公开(公告)号：US20100101448A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12257950

申请日：2008-10-24

申请人： Rebecca A. Sawayda ,  Bentley J. Palmer

发明人： Rebecca A. Sawayda ,  Bentley J. Palmer

IPC分类号： C11D7/60

CPC分类号： C09G1/02

摘要： A slurry for use in a chemical mechanical planarization process for a wafer comprises a chemical portion and a mechanical portion. The chemical portion comprises a surfactant that forms a layer over a metallic layer of the wafer to decreasing dishing to less than an average of 843 Å reduce the static etch rate of the metallic layer. The mechanical portion comprises an abrasive agent to assist in the planarization of the metallic layer of the wafer. In another embodiment, a slurry for polishing a copper layer formed over a first layer is disclosed. The slurry comprises an abrasive agent; and a surfactant comprising at least one non-ionic surfactant to reduce the static etch rate of the copper layer. The shelf life of the slurry exceeds 90 days.

摘要翻译： 用于晶片的化学机械平面化处理的浆料包括化学部分和机械部分。 该化学部分包括在晶片的金属层上形成一层以减少凹陷至小于平均值的表面活性剂，降低金属层的静态蚀刻速率。 机械部分包括研磨剂，以帮助平坦化晶片的金属层。 在另一个实施例中，公开了一种用于抛光在第一层上形成的铜层的浆料。 浆料包含研磨剂; 和包含至少一种非离子表面活性剂的表面活性剂以降低铜层的静态蚀刻速率。 浆料的保存期限超过90天。

公开(公告)号：US20130102153A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13561398

申请日：2012-07-30

申请人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

发明人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： A composition and associated method for chemical mechanical planarization of a metal-containing substrate (e.g., a copper substrate) are described herein which afford high and tunable rates of metal removal as well as low dishing and erosion levels during CMP processing.

摘要翻译： 本文描述了一种用于含金属衬底（例如铜衬底）的化学机械平面化的组合物和相关方法，其在CMP加工期间提供高的和可调的金属去除速率以及低的凹陷和侵蚀水平。

公开(公告)号：US08414789B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US12632111

申请日：2009-12-07

申请人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda ,  Fadi Abdallah Coder ,  Victoria Perez

发明人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda ,  Fadi Abdallah Coder ,  Victoria Perez

IPC分类号： C03C15/00

CPC分类号： H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： A composition and associated method for chemical mechanical planarization of a metal-containing substrate (e.g., a copper substrate) are described herein which afford high and tunable rates of metal removal as well as low within a wafer non-uniformity values and low residue levels remaining after polishing.

摘要翻译： 本文描述了一种用于含金属衬底（例如，铜衬底）的化学机械平坦化的组合物和相关方法，其提供高的和可调谐的金属去除速率，以及在晶片内的非均匀性值和低残留量水平 抛光后。

公开(公告)号：US08697577B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13561398

申请日：2012-07-30

申请人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

发明人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： A composition and associated method for chemical mechanical planarization of a metal-containing substrate (e.g., a copper substrate) are described herein which afford high and tunable rates of metal removal as well as low dishing and erosion levels during CMP processing.

摘要翻译： 本文描述了一种用于含金属衬底（例如铜衬底）的化学机械平面化的组合物和相关方法，其在CMP加工期间提供高的和可调的金属去除速率以及低的凹陷和侵蚀水平。

公开(公告)号：US08506661B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US12257950

申请日：2008-10-24

申请人： Rebecca A. Sawayda ,  Bentley J. Palmer

发明人： Rebecca A. Sawayda ,  Bentley J. Palmer

IPC分类号： B24D3/02 ,  C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02

摘要： A slurry for use in a chemical mechanical planarization process for a wafer comprises a chemical portion and a mechanical portion. The chemical portion comprises a surfactant that forms a layer over a metallic layer of the wafer to decreasing dishing to less than an average of 843 Å reduce the static etch rate of the metallic layer. The mechanical portion comprises an abrasive agent to assist in the planarization of the metallic layer of the wafer. In another embodiment, a slurry for polishing a copper layer formed over a first layer is disclosed. The slurry comprises an abrasive agent; and a surfactant comprising at least one non-ionic surfactant to reduce the static etch rate of the copper layer. The shelf life of the slurry exceeds 90 days.

摘要翻译： 用于晶片的化学机械平面化处理的浆料包括化学部分和机械部分。 该化学部分包括在晶片的金属层上形成一层以减少凹陷至小于平均值的表面活性剂，降低金属层的静态蚀刻速率。 机械部分包括研磨剂，以帮助平坦化晶片的金属层。 在另一个实施例中，公开了一种用于抛光在第一层上形成的铜层的浆料。 浆料包含研磨剂; 和包含至少一种非离子表面活性剂的表面活性剂以降低铜层的静态蚀刻速率。 浆料的保存期限超过90天。

公开(公告)号：US08252688B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12632918

申请日：2009-12-08

申请人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

发明人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： A composition and associated method for chemical mechanical planarization of a metal-containing substrate (e.g., a copper substrate) are described herein which afford high and tunable rates of metal removal as well as low dishing and erosion levels during CMP processing.

摘要翻译： 本文描述了一种用于含金属衬底（例如铜衬底）的化学机械平面化的组合物和相关方法，其在CMP加工期间提供高的和可调的金属去除速率以及低的凹陷和侵蚀水平。

公开(公告)号：US20100167546A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12632918

申请日：2009-12-08

申请人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

发明人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

IPC分类号： H01L21/302 ,  C09K13/06

CPC分类号： H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： A composition and associated method for chemical mechanical planarization of a metal-containing substrate (e.g., a copper substrate) are described herein which afford high and tunable rates of metal removal as well as low dishing and erosion levels during CMP processing.

摘要翻译： 本文描述了一种用于含金属衬底（例如铜衬底）的化学机械平面化的组合物和相关方法，其在CMP加工期间提供高的和可调的金属去除速率以及低的凹陷和侵蚀水平。

公开(公告)号：US20100167545A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12632111

申请日：2009-12-07

申请人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda ,  Fadi Abdallah Coder ,  Victoria Perez

发明人： Xiaobo Shi ,  Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda ,  Fadi Abdallah Coder ,  Victoria Perez

IPC分类号： H01L21/306 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： A composition and associated method for chemical mechanical planarization of a metal-containing substrate (e.g., a copper substrate) are described herein which afford high and tunable rates of metal removal as well as low within a wafer non-uniformity values and low residue levels remaining after polishing.

摘要翻译： 本文描述了一种用于含金属衬底（例如，铜衬底）的化学机械平坦化的组合物和相关方法，其提供高的和可调谐的金属去除速率，以及在晶片内的非均匀性值和低残留量水平 抛光后。

公开(公告)号：US20100081279A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12242002

申请日：2008-09-30

申请人： Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

发明人： Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  C09G1/02 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

摘要： An effective method for forming through-base wafer vias in the fabrication of stacked devices is described. The base wafer can be a silicon wafer in which case the method relates to TSV (through-silicon via) technology. The method affords high removal rates of both silicon and metal (e.g., copper) under appropriate conditions and is tuneable with respect to base wafer material to metal selectivity.

摘要翻译： 描述了在堆叠装置的制造中形成贯穿基底晶片通孔的有效方法。 基底晶片可以是硅晶片，在这种情况下，该方法涉及TSV（穿硅通孔）技术。 该方法在合适的条件下提供了硅和金属（例如铜）的高去除率，并且相对于基底晶片材料可调谐至金属选择性。