公开(公告)号：US08446565B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12685440

申请日：2010-01-11

申请人： Chung Te Hsuan ,  Tzong-Hsien Wu

发明人： Chung Te Hsuan ,  Tzong-Hsien Wu

IPC分类号： G03B27/54

CPC分类号： G03B27/54 ,  G03B27/72 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70441

摘要： A method of optical proximity correction for a photolithographic progress in manufacturing semiconductor devices is disclosed. The method includes providing an illumination source in an optical system, dividing the illumination source into a number of segments in the form of concentric rings, and assigning a first intensity level to a first ring of a first radius and assigning a second intensity level to a second ring of a second radius, wherein the first intensity level is smaller than or equal to the second intensity level when the first radius is smaller than or equal to the second radius.

摘要翻译： 公开了一种用于制造半导体器件的光刻进程的光学邻近校正方法。 该方法包括在光学系统中提供照明源，将照明源分成许多以同心环形式的段，并将第一强度水平分配给第一半径的第一环，并将第二强度等级分配给 第二半径的第二环，其中当所述第一半径小于或等于所述第二半径时，所述第一强度水平小于或等于所述第二强度水平。

公开(公告)号：US08154705B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US11773889

申请日：2007-07-05

申请人： Tzong-Hsien Wu

发明人： Tzong-Hsien Wu

IPC分类号： G03B27/70 ,  G03B27/54 ,  G03B27/32 ,  G03B27/52 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F7/70408 ,  G03F1/50

摘要： A method of defining patterns in a small pitch is described. A substrate having a target layer thereon is provided, and two laterally separate reflective structures with two opposite sidewalls are formed over the target layer. A photoresist layer is formed over the target layer between the two opposite sidewalls. An exposure step is performed allowing light to be reflected by the two opposite sidewalls in the lateral direction, wherein the two opposite sidewalls are spaced by a distance to cause the reflected light to produce a periodical intensity distribution in the photoresist layer in the lateral direction.

摘要翻译： 描述了以小间距定义图案的方法。 提供其上具有目标层的衬底，并且在目标层上形成具有两个相对侧壁的两个横向分开的反射结构。 在两个相对侧壁之间的目标层上形成光致抗蚀剂层。 允许曝光步骤允许光在横向方向上被两个相对的侧壁反射，其中两个相对的侧壁间隔开一定距离，以使反射光在横向方向上在光致抗蚀剂层中产生周期性强度分布。

公开(公告)号：US08343713B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12265997

申请日：2008-11-06

申请人： Chih-Hao Huang ,  Tzong-Hsien Wu ,  Chin-Cheng Yang ,  Tien-Chu Yang

发明人： Chih-Hao Huang ,  Tzong-Hsien Wu ,  Chin-Cheng Yang ,  Tien-Chu Yang

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： H01L21/31144

摘要： The invention is directed to a method for patterning a material layer. The method comprises steps of providing a material layer. The material layer has a first hard mask layer and a second hard mask layer successively formed thereon. Then, the second hard mask layer is patterned to form a plurality of openings therein. A patterned photoresist layer is formed to cover the second hard mask layer and the patterned photoresist layer exposes a portion of the openings. The first hard mask layer with the patterned photoresist layer and the patterned second hard mask layer together as a mask. Then, the patterned photoresist layer and the patterned second hard mask layer are removed. The material layer is patterned with the patterned first hard mask layer as a mask.

