公开(公告)号：US07303843B2

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：US11592149

申请日：2006-11-03

申请人： Tuguto Maruko

发明人： Tuguto Maruko

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70433 ,  G03F1/50

摘要： A photomask includes a main mask pattern having first chip patterns and having a first size corresponding to a maximum exposure area of a projection exposure apparatus. The mask further includes a sub-mask pattern having second chip patterns different from the first chip patterns, having a second size smaller than the first size, and arranged adjacently to the main mask pattern.

摘要翻译： 光掩模包括具有第一芯片图案并且具有对应于投影曝光设备的最大曝光面积的第一尺寸的主掩模图案。 掩模还包括具有与第一芯片图案不同的第二芯片图案的子掩模图案，具有小于第一尺寸的第二尺寸，并且相对于主掩模图案布置。

公开(公告)号：US07150948B2

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：US10673572

申请日：2003-09-30

申请人： Tuguto Maruko

发明人： Tuguto Maruko

IPC分类号： G03F9/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/70433 ,  G03F1/50

摘要： A photomask includes a main mask pattern having first chip patterns and having a first size corresponding to a maximum exposure area of a projection exposure apparatus. The mask further includes a sub-mask pattern having second chip patterns different from the first chip patterns, having a second size smaller than the first size, and arranged adjacently to the main mask pattern.

摘要翻译： 光掩模包括具有第一芯片图案并且具有对应于投影曝光设备的最大曝光面积的第一尺寸的主掩模图案。 掩模还包括具有与第一芯片图案不同的第二芯片图案的子掩模图案，具有小于第一尺寸的第二尺寸，并且相对于主掩模图案布置。

公开(公告)号：US20070048632A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11592149

申请日：2006-11-03

申请人： Tuguto Maruko

发明人： Tuguto Maruko

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70433 ,  G03F1/50

摘要： A photomask includes a main mask pattern having first chip patterns and having a first size corresponding to a maximum exposure area of a projection exposure apparatus. The mask further includes a sub-mask pattern having second chip patterns different from the first chip patterns, having a second size smaller than the first size, and arranged adjacently to the main mask pattern.

公开(公告)号：US07049676B2

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：US10753081

申请日：2004-01-08

申请人： Shinji Tanabe ,  Tuguto Maruko

发明人： Shinji Tanabe ,  Tuguto Maruko

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L29/82 ,  H01L43/00 ,  H01L29/76 ,  H01L9/94

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05147

摘要： The semiconductor device includes a multilevel interconnection formed on a semiconductor substrate. The multilevel interconnection includes a plurality of wiring layers each of which is insulated by an insulating layer. A metal member is formed as a shielding film in a same plane as a wiring layer. As a result, the shielding layer can be formed without increasing the number of process steps.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在半导体衬底上的多层互连。 多层互连包括多个布线层，每个布线层被绝缘层绝缘。 金属构件形成为与布线层在同一平面中的屏蔽膜。 结果，可以在不增加处理步骤的数量的情况下形成屏蔽层。