公开(公告)号：US08642376B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US13470768

申请日：2012-05-14

申请人： Sukti Chatterjee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Joe Griffith Cruz ,  Pravin K. Narwankar

发明人： Sukti Chatterjee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Joe Griffith Cruz ,  Pravin K. Narwankar

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L21/0237 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： Methods for depositing a material atop a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of depositing a material atop a substrate may include exposing a substrate to a silicon containing gas and a reducing gas; increasing a flow rate of the silicon containing gas while decreasing a flow rate of the reducing gas to form a first layer; and depositing a second layer atop the first layer.

摘要翻译： 本文提供了在基板上沉积材料的方法。 在一些实施例中，在衬底上沉积材料的方法可以包括将衬底暴露于含硅气体和还原气体; 增加含硅气体的流量，同时降低还原气体的流速以形成第一层; 以及在所述第一层顶上沉积第二层。

公开(公告)号：US20130292806A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13905932

申请日：2013-05-30

申请人： Paul F. Ma ,  Jennifer Meng Tseng ,  Mei Chang ,  Annamalai Lakshmanan ,  Jing Tang

发明人： Paul F. Ma ,  Jennifer Meng Tseng ,  Mei Chang ,  Annamalai Lakshmanan ,  Jing Tang

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Described are methods of forming a semiconductor device. Certain methods comprises depositing a film comprising manganese nitride over a dielectric; depositing a copper seed layer over the film; and depositing a copper fill layer over the copper seed layer. Also described are semiconductor devices. Certain semiconductor devices comprise a low-k dielectric layer; a manganese nitride layer overlying the low-k dielectric layer; a seed layer selected from a copper seed layer or electrochemical deposition seed layer overlying the manganese nitride layer; a copper layer overlying the copper seed layer.

摘要翻译： 描述了形成半导体器件的方法。 某些方法包括在电介质上沉积包含氮化锰的膜; 在该膜上沉积铜种子层; 以及在铜种子层上沉积铜填充层。 还描述了半导体器件。 某些半导体器件包括低k电介质层; 覆盖低k电介质层的氮化锰层; 选自铜籽晶层或覆盖氮化锰层的电化学沉积种子层的晶种层; 覆铜层的铜层。

公开(公告)号：US20130140698A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13689871

申请日：2012-11-30

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Paul F. Ma ,  Mei Chang ,  Jennifer Shan

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Paul F. Ma ,  Mei Chang ,  Jennifer Shan

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538

摘要： Described are doped TaN films, as well as methods for providing the doped TaN films. Doping TaN films with Ru, Cu, Co, Mn, Al, Mg, Cr, Nb, Ti and/or V allows for enhanced copper barrier properties of the TaN films. Also described are methods of providing films with a first layer comprising doped TaN and a second layer comprising one or more of Ru and Co, with optional doping of the second layer.

摘要翻译： 描述的是掺杂的TaN膜，以及用于提供掺杂的TaN膜的方法。 具有Ru，Cu，Co，Mn，Al，Mg，Cr，Nb，Ti和/或V的掺杂TaN膜允许增强TaN膜的铜阻挡性能。 还描述了提供具有包含掺杂TaN的第一层和包含Ru和Co中的一种或多种的第二层的膜的方法，并且可选地掺杂第二层。

公开(公告)号：US07288205B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US10888626

申请日：2004-07-09

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Albert Lee ,  Ju-Hyung Lee ,  Bok Hoen Kim

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Albert Lee ,  Ju-Hyung Lee ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： C23F1/24

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838

摘要： Methods and apparatus are provided for processing a substrate with a hermetic dielectric layer. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including providing the substrate to a processing chamber, introducing a processing gas comprising a reducing agent, an oxygen containing compound, and an organosilicon compound, into the processing chamber, generating a plasma from a dual frequency RF power source, and depositing a dielectric material comprising silicon, carbon, and oxygen. The dielectric material may be used as an etch stop, an anti-reflective coating, or a passivation layer.