摘要翻译： 本发明涉及用于图案化材料层的方法。 该方法包括提供材料层的步骤。 材料层具有连续形成在其上的第一硬掩模层和第二硬掩模层。 然后，将第二硬掩模层图案化以在其中形成多个开口。 形成图案化的光致抗蚀剂层以覆盖第二硬掩模层，并且图案化的光致抗蚀剂层露出一部分开口。 具有图案化光致抗蚀剂层和图案化的第二硬掩模层的第一硬掩模层一起作为掩模。 然后，去除图案化的光致抗蚀剂层和图案化的第二硬掩模层。 用图案化的第一硬掩模层作为掩模对材料层进行图案化。

公开(公告)号：US08148051B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12143730

申请日：2008-06-20

申请人： Tzong-Hsien Wu ,  Chao-Lung Lo

发明人： Tzong-Hsien Wu ,  Chao-Lung Lo

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/76816

摘要： A method and system to form openings comprises an exposure apparatus and a mask to selectively expose a semiconductor substrate to a radiation source to transfer assist feature patterns and primary feature patterns to a photosensitive layer of the substrate. A heating apparatus eliminates the assist features by heating the substrate and shrinking the primary features. The patterns on the photosensitive layer are transferred to a layer under the photosensitive layer by an etching process.

摘要翻译： 形成开口的方法和系统包括曝光装置和掩模，以选择性地将半导体衬底暴露于辐射源，以将辅助特征图案和主要特征图案转移到衬底的感光层。 加热装置通过加热基板并缩小主要特征来消除辅助特征。 感光层上的图案通过蚀刻工艺转移到感光层下面的层。

公开(公告)号：US07588864B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US10904924

申请日：2004-12-06

申请人： Tzong-Hsien Wu

发明人： Tzong-Hsien Wu

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/50

摘要： A mask of a lithographic process, a method of manufacturing the mask and a lithographic process by using the mask are provided. The mask includes a substrate, a first polarization layer and a second polarization layer is provided. The first polarization layer for allowing a transmission of a first polarization direction of light and avoiding a transmission of a second polarization direction of light. The second polarization layer for avoiding a transmission of the first polarization direction of light, wherein the second polarization layer is patterned with a predetermined pattern.

摘要翻译： 提供光刻工艺的掩模，制造掩模的方法和使用掩模的光刻工艺。 掩模包括衬底，第一偏振层和第二偏振层。 第一偏振层，用于允许光的第一偏振方向的透射，并避免光的第二偏振方向的透射。 用于避免光的第一偏振方向透射的第二偏振层，其中以预定图案对第二偏振层进行图案化。

公开(公告)号：US20070160914A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：US11326827

申请日：2006-01-06

申请人： Chao-Lung Lo ,  Tzong-Hsien Wu

发明人： Chao-Lung Lo ,  Tzong-Hsien Wu

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70433 ,  G03F1/36

摘要： The invention is directed to a pattern on a mask. The pattern comprises a main dense pattern, a first anti-aberration pattern and a second anti-aberration pattern. The main dense pattern comprises a first outmost sub-pattern and a second outmost sub-pattern, wherein the first outmost sub-pattern and the second pattern are not adjacent to each other. The first anti-aberration pattern is located adjacent to the first outmost sub-pattern with a first distance. The second anti-aberration pattern is located adjacent to the second outmost sub-pattern with a second distance, wherein the first distance and the second distance are different from each other.

摘要翻译： 本发明涉及掩模上的图案。 图案包括主密集图案，第一抗像差图案和第二抗像差图案。 主密集图案包括第一最外层子图案和第二最外层子图案，其中第一最外层子图案和第二图案彼此不相邻。 第一抗像差图案位于与第一最远的子图案相邻的第一距离处。 第二抗像差图案位于与第二最远的子图案相邻的第二距离处，其中第一距离和第二距离彼此不同。

公开(公告)号：US20060121360A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：US10904924

申请日：2004-12-06

申请人： Tzong-Hsien Wu

发明人： Tzong-Hsien Wu

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/50

摘要： A mask of a lithographic process, a method of manufacturing the mask and a lithographic process by using the mask are provided. The mask includes a substrate, a first polarization layer and a second polarization layer is provided. The first polarization layer for allowing a transmission of a first polarization direction of light and avoiding a transmission of a second polarization direction of light. The second polarization layer for avoiding a transmission of the first polarization direction of light, wherein the second polarization layer is patterned with a predetermined pattern.

