公开(公告)号：US20140273515A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14211156

申请日：2014-03-14

Applicant: Applied Materials, Inc.

Inventor： AVGERINOS V. GELATOS ,  SRINIVAS GANDIKOTA ,  SESHADRI GANGULI ,  XINYU FU ,  BO ZHENG ,  YU LEI

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/6723 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966

Abstract: Embodiments of an integrated platform for fabricating n-type metal oxide semiconductor (NMOS) devices are provided herein. In some embodiments, an integrated platform for fabricating n-type metal oxide semiconductor (NMOS) devices may include a first deposition chamber configured to deposit a first layer atop the substrate, the first layer comprising titanium oxide (TiO2) or selenium (Se); a second deposition chamber configured to deposit a second layer atop the first layer, the second layer comprising titanium; a third deposition chamber configured to deposit a third layer atop the second layer, the third layer comprising one of titanium nitride (TiN) or tungsten nitride (WN).

Abstract translation: 本文提供了用于制造n型金属氧化物半导体（NMOS）器件的集成平台的实施例。 在一些实施例中，用于制造n型金属氧化物半导体（NMOS）器件的集成平台可以包括第一沉积室，其被配置为在衬底顶部沉积第一层，第一层包含氧化钛（TiO 2）或硒（Se）; 第二沉积室，被配置为在所述第一层顶部沉积第二层，所述第二层包含钛; 第三沉积室，被配置为在所述第二层顶部沉积第三层，所述第三层包括氮化钛（TiN）或氮化钨（WN）之一。