公开(公告)号：US20060244151A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US10908204

申请日：2005-05-02

申请人： CHEN-HUA YU ,  CHENG-LIN HUANG ,  SHAU-LIN SHUE ,  CHING-HUA HSIEH ,  SHING-CHYANG PAN ,  HSIEN-MING LEE LEE ,  HSUEH-HUNG FU

发明人： CHEN-HUA YU ,  CHENG-LIN HUANG ,  SHAU-LIN SHUE ,  CHING-HUA HSIEH ,  SHING-CHYANG PAN ,  HSIEN-MING LEE LEE ,  HSUEH-HUNG FU

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices having an oblique metal recess for receiving metal during metallization processes are described. In one example, a semiconductor device includes a dielectric layer formed over a conductive pad disposed in a substrate. The conductive pad is etched to include an oblique recess, which interfaces with a metal deposited during a metallization process. Related methods for forming such metal contacts and interconnections for the semiconductor device are also described.

摘要翻译： 描述了在金属化处理期间具有用于接收金属的倾斜金属凹部的半导体器件。 在一个示例中，半导体器件包括在布置在衬底中的导电焊盘上形成的电介质层。 导电焊盘被蚀刻以包括倾斜凹部，其与在金属化过程期间沉积的金属相接触。 还描述了用于形成用于半导体器件的金属触点和互连的相关方法。

公开(公告)号：US20110223735A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13103594

申请日：2011-05-09

申请人： CHEN-HUA YU ,  YU-RUNG HSU ,  CHEN-NAN YEH ,  CHENG-HUNG CHANG

发明人： CHEN-HUA YU ,  YU-RUNG HSU ,  CHEN-NAN YEH ,  CHENG-HUNG CHANG

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/1033 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor fin on a top surface of a substrate, wherein the semiconductor fin includes a middle section having a first width; and a first and a second end section connected to opposite ends of the middle section, wherein the first and the second end sections each comprises at least a top portion having a second width greater than the first width. The semiconductor structure further includes a gate dielectric layer on a top surface and sidewalls of the middle section of the semiconductor fin; and a gate electrode on the gate dielectric layer.

摘要翻译： 半导体结构包括在基板的顶面上的半导体翅片，其中半导体鳍片包括具有第一宽度的中间部分; 以及连接到中间部分的相对端部的第一和第二端部分，其中第一和第二端部部分至少包括具有大于第一宽度的第二宽度的顶部部分。 半导体结构还包括在半导体鳍片的顶表面和中间部分的侧壁上的栅介质层; 以及栅极电介质层上的栅电极。