公开(公告)号：US20130056837A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13244365

申请日：2011-09-24

申请人： Jin-Aun Ng ,  Maxi Chang ,  Jen-Sheng Yang ,  Ta-Wei Lin ,  Shih-Hao Lo ,  Chih-Yang Yeh ,  Hui-Wen Lin ,  Jung-Hui Kao ,  Yuan-Tien Tu ,  Huan-Just Lin ,  Chih-Tang Peng ,  Pei-Ren Jeng ,  Bao-Ru Young ,  Hak-Lay Chuang

发明人： Jin-Aun Ng ,  Maxi Chang ,  Jen-Sheng Yang ,  Ta-Wei Lin ,  Shih-Hao Lo ,  Chih-Yang Yeh ,  Hui-Wen Lin ,  Jung-Hui Kao ,  Yuan-Tien Tu ,  Huan-Just Lin ,  Chih-Tang Peng ,  Pei-Ren Jeng ,  Bao-Ru Young ,  Hak-Lay Chuang

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28229 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A method of making an integrated circuit includes providing a semiconductor substrate and forming a gate dielectric over the substrate, such as a high-k dielectric. A metal gate structure is formed over the semiconductor substrate and the gate dielectric and a thin dielectric film is formed over that. The thin dielectric film includes oxynitride combined with metal from the metal gate. The method further includes providing an interlayer dielectric (ILD) on either side of the metal gate structure.

摘要翻译： 制造集成电路的方法包括提供半导体衬底并在诸如高k电介质的衬底上形成栅极电介质。 在半导体衬底上形成金属栅极结构，并在其上形成一个薄的电介质膜。 薄介电膜包括从金属栅极与金属组合的氮氧化合物。 该方法还包括在金属栅极结构的两侧提供层间电介质（ILD）。

公开(公告)号：US08222136B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12906868

申请日：2010-10-18

申请人： Yuan-Tien Tu ,  Tsai-Chun Li ,  Huan-Just Lin ,  Shih-Chang Chen

发明人： Yuan-Tien Tu ,  Tsai-Chun Li ,  Huan-Just Lin ,  Shih-Chang Chen

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76816

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming a layer over a substrate. The method includes forming a first opening in the layer that exposes a first region of the substrate. The method includes removing a first oxidation layer formed over the first region through a first sputtering process. The method includes filling the first opening with a conductive material. The method includes forming a second opening in the layer that exposes a second region of the substrate, the second region being different from the first region. The method includes removing a second oxidation layer formed over the second region through a second sputtering process. One of the first and second sputtering processes is more powerful than the other.

摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成层。 所述方法包括在所述层中形成暴露所述衬底的第一区域的第一开口。 该方法包括通过第一溅射工艺去除在第一区域上形成的第一氧化层。 该方法包括用导电材料填充第一开口。 所述方法包括在所述层中形成暴露所述衬底的第二区域的第二开口，所述第二区域不同于所述第一区域。 该方法包括通过第二溅射工艺除去在第二区域上形成的第二氧化层。 第一和第二溅射工艺之一比另一个更强大。

公开(公告)号：US20120094485A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12906868

申请日：2010-10-18

申请人： Yuan-Tien Tu ,  Tsai-Chun Li ,  Huan-Just Lin ,  Shih-Chang Chen

发明人： Yuan-Tien Tu ,  Tsai-Chun Li ,  Huan-Just Lin ,  Shih-Chang Chen

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76816

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming a layer over a substrate. The method includes forming a first opening in the layer that exposes a first region of the substrate. The method includes removing a first oxidation layer formed over the first region through a first sputtering process. The method includes filling the first opening with a conductive material. The method includes forming a second opening in the layer that exposes a second region of the substrate, the second region being different from the first region. The method includes removing a second oxidation layer formed over the second region through a second sputtering process. One of the first and second sputtering processes is more powerful than the other.

摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成层。 所述方法包括在所述层中形成暴露所述衬底的第一区域的第一开口。 该方法包括通过第一溅射工艺去除在第一区域上形成的第一氧化层。 该方法包括用导电材料填充第一开口。 所述方法包括在所述层中形成暴露所述衬底的第二区域的第二开口，所述第二区域不同于所述第一区域。 该方法包括通过第二溅射工艺除去在第二区域上形成的第二氧化层。 第一和第二溅射工艺之一比另一个更强大。

公开(公告)号：US08822283B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13244365

申请日：2011-09-24

申请人： Jin-Aun Ng ,  Maxi Chang ,  Jen-Sheng Yang ,  Ta-Wei Lin ,  Shih-Hao Lo ,  Chih-Yang Yeh ,  Hui-Wen Lin ,  Jung-Hui Kao ,  Yuan-Tien Tu ,  Huan-Just Lin ,  Chih-Tang Peng ,  Pei-Ren Jeng ,  Bao-Ru Young ,  Hak-Lay Chuang

发明人： Jin-Aun Ng ,  Maxi Chang ,  Jen-Sheng Yang ,  Ta-Wei Lin ,  Shih-Hao Lo ,  Chih-Yang Yeh ,  Hui-Wen Lin ,  Jung-Hui Kao ,  Yuan-Tien Tu ,  Huan-Just Lin ,  Chih-Tang Peng ,  Pei-Ren Jeng ,  Bao-Ru Young ,  Hak-Lay Chuang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/28229 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A method of making an integrated circuit includes providing a semiconductor substrate and forming a gate dielectric over the substrate, such as a high-k dielectric. A metal gate structure is formed over the semiconductor substrate and the gate dielectric and a thin dielectric film is formed over that. The thin dielectric film includes oxynitride combined with metal from the metal gate. The method further includes providing an interlayer dielectric (ILD) on either side of the metal gate structure.

摘要翻译： 制造集成电路的方法包括提供半导体衬底并在诸如高k电介质的衬底上形成栅极电介质。 在半导体衬底上形成金属栅极结构，并在其上形成一个薄的电介质膜。 薄介电膜包括从金属栅极与金属组合的氮氧化合物。 该方法还包括在金属栅极结构的两侧提供层间电介质（ILD）。