公开(公告)号：US09136336B2

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：US13593708

申请日：2012-08-24

申请人： Jin-seong Heo ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Hee-jun Yang ,  David Seo

发明人： Jin-seong Heo ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Hee-jun Yang ,  David Seo

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78684

摘要： Inverter logic devices include a gate oxide on a back substrate, a first graphene layer and a second graphene layer separated from each other on the gate oxide, a first electrode layer and a first semiconductor layer separated from each other on the first graphene layer, a second electrode layer and a second semiconductor layer separated from each other on the second graphene layer, and an output electrode on the first and second semiconductor layers and configured to output an output signal. The first semiconductor layer is doped with a different type of impurities selected from n-type impurities and p-type impurities than the second semiconductor layer.

摘要翻译： 逆变器逻辑器件包括背面衬底上的栅极氧化物，在栅极氧化物上彼此分离的第一石墨烯层和第二石墨烯层，在第一石墨烯层上彼此分离的第一电极层和第一半导体层， 第二电极层和在第二石墨烯层上彼此分离的第二半导体层，以及在第一和第二半导体层上的输出电极，并且被配置为输出输出信号。 第一半导体层掺杂有比第二半导体层选自n型杂质和p型杂质的不同类型的杂质。

公开(公告)号：US09184236B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13589650

申请日：2012-08-20

申请人： David Seo ,  Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jae Song

发明人： David Seo ,  Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jae Song

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/2007 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612

摘要： A method of transferring graphene includes patterning an upper surface of a substrate to form at least one trench therein, providing a graphene layer on the substrate, the graphene layer including an adhesive liquid thereon, pressing the graphene layer with respect to the substrate, and removing the adhesive liquid by drying the substrate.

摘要翻译： 转移石墨烯的方法包括图案化衬底的上表面以在其中形成至少一个沟槽，在衬底上提供石墨烯层，所述石墨烯层包括其上的粘合剂液体，相对于衬底压制石墨烯层，并且去除 粘合剂液体通过干燥基材。

公开(公告)号：US09064777B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13591732

申请日：2012-08-22

申请人： Jin-Seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Seong-jun Park ,  David Seo ,  Hee-jun Yang

发明人： Jin-Seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Seong-jun Park ,  David Seo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/16 ,  H01L29/786 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： According to example embodiments, a graphene switching devices has a tunable barrier. The graphene switching device may include a gate substrate, a gate dielectric on the gate substrate, a graphene layer on the gate dielectric, a semiconductor layer and a first electrode sequentially stacked on a first region of the graphene layer, and a second electrode on a second region of the graphene layer. The semiconductor layer may be doped with one of an n-type impurity and a p-type impurity. The semiconductor layer may face the gate substrate with the graphene layer being between the semiconductor layer and the gate substrate. The second region of the graphene layer may be separated from the first region on the graphene layer.

摘要翻译： 根据示例性实施例，石墨烯切换装置具有可调屏障。 石墨烯开关装置可以包括栅极衬底，栅极衬底上的栅极电介质，栅极电介质上的石墨烯层，顺序地堆叠在石墨烯层的第一区域上的半导体层和第一电极，以及第二电极， 石墨烯层的第二区域。 半导体层可以掺杂有n型杂质和p型杂质中的一种。 半导体层可以面对栅极衬底，其中石墨烯层位于半导体层和栅极衬底之间。 石墨烯层的第二区域可以与石墨烯层上的第一区域分离。

公开(公告)号：US08912530B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13431031

申请日：2012-03-27

申请人： Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/78

摘要： According to example embodiments, an electrode structure includes a graphene layer on a semiconductor layer and an electrode containing metal on the graphene layer. A field effect transistor (FET) may include the electrode structure.

摘要翻译： 根据示例性实施例，电极结构包括在半导体层上的石墨烯层和在石墨烯层上含有金属的电极。 场效应晶体管（FET）可以包括电极结构。

公开(公告)号：US20130075700A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13431031

申请日：2012-03-27

申请人： Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/12 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/78

摘要： According to example embodiments, an electrode structure includes a graphene layer on a semiconductor layer and an electrode containing metal on the graphene layer. A field effect transistor (FET) may include the electrode structure.

