公开(公告)号：US08062919B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US11837222

申请日：2007-08-10

申请人： Alyssa B. Apsel ,  Anand M. Pappu ,  Cheng Po Chen ,  Tao Yin

发明人： Alyssa B. Apsel ,  Anand M. Pappu ,  Cheng Po Chen ,  Tao Yin

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H03F3/087 ,  H01L27/14 ,  H03F1/08 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/50 ,  H03F2200/405 ,  H03F2203/45136 ,  H03F2203/5018 ,  H03F2203/5031 ,  H03K17/78

摘要： An integrated circuit, and method for manufacturing the integrated circuit, where the integrated circuit can include a phototransistor comprising a base having a SiGe base layer of a predetermined germanium composition and a thickness of more than 65 nm and less than about 90 nm. The integrated circuit can further include a transimpedance amplifier (TIA) receiving an output from the phototransistor. The phototransistor and the TIA can be built on a silicon substrate.

摘要翻译： 一种用于制造集成电路的集成电路和方法，其中集成电路可以包括光电晶体管，该光电晶体管包括具有预定锗组合物的SiGe基层和大于65nm且小于约90nm的厚度的基极。 集成电路还可以包括接收来自光电晶体管的输出的跨阻抗放大器（TIA）。 光电晶体管和TIA可以构建在硅衬底上。