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    Resistive random access memory structure with tri-layer resistive stack
    1.
    发明授权
    Resistive random access memory structure with tri-layer resistive stack 有权
    具有三层电阻堆栈的电阻式随机存取存储器结构

    公开(公告)号：US08901527B2

    公开(公告)日：2014-12-02

    申请号：US12829392

    申请日：2010-07-02

    申请人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu ,  Neng-Tai Shih

    发明人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu ,  Neng-Tai Shih

    IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L45/08 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1641

    摘要： An RRAM includes a resistive layer including a dielectric layer and surplus oxygen ions or nitrogen ions from a treatment on the dielectric layer after the dielectric layer is formed. When the RRAM is applied with a voltage, the oxygen ions or nitrogen ions occupy vacancies in the dielectric layer to increase resistance of the resistive layer. When the RRAM is applied with another voltage, the oxygen ions or nitrogen ions are removed from the vacancies to lower the resistance of the resistive layer.

    摘要翻译： RRAM包括在形成介电层之后，在电介质层上的处理中包括电介质层和剩余的氧离子或氮离子的电阻层。 当RRAM被施加电压时，氧离子或氮离子占据电介质层中的空位以增加电阻层的电阻。 当RRAM施加另一电压时，从空位中去除氧离子或氮离子以降低电阻层的电阻。

    RRAM structure and method of making the same
    2.
    发明申请
    RRAM structure and method of making the same 有权
    RRAM结构和制作方法

    公开(公告)号：US20120001141A1

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：US12829392

    申请日：2010-07-02

    申请人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu ,  Neng-Tai Shih

    发明人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu ,  Neng-Tai Shih

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L45/08 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1641

    摘要： An RRAM includes a resistive layer including a dielectric layer and surplus oxygen ions or nitrogen ions from a treatment on the dielectric layer after the dielectric layer is formed. When the RRAM is applied with a voltage, the oxygen ions or nitrogen ions occupy vacancies in the dielectric layer to increase resistance of the resistive layer. When the RRAM is applied with another voltage, the oxygen ions or nitrogen ions are removed from the vacancies to lower the resistance of the resistive layer.

    摘要翻译： RRAM包括在形成介电层之后，在电介质层上的处理中包括电介质层和剩余的氧离子或氮离子的电阻层。 当RRAM被施加电压时，氧离子或氮离子占据电介质层中的空位以增加电阻层的电阻。 当RRAM施加另一电压时，从空位中去除氧离子或氮离子以降低电阻层的电阻。

    MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT AND FABRICATION METHOD THEREOF
    5.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
    磁性随机存取元件及其制造方法

    公开(公告)号：US20110241138A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：US12750716

    申请日：2010-03-31

    申请人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu

    发明人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/308 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A magnetoresistive random access memory (MRAM) element includes a bottom electrode embedded in a first insulating layer; an annular reference layer in a first via hole of a second insulating layer on the first insulating layer, the annular reference layer being situated above the bottom electrode; a first gap fill material layer filling the first via hole; a barrier layer covering the annular reference layer, the second insulating layer and the first gap fill material layer; an annular free layer in a second via hole of a third insulating layer on the second insulating layer, the annular free layer being situated above the annular reference layer; and a top electrode stacked on the annular free layer.

    摘要翻译： 磁阻随机存取存储器（MRAM）元件包括嵌入第一绝缘层中的底电极; 在所述第一绝缘层上的第二绝缘层的第一通孔中的环形参考层，所述环形参考层位于所述底部电极的上方; 填充第一通孔的第一间隙填充材料层; 覆盖所述环形基准层，所述第二绝缘层和所述第一间隙填充材料层的阻挡层; 在所述第二绝缘层上的第三绝缘层的第二通孔中的环形自由层，所述环形自由层位于所述环形参考层的上方; 以及堆叠在环形自由层上的顶部电极。

    Magnetoresistive random access memory element and fabrication method thereof
    6.
    发明授权
    Magnetoresistive random access memory element and fabrication method thereof 有权
    磁阻随机存取存储元件及其制造方法