摘要翻译： 提供光刻工艺的掩模，制造掩模的方法和使用掩模的光刻工艺。 掩模包括衬底，第一偏振层和第二偏振层。 第一偏振层，用于允许光的第一偏振方向的透射，并避免光的第二偏振方向的透射。 用于避免光的第一偏振方向透射的第二偏振层，其中以预定图案对第二偏振层进行图案化。

公开(公告)号：US07721247B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11647068

申请日：2006-12-28

申请人： Tzong-Hsien Wu

发明人： Tzong-Hsien Wu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081

摘要： A method for detecting the presence of side lobes in a full chip layout having a main pattern designed on a mask includes surrounding the main pattern with a pattern of polygons or circles. A lithography rule check is performed and uses the pattern of polygons or circles to search the main pattern for side lobes. The location of a side lobe is preferably marked with an error flag.

摘要翻译： 用于检测在具有设计在掩模上的主图案的全芯片布局中存在旁瓣的方法包括以多边形或圆形的图案围绕主图案。 执行光刻规则检查，并使用多边形或圆形的图案来搜索主图案的旁瓣。 旁瓣的位置优选地标记有错误标志。

公开(公告)号：US07682756B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11326827

申请日：2006-01-06

申请人： Chao-Lung Lo ,  Tzong-Hsien Wu

发明人： Chao-Lung Lo ,  Tzong-Hsien Wu

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70433 ,  G03F1/36

摘要： The invention is directed to a pattern on a mask. The pattern comprises a main dense pattern, a first anti-aberration pattern and a second anti-aberration pattern. The main dense pattern comprises a first outmost sub-pattern and a second outmost sub-pattern, wherein the first outmost sub-pattern and the second pattern are not adjacent to each other. The first anti-aberration pattern is located adjacent to the first outmost sub-pattern with a first distance. The second anti-aberration pattern is located adjacent to the second outmost sub-pattern with a second distance, wherein the first distance and the second distance are different from each other.

摘要翻译： 本发明涉及掩模上的图案。 图案包括主密集图案，第一抗像差图案和第二抗像差图案。 主密集图案包括第一最外层子图案和第二最外层子图案，其中第一最外层子图案和第二图案彼此不相邻。 第一抗像差图案位于与第一最远的子图案相邻的第一距离处。 第二抗像差图案位于与第二最远的子图案相邻的第二距离处，其中第一距离和第二距离彼此不同。

公开(公告)号：US20100035191A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12265997

申请日：2008-11-06

申请人： Chih-Hao Huang ,  Tzong-Hsien Wu ,  Chin-Cheng Yang ,  Tien-Chu Yang

发明人： Chih-Hao Huang ,  Tzong-Hsien Wu ,  Chin-Cheng Yang ,  Tien-Chu Yang

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L21/31144

摘要： The invention is directed to a method for patterning a material layer. The method comprises steps of providing a material layer. The material layer has a first hard mask layer and a second hard mask layer successively formed thereon. Then, the second hard mask layer is patterned to form a plurality of openings therein. A patterned photoresist layer is formed to cover the second hard mask layer and the patterned photoresist layer exposes a portion of the openings. The first hard mask layer with the patterned photoresist layer and the patterned second hard mask layer together as a mask. Then, the patterned photoresist layer and the patterned second hard mask layer are removed. The material layer is patterned with the patterned first hard mask layer as a mask.

摘要翻译： 本发明涉及用于图案化材料层的方法。 该方法包括提供材料层的步骤。 材料层具有连续形成在其上的第一硬掩模层和第二硬掩模层。 然后，将第二硬掩模层图案化以在其中形成多个开口。 形成图案化的光致抗蚀剂层以覆盖第二硬掩模层，并且图案化的光致抗蚀剂层露出一部分开口。 具有图案化光致抗蚀剂层和图案化的第二硬掩模层的第一硬掩模层一起作为掩模。 然后，去除图案化的光致抗蚀剂层和图案化的第二硬掩模层。 用图案化的第一硬掩模层作为掩模对材料层进行图案化。