公开(公告)号：US20120214310A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13029824

申请日：2011-02-17

申请人： Ben-Li Sheu ,  Rajinder Dhindsa ,  Vinay Pohray ,  Eric A. Husdon ,  Andrew D. Bailey, III

发明人： Ben-Li Sheu ,  Rajinder Dhindsa ,  Vinay Pohray ,  Eric A. Husdon ,  Andrew D. Bailey, III

IPC分类号： H01L21/311 ,  C23F1/08

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31144

摘要： A method for etching features in an etch layer. A conditioning for a patterned pseudo-hardmask of amorphous carbon or polysilicon disposed over the etch layer is provided, where the conditioning comprises providing a fluorine free deposition gas comprising a hydrocarbon gas, forming a plasma from the fluorine free deposition gas, providing a bias less than 500 volts, and forming a deposition on top of the patterned pseudo-hardmask. The etch layer is etched through the patterned pseudo-hardmask.

摘要翻译： 一种用于蚀刻蚀刻层中的特征的方法。 提供了一种用于设置在蚀刻层上的非晶碳或多晶硅的图案化伪硬掩模的调理，其中调节包括提供包含烃气体的无氟沉积气体，从无氟沉积气体形成等离子体， 超过500伏，并且在图案化伪硬掩模的顶部上形成沉积物。 蚀刻层通过图案化伪硬掩模进行蚀刻。

公开(公告)号：US08304262B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US13029824

申请日：2011-02-17

申请人： Ben-Li Sheu ,  Rajinder Dhindsa ,  Vinay Pohray ,  Eric A. Hudson ,  Andrew D. Bailey, III

发明人： Ben-Li Sheu ,  Rajinder Dhindsa ,  Vinay Pohray ,  Eric A. Hudson ,  Andrew D. Bailey, III

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31144

摘要： A method for etching features in an etch layer. A conditioning for a patterned pseudo-hardmask of amorphous carbon or polysilicon disposed over the etch layer is provided, where the conditioning comprises providing a fluorine free deposition gas comprising a hydrocarbon gas, forming a plasma from the fluorine free deposition gas, providing a bias less than 500 volts, and forming a deposition on top of the patterned pseudo-hardmask. The etch layer is etched through the patterned pseudo-hardmask.

摘要翻译： 一种用于蚀刻蚀刻层中的特征的方法。 提供了一种用于设置在蚀刻层上的非晶碳或多晶硅的图案化伪硬掩模的调理，其中调节包括提供包含烃气体的无氟沉积气体，从无氟沉积气体形成等离子体， 超过500伏，并且在图案化伪硬掩模的顶部上形成沉积物。 蚀刻层通过图案化伪硬掩模进行蚀刻。

公开(公告)号：US08329585B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12620335

申请日：2009-11-17

申请人： Ben-Li Sheu ,  Martin Shim ,  Jonathan Kim

发明人： Ben-Li Sheu ,  Martin Shim ,  Jonathan Kim

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01J37/32935 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/0338

摘要： A method for reducing line width roughness (LWR) of a feature in an etch layer below a patterned photoresist mask having mask features is provided. The method includes (a) non-etching plasma pre-etch treatment of the photoresist mask, and (b) etching of a feature in the etch layer through the pre-treated photoresist mask using an etching gas. The non-etching plasma pre-etch treatment includes (a1) providing a treatment gas containing H2 and COS, (a2) forming a plasma from the treatment gas, and (a3) stopping the treatment gas.

摘要翻译： 提供了一种用于减少具有掩模特征的图案化光刻胶掩模下方的蚀刻层中的特征的线宽粗糙度（LWR）的方法。 该方法包括（a）对光致抗蚀剂掩模的非蚀刻等离子体预蚀刻处理，以及（b）使用蚀刻气体通过预处理的光致抗蚀剂掩模蚀刻蚀刻层中的特征。 非蚀刻等离子体预蚀刻处理包括（a1）提供含有H 2和COS的处理气体，（a2）从处理气体形成等离子体，（a3）停止处理气体。

公开(公告)号：US20140220772A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：US14169937

申请日：2014-01-31

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Ben-Li Sheu ,  Guodan Wei ,  Nicole Lundy ,  Paul F. Ma

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Ben-Li Sheu ,  Guodan Wei ,  Nicole Lundy ,  Paul F. Ma

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76856 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Described are methods for controlling the doping of metal nitride films such as TaN, TiN and MnN. The temperature during deposition of the metal nitride film may be controlled to provide a film density that permits a desired amount of doping. Dopants may include Ru, Cu, Co, Mn, Mo, Al, Mg, Cr, Nb, Ta, Ti and V. The metal nitride film may optionally be exposed to plasma treatment after doping.

摘要翻译： 描述了用于控制诸如TaN，TiN和MnN的金属氮化物膜的掺杂的方法。 可以控制沉积金属氮化物膜期间的温度以提供允许期望量的掺杂的膜密度。 掺杂剂可以包括Ru，Cu，Co，Mn，Mo，Al，Mg，Cr，Nb，Ta，Ti和V.金属氮化物膜可以任选地在掺杂后暴露于等离子体处理。