公开(公告)号：US09122352B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US14535334

申请日：2014-11-07

Applicant: AU Optronics Corp.

Inventor： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Hung-Wei Tseng ,  Cheng-Chiu Pai ,  Yu-Hsuan Li ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC: G06F3/042 ,  H01L31/028 ,  G06F3/041 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L27/146

CPC classification number: G06F3/0421 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04109 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/028 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202

Abstract: A method of forming a photo sensor includes the following steps. A substrate is provided, and a first electrode is formed on the substrate. A first silicon-rich dielectric layer is formed on the first electrode for sensing an infrared ray, wherein the first silicon-rich dielectric layer comprises a silicon-rich oxide layer, a silicon-rich nitride layer, or a silicon-rich oxynitride layer. A second silicon-rich dielectric layer is formed on the first silicon-rich dielectric layer for sensing visible light beams, wherein the second silicon-rich dielectric layer comprises a silicon-rich oxide layer, a silicon-rich nitride layer, or a silicon-rich oxynitride layer. A second electrode is formed on the second silicon-rich dielectric layer.

Abstract translation: 一种形成光传感器的方法包括以下步骤。 提供基板，并且在基板上形成第一电极。 第一富硅介电层形成在用于感测红外线的第一电极上，其中第一富硅介电层包括富硅氧化物层，富硅氮化物层或富硅氧氮化物层。 在第一富硅电介质层上形成第二富硅介电层，用于感测可见光束，其中第二富硅介电层包括富硅氧化物层，富硅氮化物层或硅 - 富氮氧化物层。 第二电极形成在第二富硅电介质层上。

公开(公告)号：US20150062088A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：US14535334

申请日：2014-11-07

Applicant: AU Optronics Corp.

Inventor： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Hung-Wei Tseng ,  Cheng-Chiu Pai ,  Yu-Hsuan Li ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC: G06F3/042 ,  G06F3/041 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: G06F3/0421 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04109 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/028 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202

Abstract: A method of forming a photo sensor includes the following steps. A substrate is provided, and a first electrode is formed on the substrate. A first silicon-rich dielectric layer is formed on the first electrode for sensing an infrared ray, wherein the first silicon-rich dielectric layer comprises a silicon-rich oxide layer, a silicon-rich nitride layer, or a silicon-rich oxynitride layer. A second silicon-rich dielectric layer is formed on the first silicon-rich dielectric layer for sensing visible light beams, wherein the second silicon-rich dielectric layer comprises a silicon-rich oxide layer, a silicon-rich nitride layer, or a silicon-rich oxynitride layer. A second electrode is formed on the second silicon-rich dielectric layer.

Abstract translation: 一种形成光传感器的方法包括以下步骤。 提供基板，并且在基板上形成第一电极。 第一富硅介电层形成在用于感测红外线的第一电极上，其中第一富硅介电层包括富硅氧化物层，富硅氮化物层或富硅氧氮化物层。 在第一富硅电介质层上形成第二富硅介电层，用于感测可见光束，其中第二富硅介电层包括富硅氧化物层，富硅氮化物层或硅 - 富氮氧化物层。 第二电极形成在第二富硅电介质层上。