摘要翻译： 根据示例性实施例，电极结构包括在半导体层上的石墨烯层和在石墨烯层上含有金属的电极。 场效应晶体管（FET）可以包括电极结构。

公开(公告)号：US09130567B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US13599483

申请日：2012-08-30

申请人： Young-jun Yun ,  Sang-wook Kim ,  Seong-jun Park ,  David Seo ,  Young-hee Yvette Lee ,  Chang-seung Lee

发明人： Young-jun Yun ,  Sang-wook Kim ,  Seong-jun Park ,  David Seo ,  Young-hee Yvette Lee ,  Chang-seung Lee

IPC分类号： H01L29/06 ,  H03K19/20

CPC分类号： H03K19/20

摘要： An inverter device including a tunable diode device and a diode device that includes a control terminal connected to an input terminal of the inverter device, an anode terminal connected to a high-level voltage terminal, and a cathode terminal connected to an output terminal of the inverter device, wherein the diode device is configured to turn on or off according to a voltage applied to the control terminal.

摘要翻译： 一种逆变器装置，包括可调谐二极管器件和二极管器件，其包括连接到逆变器器件的输入端子的控制端子，连接到高电平电压端子的阳极端子和连接到所述反相器件的输出端子的阴极端子 逆变器装置，其中所述二极管装置被配置为根据施加到所述控制端子的电压而导通或截止。

公开(公告)号：US08611131B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13307672

申请日：2011-11-30

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/36

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device includes applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value, sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied, determining a second voltage used to change the resistance value of the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value based on a distribution of the sensed first current, and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压，以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值 第一电阻值，感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流，基于分布确定用于将可变电阻装置的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压 并且将确定的第二电压施加到可变电阻装置。

公开(公告)号：US20090070376A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US12186951

申请日：2008-08-06

申请人： Mi Suk Eom ,  Hyun Jung Moon ,  Seong-jun Park ,  Yangji Kim ,  Sun Young Park ,  Su ryun Shin ,  Jeongsang Lee ,  Ji Woon Jung ,  Kuk-Jin Kang

发明人： Mi Suk Eom ,  Hyun Jung Moon ,  Seong-jun Park ,  Yangji Kim ,  Sun Young Park ,  Su ryun Shin ,  Jeongsang Lee ,  Ji Woon Jung ,  Kuk-Jin Kang

IPC分类号： G06F17/21 ,  G06F17/30

CPC分类号： G06F17/30867 ,  G06F17/211 ,  G06F17/241

摘要： Disclosed is a method of selectively displaying comments posted by users. The method comprises setting, by a first user, a threshold value for use in determining whether to display comments posted by users of an Internet service; and sending, by the first user, a request for displaying a page of the Internet service. The requested page contains a comment or a title of a comment posted by a second user who is assigned a reputation index. The method further comprises displaying, on a screen associated with the first user, the requested page, wherein the comment or the title of the second user is selectively redacted based on comparison of the reputation index of the second user with the threshold value of the first user.

摘要翻译： 公开了一种选择性地显示用户发布的评论的方法。 该方法包括由第一用户设置用于确定是否显示因特网服务的用户发布的评论的阈值; 以及由所述第一用户发送显示所述因特网服务的页面的请求。 所请求的页面包含由被分配了声誉索引的第二用户发布的评论的评论或标题。 该方法还包括在与第一用户相关联的屏幕上显示所请求的页面，其中基于第二用户的信誉索引与第一用户的阈值的比较来选择性地编辑第二用户的注释或标题 用户。

公开(公告)号：US08773888B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13590978

申请日：2012-08-21

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2213/56

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device having a variable resistance device includes: applying a first voltage to the variable resistance device to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value; sensing a first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied; determining a second voltage used for changing the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value, based on a dispersion of the sensed first current; and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值， 与第一电阻值不同; 感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流; 基于感测到的第一电流的偏差，确定用于将可变电阻器件从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压; 以及将所确定的第二电压施加到所述可变电阻装置。

公开(公告)号：US20120230080A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13307672

申请日：2011-11-30

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device includes applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value, sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied, determining a second voltage used to change the resistance value of the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value based on a distribution of the sensed first current, and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压，以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值 第一电阻值，感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流，基于分布确定用于将可变电阻装置的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压 并且将确定的第二电压施加到可变电阻装置。