    公开(公告)号：US08149614B2

    公开(公告)日：2012-04-03

    申请号：US12750716

    申请日：2010-03-31

    申请人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu

    发明人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/308 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A magnetoresistive random access memory (MRAM) element includes a bottom electrode embedded in a first insulating layer; an annular reference layer in a first via hole of a second insulating layer on the first insulating layer, the annular reference layer being situated above the bottom electrode; a first gap fill material layer filling the first via hole; a barrier layer covering the annular reference layer, the second insulating layer and the first gap fill material layer; an annular free layer in a second via hole of a third insulating layer on the second insulating layer, the annular free layer being situated above the annular reference layer; and a top electrode stacked on the annular free layer.

    摘要翻译： 磁阻随机存取存储器（MRAM）元件包括嵌入第一绝缘层中的底电极; 在所述第一绝缘层上的第二绝缘层的第一通孔中的环形参考层，所述环形参考层位于所述底部电极的上方; 填充第一通孔的第一间隙填充材料层; 覆盖所述环形基准层，所述第二绝缘层和所述第一间隙填充材料层的阻挡层; 在所述第二绝缘层上的第三绝缘层的第二通孔中的环形自由层，所述环形自由层位于所述环形参考层的上方; 以及堆叠在环形自由层上的顶部电极。

    Non-volatile memory cell and fabrication method thereof
    7.
    发明授权
    Non-volatile memory cell and fabrication method thereof 有权
    非易失性存储单元及其制造方法

    公开(公告)号：US07943917B2

    公开(公告)日：2011-05-17

    申请号：US12420115

    申请日：2009-04-08

    申请人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu

    发明人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu

    IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L47/00 ,  H01L29/04

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

    摘要： A non-volatile memory cell and the fabrication method thereof are provided. The non-volatile memory cell comprises a top electrode, a bottom electrode and an oxide layer disposed between the top electrode and the bottom electrode. The oxide layer comprises a relatively low oxygen content layer adjacent to the bottom electrode, a relatively high oxygen content layer adjacent to the top electrode, and a transition layer disposed between the relatively high and the relatively low oxygen content layers. The transition layer has an oxygen concentration within a range between those of the relatively high and the relatively low oxygen content layers.

    摘要翻译： 提供了一种非易失性存储单元及其制造方法。 非易失性存储单元包括顶电极，底电极和设置在顶电极和底电极之间的氧化物层。 氧化物层包括与底部电极相邻的相对较低的氧含量层，与顶部电极相邻的相对高的氧含量层，以及设置在相对高的氧含量层和较低氧含量层之间的过渡层。 过渡层的氧浓度在相对高的氧含量层和相对较低的氧含量层之间的范围内。

    NON-VOLATILE MEMORY CELL AND FABRICATION METHOD THEREOF
    10.
    发明申请
    NON-VOLATILE MEMORY CELL AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
    非易失性存储单元及其制造方法

    公开(公告)号：US20100181545A1

    公开(公告)日：2010-07-22

    申请号：US12420115

    申请日：2009-04-08

    申请人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu

    发明人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu

    IPC分类号： H01L47/00 ,  C23C16/00 ,  C23C14/34

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

    摘要： A non-volatile memory cell and the fabrication method thereof are provided. The non-volatile memory cell comprises a top electrode, a bottom electrode and an oxide layer disposed between the top electrode and the bottom electrode. The oxide layer comprises a relatively low oxygen content layer adjacent to the bottom electrode, a relatively high oxygen content layer adjacent to the top electrode, and a transition layer disposed between the relatively high and the relatively low oxygen content layers. The transition layer has an oxygen concentration within a range between those of the relatively high and the relatively low oxygen content layers.

    摘要翻译： 提供了一种非易失性存储单元及其制造方法。 非易失性存储单元包括顶电极，底电极和设置在顶电极和底电极之间的氧化物层。 氧化物层包括与底部电极相邻的相对较低的氧含量层，与顶部电极相邻的相对高的氧含量层，以及设置在相对高的氧含量层和较低氧含量层之间的过渡层。 过渡层的氧浓度在相对高的氧含量层和相对较低的氧含量层之间的范围内。