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    FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR WITH MULTI-LAYERS OF DIFFERENT PIEZOELECTRIC MATERIALS AND METHOD OF MAKING
    1.
    发明申请
    FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR WITH MULTI-LAYERS OF DIFFERENT PIEZOELECTRIC MATERIALS AND METHOD OF MAKING 有权
    具有多层不同压电材料的薄膜聚合声波谐振器及其制造方法

    公开(公告)号：US20130193808A1

    公开(公告)日：2013-08-01

    申请号：US13362321

    申请日：2012-01-31

    申请人： Chris FENG ,  John CHOY ,  Kevin J. GRANNEN ,  Phil NIKKEL ,  Tom YEH

    发明人： Chris FENG ,  John CHOY ,  Kevin J. GRANNEN ,  Phil NIKKEL ,  Tom YEH

    IPC分类号： H01L41/04 ,  H01L41/22 ,  H01L41/047

    CPC分类号： H03H9/173 ,  H03H9/02149 ,  H03H9/171 ,  H03H9/178 ,  H03H9/585 ,  Y10T29/42

    摘要： A thin film bulk acoustic resonator (FBAR) includes a first electrode, a first piezoelectric layer having a first c-axis orientation and on the first electrode, a second piezoelectric layer having a second c-axis orientation over the first piezoelectric layer, and a second electrode on the second piezoelectric layer. The first and second piezoelectric layers are made of respective different piezoelectric materials. The FBAR can be set to have different resonance frequencies by selecting the first and second c-axis orientations to be respectively the same or different. The high and low frequency range of the FBAR can thus be extended.

    摘要翻译： 薄膜体声波谐振器（FBAR）包括第一电极，具有第一c轴取向的第一压电层，在第一电极上具有在第一压电层上具有第二c轴取向的第二压电层，以及 第二电极在第二压电层上。 第一和第二压电层由各自的不同压电材料制成。 通过选择第一和第二c轴取向分别相同或不同，可以将FBAR设置为具有不同的谐振频率。 因此可以扩展FBAR的高低频范围。

    BULK ACOUSTIC RESONATOR COMPRISING PIEZOELECTRIC LAYER AND INVERSE PIEZOELECTRIC LAYER
    4.
    发明申请
    BULK ACOUSTIC RESONATOR COMPRISING PIEZOELECTRIC LAYER AND INVERSE PIEZOELECTRIC LAYER 有权
    包含压电层和反向压电层的大容量谐振谐振器

    公开(公告)号：US20130106248A1

    公开(公告)日：2013-05-02

    申请号：US13286051

    申请日：2011-10-31

    申请人： Dariusz BURAK ,  Kevin J. GRANNEN ,  John D. LARSON, III ,  Alexandre SHIRAKAWA

    发明人： Dariusz BURAK ,  Kevin J. GRANNEN ,  John D. LARSON, III ,  Alexandre SHIRAKAWA

    IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/187

    CPC分类号： H03H9/587 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/132 ,  H03H9/173 ,  H03H9/584

    摘要： In a representative embodiment, a bulk acoustic wave (BAW) resonator, comprises: a first electrode disposed over a substrate; a first piezoelectric layer disposed over the first electrode, the first piezoelectric layer having a first c-axis oriented along a first direction; a second electrode disposed over the first piezoelectric layer; and a second piezoelectric layer disposed over the first electrode and adjacent to the first piezoelectric layer, wherein the second piezoelectric layer has a second c-axis oriented in a second direction that is substantially antiparallel to the first direction.

    摘要翻译： 在代表性实施例中，体声波（BAW）谐振器包括：设置在基板上的第一电极; 设置在所述第一电极上的第一压电层，所述第一压电层具有沿着第一方向取向的第一c轴; 设置在所述第一压电层上的第二电极; 以及第二压电层，其设置在所述第一电极上并且邻近所述第一压电层，其中所述第二压电层具有在与所述第一方向基本上反平行的第二方向上定向的第二c轴。