop a surface of a semiconductor. A first Schottky contact metal layer is disposed atop a first portion of the semiconductor surface. A second Schottky contact metal is disposed atop a second portion of the surface layer and adjoins the first Schottky contact metal layer. The first Schottky contact metal layer has a lower work function than the second Schottky contact metal layer.

摘要翻译： 将肖特基接触件设置在半导体的表面上。 第一肖特基接触金属层设置在半导体表面的第一部分的顶部。 第二肖特基接触金属设置在表面层的第二部分的顶部并与第一肖特基接触金属层相邻。 第一肖特基接触金属层的功函数低于第二肖特基接触金属层。

公开(公告)号：US20060151868A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11032666

申请日：2005-01-10

申请人： TingGang Zhu ,  Bryan Shelton ,  Marek Pabisz ,  Mark Gottfried ,  Linlin Liu ,  Boris Peres ,  Alex Ceruzzi

发明人： TingGang Zhu ,  Bryan Shelton ,  Marek Pabisz ,  Mark Gottfried ,  Linlin Liu ,  Boris Peres ,  Alex Ceruzzi

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/43 ,  H01L2924/01006

摘要： A packaged semiconductor device, in particular a gallium nitride semiconductor structure including a lower semiconductor layer and an upper semiconductor layer disposed over a portion of the lower semiconductor layer. The semiconductor structure includes a plurality of mesas projecting upwardly from the lower layer, each of the mesas including a portion of the upper layer and defining an upper contact surface separated form adjacent mesas by a portion of the lower layer surface. The device further includes a die mounting support, wherein the bottom surface of the die is attached to the top surface of the die mounting support; and a plurality of spaced external conductors extending from the support, at least once of said spaced external conductors having a bond wire post at one end thereof; with a bonding wire extending between the bond wire post and a contact region to the top surface of the plurality of mesas.

摘要翻译： 封装的半导体器件，特别是包括下半导体层和设置在下半导体层的一部分上的上半导体层的氮化镓半导体结构。 半导体结构包括从下层向上突出的多个台面，每个台面包括上层的一部分，并且限定由下层表面的一部分与相邻台面分开的上接触表面。 该装置还包括模具安装支撑件，其中模具的底表面附接到模具安装支撑件的顶表面; 以及从所述支撑件延伸的多个间隔开的外部导体，所述间隔开的外部导体中的至少一个在其一端具有接合线柱; 其中接合线在接合线柱和与多个台面的顶表面之间的接触区域之间延伸。

公开(公告)号：US20120043551A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13200206

申请日：2011-09-21

申请人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

发明人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： A Schottky diode includes a first nitride-based semiconductor layer disposed atop a substrate. A second nitride-based semiconductor layer is disposed atop a portion of the first nitride-based semiconductor layer. The second layer has a doping concentration lower than that of the first layer. A first Schottky contact metal layer having a first metal work function is disposed on a top planar surface of the second layer, forming a first Schottky junction. A second Schottky contact metal layer having a second metal work function is disposed atop of and laterally surrounding the first Schottky contact metal layer, the metal work function of the second metal layer is higher than that of the first metal layer. A metal layer disposed on first and second planar surfaces forms an ohmic contact with the first nitride-based semiconductor layer.

摘要翻译： 肖特基二极管包括设置在基板顶上的第一氮化物基半导体层。 第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层的一部分的顶部。 第二层的掺杂浓度低于第一层的掺杂浓度。 具有第一金属功函数的第一肖特基接触金属层设置在第二层的顶平面上，形成第一肖特基结。 具有第二金属功函数的第二肖特基接触金属层设置在第一肖特基接触金属层的顶部并且横向围绕第一肖特基接触金属层，第二金属层的金属功函数高于第一金属层的金属功函数。 设置在第一和第二平面上的金属层与第一氮化物基半导体层形成欧姆接触。

公开(公告)号：US20060145283A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11030554

申请日：2005-01-06

申请人： TingGang Zhu ,  Bryan Shelton ,  Marek Pabisz ,  Mark Gottfried ,  Linlin Liu ,  Milan Pophristic ,  Michael Murphy ,  Richard Stall

发明人： TingGang Zhu ,  Bryan Shelton ,  Marek Pabisz ,  Mark Gottfried ,  Linlin Liu ,  Milan Pophristic ,  Michael Murphy ,  Richard Stall

IPC分类号： H01L27/095 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475

摘要： A gallium nitride based semiconductor Schottky diode fabricated from a n+ doped GaN layer having a thickness between one and six microns disposed on a sapphire substrate; an n− doped GaN layer having a thickness greater than one micron disposed on said n+ GaN layer patterned into a plurality of elongated fingers and a metal layer disposed on the n− doped GaN layer and forming a Schottky junction therewith. The layer thicknesses and the length and width of the elongated fingers are optimized to achieve a device with breakdown voltage of greater than 500 volts, current capacity in excess of one ampere, and a forward voltage of less than three volts.

