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    High voltage component and method for making same
    1.
    发明授权
    High voltage component and method for making same 失效
    高电压元件及其制作方法

    公开(公告)号：US06617661B2

    公开(公告)日：2003-09-09

    申请号：US09485915

    申请日：2000-05-17

    申请人： Hartmut Michel ,  Bernd Bireckoven ,  Dirk Hoheisel ,  Ning Qu

    发明人： Hartmut Michel ,  Bernd Bireckoven ,  Dirk Hoheisel ,  Ning Qu

    IPC分类号： H01L2900

    CPC分类号： H01L29/87 ,  H01L27/04 ,  H01L29/0684

    摘要： A high-voltage component and a method for its manufacture. The component functions to switch currents at high voltages. The component is composed of partial components that are connected in series and are laterally supported on a self-supporting semiconductor wafer. The partial components switch through, for example, at a given voltage applied between a first bridge cathode and an anodic metallization.

    摘要翻译： 高压元件及其制造方法。 该组件用于在高电压下切换电流。 该部件由串联连接并横向支撑在自支撑半导体晶片上的部分部件组成。 部分组件例如通过施加在第一桥式阴极和阳极金属化之间的给定电压来切换。

    Break-over photodiode
    2.
    发明授权
    Break-over photodiode 失效
    断路光电二极管

    公开(公告)号：US5780877A

    公开(公告)日：1998-07-14

    申请号：US795624

    申请日：1997-02-06

    申请人： Bernd Bireckoven ,  Dirk Hoheisel ,  Ning Qu

    发明人： Bernd Bireckoven ,  Dirk Hoheisel ,  Ning Qu

    IPC分类号： H01L29/74 ,  F02P7/03 ,  H01L31/111

    CPC分类号： F02P7/035 ,  H01L31/1113

    摘要： A break-over photodiode, designed as a light-sensitive thyristor, can be stacked using a series connection with a plurality of break-over photodiodes, such stacking representing a high-voltage break-over diode. The break-over photodiode can be triggered by lateral illumination in an edge zone, and includes a gate-layer resistivity under the emitter which is greater in an edge zone of the break-over photodiode than in the central zone of the break-over photodiode. The light sensitivity of the laterally illuminatable break-over photodiode is increased by a greater gate-layer resistivity in the edge zone as compared to the central zone.

    摘要翻译： 设计为感光晶闸管的断路光电二极管可以使用与多个断开光电二极管的串联连接堆叠，这样堆叠代表高压断路二极管。 断路光电二极管可以通过边缘区域中的横向照明来触发，并且在发射极之下包括栅极层电阻率，其在断开光电二极管的边缘区域比在断开光电二极管的中心区域更大 。 与中心区域相比，侧向可照明的断开光电二极管的光敏度在边缘区域中增加了更大的栅极层电阻率。