公开(公告)号：US20020076939A1

公开(公告)日：2002-06-20

申请号：US09968342

申请日：2001-09-28

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： Zhuang Li ,  Tzuyuan Yiin ,  Lung-Tien Han ,  Kent Rossman

IPC分类号： H01L021/20 ,  H01L021/36 ,  C23C016/00

CPC分类号： C23C16/466 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  C30B25/10 ,  H01J37/32935

摘要： Method for processing gallium arsenide (GaAs) wafers is provided. One embodiment of the invention provides a method for processing a substrate comprising disposing the substrate on a substrate support member in a high density plasma chemical vapor deposition chamber, depositing a film onto a surface of the substrate, and after deposition of the film, flowing a heat transfer gas in one or more channels on a substrate support surface of the substrate support member.

摘要翻译： 提供了处理砷化镓（GaAs）晶片的方法。 本发明的一个实施方案提供了一种用于处理衬底的方法，包括将衬底设置在高密度等离子体化学气相沉积室中的衬底支撑构件上，在衬底的表面上沉积膜，并且在沉积膜之后， 在衬底支撑构件的衬底支撑表面上的一个或多个通道中的传热气体。