公开(公告)号：US20130256650A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13481856

申请日：2012-05-27

申请人： Chih-Chung Yang ,  Horng-Shyang Chen ,  Shao-Ying Ting ,  Che-Hao Liao ,  Chih-Yen Chen ,  Chieh Hsieh ,  Hao-Tsung Chen ,  Yu-Feng Yao ,  Dong-Ming Yeh

发明人： Chih-Chung Yang ,  Horng-Shyang Chen ,  Shao-Ying Ting ,  Che-Hao Liao ,  Chih-Yen Chen ,  Chieh Hsieh ,  Hao-Tsung Chen ,  Yu-Feng Yao ,  Dong-Ming Yeh

IPC分类号： H01L33/28 ,  H01L33/34 ,  H01L33/32 ,  H01L33/26

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0091

摘要： A semiconductor device and fabrication method thereof are provided, wherein the fabrication method of the semiconductor device includes the following steps. Forming a semiconductor layer on a substrate, wherein the semiconductor layer has a top surface and a bottom surface that is opposite to the top surface. The bottom surface is in contact with the substrate, and the top surface has a plurality of pits, the pits are extended from the top surface toward the bottom surface. Preparing a solution, wherein the solution includes a plurality of nanoparticles. Filling the nanoparticles into the pits. Forming a conducting layer on the semiconductor layer after filling the nanoparticles into the pits.

摘要翻译： 提供了半导体器件及其制造方法，其中半导体器件的制造方法包括以下步骤。 在基板上形成半导体层，其中半导体层具有与顶表面相对的顶表面和底表面。 底表面与基底接触，并且顶表面具有多个凹坑，凹坑从顶表面向底表面延伸。 制备溶液，其中溶液包括多个纳米颗粒。 将纳米颗粒填充到凹坑中。 在将纳米颗粒填充到凹坑中之后，在半导体层上形成导电层。

公开(公告)号：US08153457B1

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US13048746

申请日：2011-03-15

申请人： Chih-Chung Yang ,  Cheng-Hung Lin ,  Chih-Yen Chen ,  Che-Hao Liao ,  Chieh Hsieh

发明人： Chih-Chung Yang ,  Cheng-Hung Lin ,  Chih-Yen Chen ,  Che-Hao Liao ,  Chieh Hsieh

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/20

摘要： The invention provides a method for forming a light emitting device. A first substrate is provided. A plurality of patterned masks is formed on the first substrate, or on a semiconductor epitaxial layer grown on the first substrate, or the first substrate is etched to form a plurality of trenches, followed by performing an epitaxial lateral overgrowth process to grow an epitaxy layer over the first substrate. A light emitting structure is formed on the epitaxy layer. A first electrode layer is formed on the light emitting structure. The light emitting structure is wafer bonded to a second substrate. A photoelectrochemical etching process is performed to lift off the first substrate from the epitaxy layer.

摘要翻译： 本发明提供一种形成发光器件的方法。 提供第一基板。 在第一衬底上或在第一衬底上生长的半导体外延层上形成多个图案化掩模，或者蚀刻第一衬底以形成多个沟槽，随后进行外延横向过生长工艺以生长外延层 在第一个底物上。 在外延层上形成发光结构。 在发光结构上形成第一电极层。 发光结构被晶片结合到第二基板。 进行光电化学蚀刻工艺以从外延层剥离第一衬底。