摘要翻译： 由氮化镓基半导体肖特基二极管制成的n +掺杂GaN层，其厚度介于1微米与6微米之间，设置在蓝宝石衬底上; 设置在图案化成多个细长指状物的所述n + GaN层上的厚度大于1微米的n掺杂GaN层和设置在n掺杂GaN层上并与其形成肖特基结的金属层。 优化了层厚度和细长指状物的长度和宽度，以实现具有大于500伏特的击穿电压，超过1安培的电流容量和小于3伏特的正向电压的器件。

公开(公告)号：US08629525B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13200206

申请日：2011-09-21

申请人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

发明人： Ting Gang Zhu ,  Marek Pabisz

IPC分类号： H01L31/07

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： A Schottky diode includes a first nitride-based semiconductor layer disposed atop a substrate. A second nitride-based semiconductor layer is disposed atop a portion of the first nitride-based semiconductor layer. The second layer has a doping concentration lower than that of the first layer. A first Schottky contact metal layer having a first metal work function is disposed on a top planar surface of the second layer, forming a first Schottky junction. A second Schottky contact metal layer having a second metal work function is disposed atop of and laterally surrounding the first Schottky contact metal layer, the metal work function of the second metal layer is higher than that of the first metal layer. A metal layer disposed on first and second planar surfaces forms an ohmic contact with the first nitride-based semiconductor layer.

摘要翻译： 肖特基二极管包括设置在基板顶上的第一氮化物基半导体层。 第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层的一部分的顶部。 第二层的掺杂浓度低于第一层的掺杂浓度。 具有第一金属功函数的第一肖特基接触金属层设置在第二层的顶平面上，形成第一肖特基结。 具有第二金属功函数的第二肖特基接触金属层设置在第一肖特基接触金属层的顶部并且横向围绕第一肖特基接触金属层，第二金属层的金属功函数高于第一金属层的金属功函数。 设置在第一和第二平面上的金属层与第一氮化物基半导体层形成欧姆接触。

公开(公告)号：US20070108547A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11589124

申请日：2006-10-27

申请人： Ting Zhu ,  Marek Pabisz

发明人： Ting Zhu ,  Marek Pabisz

IPC分类号： H01L31/07 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： A Schottky contact is disposed atop a surface of a semiconductor. A first Schottky contact metal layer is disposed atop a first portion of the semiconductor surface. A second Schottky contact metal is disposed atop a second portion of the surface layer and adjoins the first Schottky contact metal layer. The first Schottky contact metal layer has a lower work function than the second Schottky contact metal layer.

摘要翻译： 将肖特基接触件设置在半导体的表面上。 第一肖特基接触金属层设置在半导体表面的第一部分的顶部。 第二肖特基接触金属设置在表面层的第二部分的顶部并与第一肖特基接触金属层相邻。 第一肖特基接触金属层具有比第二肖特基接触金属层更低的功函数。

公开(公告)号：US20070093037A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11586948

申请日：2006-10-25

申请人： TingGang Zhu ,  Marek Pabisz ,  Milan Pophristic

发明人： TingGang Zhu ,  Marek Pabisz ,  Milan Pophristic

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/861 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32

摘要： The present invention provides a vertical structure semiconductor device and method of fabricating the same. The method comprises providing a sapphire substrate bonded to a bottom surface of a semiconductor wafer, and a metal coated to the top surface of the semiconductor wafer. The method also comprises securely bonding a thermal and electrical conductive substrate to the wafer and removing the sapphire substrate from the wafer by laser lift-off to expose the bottom surface of the wafer. Furthermore, a metal is deposited to the exposed bottom surface of the wafer.

摘要翻译： 本发明提供一种垂直结构半导体器件及其制造方法。 该方法包括提供粘合到半导体晶片的底表面的蓝宝石衬底和涂覆到半导体晶片的顶表面的金属。 该方法还包括将热导电基板和导电基板牢固地接合到晶片上，并通过激光剥离从晶片去除蓝宝石基板以暴露晶片的底表面。 此外，金属沉积到晶片的暴露的底表面。