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公开(公告)号：US08306086B2
公开(公告)日：2012-11-06
申请号：US13397595
申请日：2012-02-15
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： A process for fabricating AlGaInN-based photonic devices, such as lasers, capable of emitting blue light employs etching to form device waveguides and mirrors, preferably using a temperature of over 500° C. and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE.
摘要翻译： 用于制造能够发射蓝光的基于AlGaInN的光子器件（例如激光器）的工艺采用蚀刻法，在CAIBE中优选使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来形成器件波导和反射镜。
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公开(公告)号：US20120149141A1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：US13397612
申请日：2012-02-15
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： A process for fabricating AlGaInN-based photonic devices, such as lasers, capable of emitting blue light employs dry etching to form device waveguides and mirrors. The dry etching is preferably performed using a Chemically Assisted Ion Beam Etching (CAIBE) system.
摘要翻译： 用于制造能够发射蓝光的基于AlGaInN的光子器件（例如激光器）的工艺采用干蚀刻来形成器件波导和反射镜。 干蚀刻优选使用化学辅助离子束蚀刻（CAIBE）系统进行。
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公开(公告)号：US20120142123A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：US13397595
申请日：2012-02-15
CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： A process for fabricating AlGaInN-based photonic devices, such as lasers, capable of emitting blue light employs etching to form device waveguides and mirrors, preferably using a temperature of over 500° C. and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE.
摘要翻译： 用于制造能够发射蓝光的基于AlGaInN的光子器件（例如激光器）的工艺采用蚀刻法，在CAIBE中优选使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来形成器件波导和反射镜。
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公开(公告)号：US08290013B2
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：US13397612
申请日：2012-02-15
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： A process for fabricating AlGaInN-based photonic devices, such as lasers, capable of emitting blue light employs dry etching to form device waveguides and mirrors. The dry etching is preferably performed using a Chemically Assisted Ion Beam Etching (CAIBE) system.
摘要翻译： 用于制造能够发射蓝光的基于AlGaInN的光子器件（例如激光器）的工艺采用干蚀刻来形成器件波导和反射镜。 干蚀刻优选使用化学辅助离子束蚀刻（CAIBE）系统进行。
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公开(公告)号：US08130806B2
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：US11455636
申请日：2006-06-20
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： A process for fabricating lasers capable of emitting blue light wherein a GaN wafer is etched to form laser waveguides and mirrors using a temperature of over 500° C. and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE.
摘要翻译： 一种用于制造能够发射蓝光的激光的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束蚀刻GaN晶片以形成激光波导和反射镜。
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公开(公告)号：US20060291514A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：US11455636
申请日：2006-06-20
申请人： Alex Behfar , Alfred Schremer , Cristian Stagarescu , Vainateya
发明人： Alex Behfar , Alfred Schremer , Cristian Stagarescu , Vainateya
CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/0203 , H01S5/0262 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： A process for fabricating lasers capable of emitting blue light wherein a GaN wafer is etched to form laser waveguides and mirrors using a temperature of over 500° C. and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE.
摘要翻译： 制造能够发射蓝光的激光的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束蚀刻GaN晶片以形成激光波导和反射镜。
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