摘要翻译： 提供了用于处理具有密封电介质层的衬底的方法和装置。 一方面，本发明提供一种处理衬底的方法，包括将衬底提供到处理室，将包含还原剂，含氧化合物和有机硅化合物的处理气体引入到处理室中，产生等离子体 双频RF电源，以及沉积包含硅，碳和氧的电介质材料。 电介质材料可以用作蚀刻停止层，抗反射涂层或钝化层。

公开(公告)号：US07229911B2

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：US10929884

申请日：2004-08-30

申请人： Nagarajan Rajagopalan ,  Meiyee Shek ,  Albert Lee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Li-Qun Xia ,  Zhenjiang Cui

发明人： Nagarajan Rajagopalan ,  Meiyee Shek ,  Albert Lee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Li-Qun Xia ,  Zhenjiang Cui

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02211 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods are provided for processing a substrate for depositing an adhesion layer between a conductive material and a dielectric layer. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including positioning a substrate having a conductive material disposed thereon, introducing a reducing compound or a silicon based compound, exposing the conductive material to the reducing compound or the silicon based compound, and depositing a silicon carbide layer without breaking vacuum.

摘要翻译： 提供了用于处理用于在导电材料和电介质层之间沉积粘合层的衬底的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括定位其上布置有导电材料的衬底，引入还原化合物或硅基化合物，将导电材料暴露于还原化合物或硅基化合物，以及沉积 没有破坏真空的碳化硅层。

公开(公告)号：US20080182403A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US12017879

申请日：2008-01-22

申请人： ATIF NOORI ,  Francimar Schmitt ,  Annamalai Lakshmanan ,  Bok Hoen Kim ,  Reza Arghavani

发明人： ATIF NOORI ,  Francimar Schmitt ,  Annamalai Lakshmanan ,  Bok Hoen Kim ,  Reza Arghavani

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1036

摘要： Embodiments of the invention generally provide a method of forming an air gap between conductive elements of a semiconductor device, wherein the air gap has a dielectric constant of approximately 1. The air gap may generally be formed by depositing a sacrificial material between the respective conductive elements, depositing a porous layer over the conductive elements and the sacrificial material, and then stripping the sacrificial material out of the space between the respective conductive elements through the porous layer, which leaves an air gap between the respective conductive elements. The sacrificial material may be, for example, a polymerized alpha terpinene layer, the porous layer may be, for example, a porous carbon doped oxide layer, and the stripping process may utilize a UV based curing process, for example.

摘要翻译： 本发明的实施例通常提供了在半导体器件的导电元件之间形成空气间隙的方法，其中气隙的介电常数约为1.气隙通常可以通过在相应的导电元件之间沉积牺牲材料而形成 在导电元件和牺牲材料之上沉积多孔层，然后通过多孔层将牺牲材料从相应的导电元件之间的空间中剥离，该多孔层留下各导电元件之间的气隙。 牺牲材料可以是例如聚合的α萜品烯层，多孔层可以是例如多孔碳掺杂的氧化物层，并且剥离过程可以使用例如基于UV的固化方法。

公开(公告)号：US07189658B2

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：US11123501

申请日：2005-05-04

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Deenesh Padhi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Zhenjiang David Cui ,  Daemian Raj ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Francimar Schmitt ,  Bok Hoen Kim

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Deenesh Padhi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Zhenjiang David Cui ,  Daemian Raj ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Francimar Schmitt ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/029 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76829 ,  Y10S438/931

摘要： A method of processing a substrate including depositing a transition layer and a dielectric layer on a substrate in a processing chamber are provided. The transition layer is deposited from a processing gas including an organosilicon compound and an oxidizing gas. The flow rate of the organosilicon compound is ramped up during the deposition of the transition layer such that the transition layer has a carbon concentration gradient and an oxygen concentration gradient. The transition layer improves the adhesion of the dielectric layer to an underlying barrier layer on the substrate.

