公开(公告)号：US20150017348A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：US14311154

申请日：2014-06-20

Applicant: ASM INTERNATIONAL N.V.

Inventor： Sean T. Barry ,  Yamile A.M. Wasslen ,  Antti H. Rahtu

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/513 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/18 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/513

Abstract: Atomic layer deposition (ALD) type processes for producing metal containing thin films comprise feeding into a reaction space vapor phase pulses of metal containing cyclopentadienyl precursors as a metal source material. In preferred embodiments the metal containing cyclopentadienyl reactant comprises a metal atom that is not directly bonded to an oxygen or halide atom. In other embodiments the metal atom is bonded to a cyclopentadienyl compound and separately bonded to at least one ligand via a nitrogen atom. In still other embodiments the metal containing cyclopentadienyl compound comprises a nitrogen-bridged ligand.

Abstract translation: 用于制备含金属薄膜的原子层沉积（ALD）型方法包括将含有环戊二烯基前体的金属脉冲作为金属源材料进料到反应空间中。 在优选的实施方案中，含金属环戊二烯基反应物的金属原子不直接键合到氧或卤素原子上。 在其它实施方案中，金属原子键合到环戊二烯基化合物上，并通过氮原子分别与至少一个配体结合。 在其它实施方案中，含有环戊二烯基化合物的金属包含氮桥连配体。