公开(公告)号：US20070169337A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11688168

申请日：2007-03-19

申请人： Brian Brusca ,  Joel Forrest ,  Richard Hsiao ,  James Jarratt ,  Brian York

发明人： Brian Brusca ,  Joel Forrest ,  Richard Hsiao ,  James Jarratt ,  Brian York

IPC分类号： G11B5/127 ,  C23C14/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/312 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3153 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/16 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49039 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T428/115 ,  Y10T428/32

摘要： A method for creating a write element of a magnetic head according to one embodiment includes forming a first pole pedestal; forming a write gap layer above the first pole pedestal; forming a second pole pedestal above the write gap layer; and forming at least one of: a cap layer of CoFeON between the first pole pedestal and the write gap, and a seed layer of CoFeON between the write gap layer and the second pole pedestal. Note that other layers may be interspersed between those set forth here.

摘要翻译： 根据一个实施例的用于产生磁头的写入元件的方法包括：形成第一极基座; 在所述第一极基座上形成写间隙层; 在所述写间隙层上方形成第二极基座; 以及在所述第一极基座和所述写间隙之间形成CoFeON的覆盖层和所述写间隙层和所述第二极基座之间的CoFeON晶种层中的至少一个。 注意，其他层可以散布在这里列出的层之间。

公开(公告)号：US20110058279A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12533463

申请日：2009-07-31

申请人： Eric FLINT ,  Joel Forrest ,  Yiping Hsiao ,  Yongjian Sun ,  Qi-Fan Xiao

发明人： Eric FLINT ,  Joel Forrest ,  Yiping Hsiao ,  Yongjian Sun ,  Qi-Fan Xiao

IPC分类号： G11B5/60 ,  C04B35/593 ,  C23C14/32 ,  C23C14/06

CPC分类号： G11B5/255 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6005

摘要： A slider for an information storage system. The slider comprising a single overcoat layer, wherein the layer is deposited onto an ABS of the slider by a filtered cathodic arc process, the layer having a Si/C ratio less than about 10% and a thickness of less than about 15 Å.

摘要翻译： 用于信息存储系统的滑块。 滑块包括单个外涂层，其中该层通过经过滤的阴极电弧工艺沉积到滑块的ABS上，该层具有小于约10％的Si / C比和小于约的厚度。