公开(公告)号：US20150064914A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：US14474841

申请日：2014-09-02

Applicant: Applied Materials, Inc.

Inventor： Byungkook KONG ,  Jun Wan KIM ,  Wonmo AHN ,  Jeong Hyun YOO ,  Hun Sang KIM

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/6831

Abstract: In one embodiment, a method is proposed for etching a boron dope hardmask layer. The method includes flowing a process gas comprising at least CH4 into a processing chamber. Forming a plasma in the process chamber from the process gas and etching the boron doped hardmask layer in the presence of the plasma. In other embodiments, the process gas utilized to etch the boron doped hardmask layer includes CH4, Cl2, SF6 and O2.

Abstract translation: 在一个实施例中，提出了一种用于蚀刻硼掺杂硬掩模层的方法。 该方法包括使包含至少CH 4的处理气体流入处理室。 在处理气体中形成等离子体，并在等离子体存在下蚀刻硼掺杂的硬掩模层。 在其他实施方案中，用于蚀刻硼掺杂的硬掩模层的工艺气体包括CH 4，Cl 2，SF 6和O 2。