公开(公告)号：US07276797B2

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US11284981

申请日：2005-11-21

申请人： Zhang Fan ,  Zhang Bei Chao ,  Liu Wuping ,  Chok Kho Liep ,  Hsia Liang Choo ,  Lim Yeow Kheng ,  Alan Cuthbertson ,  Tan Juan Boon

发明人： Zhang Fan ,  Zhang Bei Chao ,  Liu Wuping ,  Chok Kho Liep ,  Hsia Liang Choo ,  Lim Yeow Kheng ,  Alan Cuthbertson ,  Tan Juan Boon

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/53223 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure and method for an improved a bond pad structure. A top wiring layer and a top dielectric (IMD) layer over a semiconductor structure are provided. The buffer dielectric layer is formed over the top wiring layer and the top dielectric (IMD) layer. A buffer opening is formed in the buffer dielectric layer exposing at least of portion of the top wiring layer. A barrier layer is formed over the buffer dielectric layer, and the top wiring layer in the buffer opening. A conductive buffer layer is formed over the barrier layer. The conductive buffer layer is planarized to form a buffer pad in the buffer opening. A passivation layer is formed over the buffer pad and the buffer dielectric layer. A bond pad opening is formed in the passivation layer over at least a portion of the buffer pad. A bond pad support layer is formed over the buffer pad and the buffer dielectric layer. A bond pad layer is formed over the bond pad support layer. The bond pad layer and the bond pad support layer are patterned to form a bond pad and bond pad support.

摘要翻译： 一种改进接合焊盘结构的结构和方法。 提供半导体结构上的顶部布线层和顶部电介质（IMD）层。 缓冲电介质层形成在顶部布线层和顶部电介质（IMD）层上。 在缓冲电介质层中形成缓冲开口，露出至少部分顶部布线层。 在缓冲介质层上形成阻挡层，缓冲开口中形成顶部布线层。 导电缓冲层形成在阻挡层上。 导电缓冲层被平坦化以在缓冲开口中形成缓冲垫。 在缓冲垫和缓冲电介质层之上形成钝化层。 在缓冲垫的至少一部分上的钝化层中形成接合焊盘开口。 在缓冲垫和缓冲电介质层上形成接合焊盘支撑层。 接合焊盘层形成在接合焊盘支撑层上。 将接合焊盘层和接合焊盘支撑层图案化以形成接合焊盘和接合焊盘支撑。

公开(公告)号：US06998335B2

公开(公告)日：2006-02-14

申请号：US10735117

申请日：2003-12-13

申请人： Zhang Fan ,  Zhang Bei Chao ,  Liu Wuping ,  Chok Kho Liep ,  Hsia Liang Choo ,  Lim Yeow Kheng ,  Alan Cuthbertson ,  Tan Juan Boon

发明人： Zhang Fan ,  Zhang Bei Chao ,  Liu Wuping ,  Chok Kho Liep ,  Hsia Liang Choo ,  Lim Yeow Kheng ,  Alan Cuthbertson ,  Tan Juan Boon

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/53223 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure and method for an improved a bond pad structure. We provide a top wiring layer and a top dielectric (IMD) layer over a semiconductor structure. The buffer dielectric layer is formed over the top wiring layer and the top dielectric (IMD) layer. We form a buffer opening in the buffer dielectric layer exposing at least of portion of the top wiring layer. We form a barrier layer over the buffer dielectric layer, and the top wiring layer in the buffer opening. A conductive buffer layer is formed over the barrier layer. We planarize the conductive buffer layer to form a buffer pad in the buffer opening. We form a passivation layer over the buffer pad and the buffer dielectric layer. We form a bond pad opening in the passivation layer over at least a portion of the buffer pad. We form a bond pad support layer over the buffer pad and the buffer dielectric layer. We form a bond pad layer over the a bond pad support layer. The bond pad layer and the bond pad support layer are patterned to form a bond pad and bond pad support.

摘要翻译： 一种改进接合焊盘结构的结构和方法。 我们在半导体结构上提供顶部布线层和顶部电介质（IMD）层。 缓冲电介质层形成在顶部布线层和顶部电介质（IMD）层上。 我们在缓冲介电层中形成缓冲开口，露出至少部分顶部布线层。 我们在缓冲介质层上形成阻挡层，缓冲开口中形成顶部布线层。 导电缓冲层形成在阻挡层上。 我们平面化导电缓冲层以在缓冲开口中形成缓冲垫。 我们在缓冲垫和缓冲电介质层上形成钝化层。 我们在缓冲垫的至少一部分上在钝化层中形成接合焊盘开口。 我们在缓冲垫和缓冲电介质层上形成接合焊盘支撑层。 我们在接合垫支撑层上形成接合垫层。 将接合焊盘层和接合焊盘支撑层图案化以形成接合焊盘和接合焊盘支撑。