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    PRECURSORS AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TRANSITION METAL OXIDES
    3.
    发明申请
    PRECURSORS AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TRANSITION METAL OXIDES 审中-公开
    过渡金属氧化物原子层沉积的前兆和方法

    公开(公告)号：US20150191817A1

    公开(公告)日：2015-07-09

    申请号：US14629333

    申请日：2015-02-23

    Applicant: ASM International N.V.

    Inventor： Timo Hatanpaa ,  Jaakko Niinisto ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Suvi Haukka

    IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C01G25/02 ,  C01G23/07 ,  C01G27/02

    CPC classification number: C23C16/405 ,  C01G23/07 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01P2006/40 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45553

    Abstract: Methods are provided herein for forming transition metal oxide thin films, preferably Group IVB metal oxide thin films, by atomic layer deposition. The metal oxide thin films can be deposited at high temperatures using metalorganic reactants. Metalorganic reactants comprising two ligands, at least one of which is a cycloheptatriene or cycloheptatrienyl (CHT) ligand are used in some embodiments. The metal oxide thin films can be used, for example, as dielectric oxides in transistors, flash devices, capacitors, integrated circuits, and other semiconductor applications.

    Abstract translation: 本文提供了通过原子层沉积形成过渡金属氧化物薄膜，优选IVB族金属氧化物薄膜的方法。 金属氧化物薄膜可以使用金属有机反应物在高温下沉积。 在一些实施方案中使用包含两种配体的金属有机反应物，其中至少一种是环庚三烯或环庚三烯（CHT）配体。 金属氧化物薄膜可以用作例如晶体管，闪光器件，电容器，集成电路和其它半导体应用中的电介质氧化物。

    SYNTHESIS AND USE OF PRECURSORS FOR ALD OF TELLURIUM AND SELENIUM THIN FILMS
    8.
    发明申请
    SYNTHESIS AND USE OF PRECURSORS FOR ALD OF TELLURIUM AND SELENIUM THIN FILMS 有权
    前驱体与磷酸铁薄膜的合成和使用

    公开(公告)号：US20160031919A1

    公开(公告)日：2016-02-04

    申请号：US14882083

    申请日：2015-10-13

    Applicant: ASM INTERNATIONAL N.V.

    Inventor： Viljami Pore ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

    IPC: C07F11/00

    CPC classification number: C07F11/005 ,  C23C16/306 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/0262 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  Y02P20/582

    Abstract: Atomic layer deposition (ALD) processes for forming Te-containing thin films, such as Sb—Te, Ge—Te, Ge—Sb—Te, Bi—Te, and Zn—Te thin films are provided. ALD processes are also provided for forming Se-containing thin films, such as Sb—Se, Ge—Se, Ge—Sb—Se, Bi—Se, and Zn—Se thin films are also provided. Te and Se precursors of the formula (Te,Se)(SiR1R2R3)2 are preferably used, wherein R1, R2, and R3 are alkyl groups. Methods are also provided for synthesizing these Te and Se precursors. Methods are also provided for using the Te and Se thin films in phase change memory devices.

    Abstract translation: 提供了用于形成诸如Sb-Te，Ge-Te，Ge-Sb-Te，Bi-Te和Zn-Te薄膜的Te含量薄膜的原子层沉积（ALD）工艺。 还提供了用于形成含Se的薄膜的ALD工艺，例如Sb-Se，Ge-Se，Ge-Sb-Se，Bi-Se和Zn-Se薄膜。 优选使用式（Te，Se）（SiR 1 R 2 R 3）2的Te和Se前体，其中R 1，R 2和R 3是烷基。 还提供了用于合成这些Te和Se前体的方法。 还提供了在相变存储器件中使用Te和Se薄膜的方法。

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