公开(公告)号：US20140042387A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13615548

申请日：2012-09-13

申请人： Chih-Chung Yang ,  Che-Hao Liao ,  Shao-Ying Ting ,  Horng-Shyang Chen ,  Wen-Ming Chang ,  Yu-Feng Yao ,  Chih-Yen Chen ,  Hao-Tsung Chen

发明人： Chih-Chung Yang ,  Che-Hao Liao ,  Shao-Ying Ting ,  Horng-Shyang Chen ,  Wen-Ming Chang ,  Yu-Feng Yao ,  Chih-Yen Chen ,  Hao-Tsung Chen

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L33/18 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502

摘要： A semiconductor light-emitting device and a manufacturing method thereof are provided, wherein the semiconductor light-emitting device includes a first type doped semiconductor structure, a light-emitting layer, a second type doped semiconductor layer, a first conductive layer and a dielectric layer. The first type doped semiconductor structure includes a base and a plurality of columns extending outward from the base. Each of the columns includes a top surface and a plurality of sidewall surfaces. The light-emitting layer is disposed on the sidewall surfaces and the top surface, wherein the surface area of the light-emitting layer gradually changes from one side adjacent to the columns to a side away from the columns. The dielectric layer exposes the first conductive layer locating on the top surface of each of the columns, wherein the dielectric layer includes at least one of a plurality of quantum dots, phosphors, and metal nanoparticles.

摘要翻译： 提供一种半导体发光器件及其制造方法，其中半导体发光器件包括第一掺杂半导体结构，发光层，第二掺杂半导体层，第一导电层和介电层 。 第一类型掺杂半导体结构包括从基底向外延伸的基部和多个列。 每个柱包括顶表面和多个侧壁表面。 发光层设置在侧壁表面和顶表面上，其中发光层的表面积从与列相邻的一侧逐渐变为远离柱的一侧。 电介质层暴露位于每个列的顶表面上的第一导电层，其中介电层包括多个量子点，磷光体和金属纳米颗粒中的至少一个。

公开(公告)号：US08759814B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13615548

申请日：2012-09-13

申请人： Chih-Chung Yang ,  Che-Hao Liao ,  Shao-Ying Ting ,  Horng-Shyang Chen ,  Wen-Ming Chang ,  Yu-Feng Yao ,  Chih-Yen Chen ,  Hao-Tsung Chen

发明人： Chih-Chung Yang ,  Che-Hao Liao ,  Shao-Ying Ting ,  Horng-Shyang Chen ,  Wen-Ming Chang ,  Yu-Feng Yao ,  Chih-Yen Chen ,  Hao-Tsung Chen

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L33/18 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502

摘要： A semiconductor light-emitting device and a manufacturing method thereof are provided, wherein the semiconductor light-emitting device includes a first type doped semiconductor structure, a light-emitting layer, a second type doped semiconductor layer, a first conductive layer and a dielectric layer. The first type doped semiconductor structure includes a base and a plurality of columns extending outward from the base. Each of the columns includes a top surface and a plurality of sidewall surfaces. The light-emitting layer is disposed on the sidewall surfaces and the top surface, wherein the surface area of the light-emitting layer gradually changes from one side adjacent to the columns to a side away from the columns. The dielectric layer exposes the first conductive layer locating on the top surface of each of the columns, wherein the dielectric layer includes at least one of a plurality of quantum dots, phosphors, and metal nanoparticles.

摘要翻译： 提供一种半导体发光器件及其制造方法，其中半导体发光器件包括第一掺杂半导体结构，发光层，第二掺杂半导体层，第一导电层和介电层 。 第一类型掺杂半导体结构包括从基底向外延伸的基部和多个列。 每个柱包括顶表面和多个侧壁表面。 发光层设置在侧壁表面和顶表面上，其中发光层的表面积从相邻列的一侧逐渐变为离开立柱的一侧。 电介质层暴露位于每个列的顶表面上的第一导电层，其中介电层包括多个量子点，磷光体和金属纳米颗粒中的至少一个。

公开(公告)号：US20130256650A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13481856

申请日：2012-05-27

申请人： Chih-Chung Yang ,  Horng-Shyang Chen ,  Shao-Ying Ting ,  Che-Hao Liao ,  Chih-Yen Chen ,  Chieh Hsieh ,  Hao-Tsung Chen ,  Yu-Feng Yao ,  Dong-Ming Yeh

发明人： Chih-Chung Yang ,  Horng-Shyang Chen ,  Shao-Ying Ting ,  Che-Hao Liao ,  Chih-Yen Chen ,  Chieh Hsieh ,  Hao-Tsung Chen ,  Yu-Feng Yao ,  Dong-Ming Yeh

IPC分类号： H01L33/28 ,  H01L33/34 ,  H01L33/32 ,  H01L33/26

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0091

摘要： A semiconductor device and fabrication method thereof are provided, wherein the fabrication method of the semiconductor device includes the following steps. Forming a semiconductor layer on a substrate, wherein the semiconductor layer has a top surface and a bottom surface that is opposite to the top surface. The bottom surface is in contact with the substrate, and the top surface has a plurality of pits, the pits are extended from the top surface toward the bottom surface. Preparing a solution, wherein the solution includes a plurality of nanoparticles. Filling the nanoparticles into the pits. Forming a conducting layer on the semiconductor layer after filling the nanoparticles into the pits.

摘要翻译： 提供了半导体器件及其制造方法，其中半导体器件的制造方法包括以下步骤。 在基板上形成半导体层，其中半导体层具有与顶表面相对的顶表面和底表面。 底表面与基底接触，并且顶表面具有多个凹坑，凹坑从顶表面向底表面延伸。 制备溶液，其中溶液包括多个纳米颗粒。 将纳米颗粒填充到凹坑中。 在将纳米颗粒填充到凹坑中之后，在半导体层上形成导电层。