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公开(公告)号：US08211510B1
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：US11897838
申请日：2007-08-31
IPC分类号： B05D3/06
CPC分类号： H01L21/3105 , C23C14/0652 , C23C16/345 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/0231 , H01L29/7843
摘要： A highly tensile dielectric layer is generated on a heat sensitive substrate while not exceeding thermal budget constraints. Cascaded ultraviolet (UV) irradiation is used to produce highly tensile films to be used, for example, in strained NMOS transistor architectures. Successive UV radiation of equal or shorter wavelengths with variable intensity and duration selectively breaks bonds in the Si—N matrix and minimizes shrinkage and film relaxation. Higher tensile stress than a non-cascaded approach may be obtained.
摘要翻译： 在热敏基材上产生高度拉伸的介电层，而不超过热预算限制。 使用级联紫外（UV）照射来产生例如在应变NMOS晶体管架构中使用的高拉伸膜。 具有可变强度和持续时间的相等或较短波长的连续紫外线辐射选择性地破坏Si-N基体中的键并使收缩和膜弛豫最小化。 可以获得比非级联方法更高的拉伸应力。
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公开(公告)号：US08512818B1
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：US13487051
申请日：2012-06-01
IPC分类号： B05D3/06
CPC分类号： H01L21/3105 , C23C14/0652 , C23C16/345 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/0231 , H01L29/7843
摘要： A highly tensile dielectric layer is generated on a heat sensitive substrate while not exceeding thermal budget constraints. Cascaded ultraviolet (UV) irradiation is used to produce highly tensile films to be used, for example, in strained NMOS transistor architectures. Successive UV radiation of equal or shorter wavelengths with variable intensity and duration selectively breaks bonds in the Si—N matrix and minimizes shrinkage and film relaxation. Higher tensile stress than a non-cascaded approach may be obtained.
摘要翻译： 在热敏基材上产生高度拉伸的介电层，而不超过热预算限制。 使用级联紫外（UV）照射来产生例如在应变NMOS晶体管架构中使用的高拉伸膜。 具有可变强度和持续时间的相等或较短波长的连续紫外线辐射选择性地破坏Si-N基体中的键并使收缩和膜弛豫最小化。 可以获得比非级联方法更高的拉伸应力。
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