公开(公告)号：US09168614B2

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：US13967689

申请日：2013-08-15

申请人： ASAHI GLASS CO., LTD.

发明人： Christian Schmidt ,  Leander Dittmann ,  Adrien Chaize ,  Svend Hoyer

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B26F1/28 ,  H03K3/537 ,  B23K26/06 ,  B23K26/14 ,  B23K26/18 ,  B23K26/30 ,  C03C23/00 ,  H01L31/049

CPC分类号： B23K26/382 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/1423 ,  B23K26/18 ,  B23K26/348 ,  B23K26/386 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K26/50 ,  B23K26/702 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/52 ,  B26F1/28 ,  C03C23/0025 ,  H03K3/537 ,  Y10T428/24273

摘要： A method of generating a hole or well in an electrically insulating or semiconducting substrate, a hole or well in a substrate generated by this method, and an array of holes or wells in a substrate generated by the method.

摘要翻译： 在电绝缘或半导体衬底中产生孔或阱的方法，通过该方法产生的衬底中的孔或阱以及通过该方法生成的衬底中的孔或阱的阵列。

公开(公告)号：US20130330506A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13967689

申请日：2013-08-15

申请人： ASAHI GLASS CO., LTD.

发明人： Christian Schmidt ,  Leander Dittmann ,  Adrien Chaize ,  Svend Hoyer

IPC分类号： B23K26/38 ,  H01L31/048 ,  B23K26/42

CPC分类号： B23K26/382 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/1423 ,  B23K26/18 ,  B23K26/348 ,  B23K26/386 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K26/50 ,  B23K26/702 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/52 ,  B26F1/28 ,  C03C23/0025 ,  H03K3/537 ,  Y10T428/24273

摘要： A method of generating a hole or well in an electrically insulating or semiconducting substrate, a hole or well in a substrate generated by this method, and an array of holes or wells in a substrate generated by the method.

摘要翻译： 在电绝缘或半导体衬底中产生孔或阱的方法，通过该方法产生的衬底中的孔或阱以及通过该方法产生的衬底中的孔或阱的阵列。