公开(公告)号：US20140042498A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US14112403

申请日：2012-04-19

申请人： Ulf Erlesand

发明人： Ulf Erlesand

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B3/0086 ,  B81C1/00222 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A substrate-through electrical connection (10) for connecting components on opposite sides of a substrate, and a method for making same. The connection includes a substrate-through via made from substrate material (10′). There is a trench (11) provided surrounding the via, the walls of the trench being coated with a layer of insulating material (12) and the trench (11) is filled with conductive or semi-conductive material (13). A doping region (15) for threshold voltage adjustment is provided in the via material in the surface of the inner trench wall between insulating material (12) and the material (10′) in the via. There are contacts (17′, 17″) to the via on opposite sides of the substrate, and a contact (18) to the conductive material (13) in the trench (11) so as to enable the application of a voltage to the conductive material (13).

摘要翻译： 一种用于连接衬底的相对侧上的部件的衬底通电连接（10）及其制造方法。 连接包括由衬底材料（10'）制成的衬底通孔。 设置有围绕通孔设置的沟槽（11），沟槽的壁涂覆有绝缘材料层（12），并且沟槽（11）填充有导电或半导体材料（13）。 用于阈值电压调整的掺杂区域（15）在通孔材料中提供在绝缘材料（12）和通孔中的材料（10'）之间的内沟槽壁的表面中。 在基板的相对侧上具有与通孔相接的触点（17'，17“），以及与沟槽（11）中的导电材料（13）的触点（18），以便能够施加电压 导电材料（13）。

公开(公告)号：US09249009B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US14112403

申请日：2012-04-19

申请人： Ulf Erlesand

发明人： Ulf Erlesand

IPC分类号： H01L21/04 ,  B81B3/00 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B3/0086 ,  B81C1/00222 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A substrate-through electrical connection (10) for connecting components on opposite sides of a substrate, and a method for making same. The connection includes a substrate-through via made from substrate material (10′). There is a trench (11) provided surrounding the via, the walls of the trench being coated with a layer of insulating material (12) and the trench (11) is filled with conductive or semi-conductive material (13). A doping region (15) for threshold voltage adjustment is provided in the via material in the surface of the inner trench wall between insulating material (12) and the material (10′) in the via. There are contacts (17′, 17″) to the via on opposite sides of the substrate, and a contact (18) to the conductive material (13) in the trench (11) so as to enable the application of a voltage to the conductive material (13).

摘要翻译： 一种用于连接衬底的相对侧上的部件的衬底通电连接（10）及其制造方法。 连接包括由衬底材料（10'）制成的衬底通孔。 设置有围绕通孔设置的沟槽（11），沟槽的壁涂覆有绝缘材料层（12），沟槽（11）填充有导电或半导体材料（13）。 用于阈值电压调整的掺杂区域（15）在通孔材料中提供在绝缘材料（12）和通孔中的材料（10'）之间的内沟槽壁的表面中。 在衬底的相对侧上具有与通孔相接的触点（17'，17“），以及与沟槽（11）中的导电材料（13）的触点（18），以便能够向 导电材料（13）。