公开(公告)号：US08785976B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13639075

申请日：2011-06-21

申请人： Akira Nakajima ,  Sankara Narayanan Ekkanath Madathil ,  Yasunobu Sumida ,  Hiroji Kawai

发明人： Akira Nakajima ,  Sankara Narayanan Ekkanath Madathil ,  Yasunobu Sumida ,  Hiroji Kawai

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66219 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： A low-loss GaN-based semiconductor device is provided.The semiconductor device has the InzGa1-zN layer (where 0≦z

摘要翻译： 提供了一种低损耗GaN基半导体器件。 半导体器件具有InzGa1-zN层（其中0和nlE; z <1），Al x Ga 1-x N层（其中0

公开(公告)号：US20130126942A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13639075

申请日：2011-06-21

申请人： Akira Nakajima ,  Sankara Narayanan Ekkanath Madathil ,  Yasunobu Sumida ,  Hiroji Kawai

发明人： Akira Nakajima ,  Sankara Narayanan Ekkanath Madathil ,  Yasunobu Sumida ,  Hiroji Kawai

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66219 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： A low-loss GaN-based semiconductor device is provided.The semiconductor device has the InzGa1-zN layer (where 0≦z

摘要翻译： 提供了一种低损耗GaN基半导体器件。 半导体器件具有InzGa1-zN层（其中0 @ z <1），Al x Ga 1-x N层（其中0

公开(公告)号：US20120280363A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13389385

申请日：2010-08-17

申请人： Yasunobu Sumida ,  Shoko Hirata ,  Takayuki Inada ,  Shuichi Yagi ,  Hiroji Kawai

发明人： Yasunobu Sumida ,  Shoko Hirata ,  Takayuki Inada ,  Shuichi Yagi ,  Hiroji Kawai

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/04 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66446

摘要： The method for manufacturing a semiconductor device comprises steps of: forming a growth mask with a plurality of openings directly or indirectly upon a substrate that comprises a material differing from GaN-based semiconductor; and growing a plurality of island-like GaN-based semiconductor layers upon the substrate using the growth mask in the (0001) plane orientation in a manner such that the 1-100 direction extends in a direction parallel to the striped openings of the growth mask.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在包括不同于GaN基半导体的材料的衬底上直接或间接地形成具有多个开口的生长掩模; 以及使用所述生长掩模在（0001）面取向中在所述基板上生长多个岛状GaN基半导体层，使得所述1-100方向在与生长掩模的条纹开口平行的方向上延伸 。