摘要翻译： 提供了一种处理衬底的方法，包括在处理室中的衬底上沉积过渡层和电介质层。 过渡层由包括有机硅化合物和氧化气体的处理气体沉积。 在沉积过渡层期间，有机硅化合物的流速升高，使得过渡层具有碳浓度梯度和氧浓度梯度。 过渡层改善了介电层对基底上的下层阻挡层的粘合性。

公开(公告)号：US20060252273A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11123501

申请日：2005-05-04

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Deenesh Padhi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Zhenjiang Cui ,  Daemian Raj ,  Juan Rocha-Alvarez ,  Francimar Schmitt ,  Bok Kim

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Deenesh Padhi ,  Ganesh Balasubramanian ,  Zhenjiang Cui ,  Daemian Raj ,  Juan Rocha-Alvarez ,  Francimar Schmitt ,  Bok Kim

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/029 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76829 ,  Y10S438/931

摘要： A method of processing a substrate including depositing a transition layer and a dielectric layer on a substrate in a processing chamber are provided. The transition layer is deposited from a processing gas including an organosilicon compound and an oxidizing gas. The flow rate of the organosilicon compound is ramped up during the deposition of the transition layer such that the transition layer has a carbon concentration gradient and an oxygen concentration gradient. The transition layer improves the adhesion of the dielectric layer to an underlying barrier layer on the substrate.

摘要翻译： 提供了一种处理衬底的方法，包括在处理室中的衬底上沉积过渡层和电介质层。 过渡层由包括有机硅化合物和氧化气体的处理气体沉积。 在沉积过渡层期间，有机硅化合物的流速升高，使得过渡层具有碳浓度梯度和氧浓度梯度。 过渡层改善了介电层对基底上的下层阻挡层的粘合性。

公开(公告)号：US20060006140A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US10888626

申请日：2004-07-09

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Albert Lee ,  Ju-Hyung Lee ,  Bok Kim

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Albert Lee ,  Ju-Hyung Lee ,  Bok Kim

IPC分类号： H01L21/302 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838

摘要： Methods and apparatus are provided for processing a substrate with a hermetic dielectric layer. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including providing the substrate to a processing chamber, introducing a processing gas comprising a reducing agent, an oxygen containing compound, and an organosilicon compound, into the processing chamber, generating a plasma from a dual frequency RF power source, and depositing a dielectric material comprising silicon, carbon, and oxygen. The dielectric material may be used as an etch stop, an anti-reflective coating, or a passivation layer.

摘要翻译： 提供了用于处理具有密封电介质层的衬底的方法和装置。 一方面，本发明提供一种处理衬底的方法，包括将衬底提供到处理室，将包含还原剂，含氧化合物和有机硅化合物的处理气体引入到处理室中，产生等离子体 双频RF电源，以及沉积包含硅，碳和氧的电介质材料。 电介质材料可以用作蚀刻停止层，抗反射涂层或钝化层。

公开(公告)号：US20050042889A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10888110

申请日：2004-07-09

申请人： Albert Lee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Bok Kim ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek

发明人： Albert Lee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Bok Kim ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

摘要： Methods and apparatus are provided for processing a substrate with a bilayer barrier layer. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including depositing a nitrogen containing barrier layer on a substrate surface and then depositing a nitrogen free barrier layer thereon. The barrier layer may be deposited over dielectric materials, conductive materials, or both. The bilayer barrier layer may also be used as an etch stop, an anti-reflective coating, or a passivation layer.

摘要翻译： 提供了用于处理具有双层阻挡层的衬底的方法和装置。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底表面上沉积含氮阻挡层，然后在其上沉积无氮阻挡层。 阻挡层可以沉积在电介质材料，导电材料或两者上。 双层阻挡层也可以用作蚀刻停止层，抗反射涂层或钝化层。