公开(公告)号：US09136336B2

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：US13593708

申请日：2012-08-24

申请人： Jin-seong Heo ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Hee-jun Yang ,  David Seo

发明人： Jin-seong Heo ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Hee-jun Yang ,  David Seo

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78684

摘要： Inverter logic devices include a gate oxide on a back substrate, a first graphene layer and a second graphene layer separated from each other on the gate oxide, a first electrode layer and a first semiconductor layer separated from each other on the first graphene layer, a second electrode layer and a second semiconductor layer separated from each other on the second graphene layer, and an output electrode on the first and second semiconductor layers and configured to output an output signal. The first semiconductor layer is doped with a different type of impurities selected from n-type impurities and p-type impurities than the second semiconductor layer.

摘要翻译： 逆变器逻辑器件包括背面衬底上的栅极氧化物，在栅极氧化物上彼此分离的第一石墨烯层和第二石墨烯层，在第一石墨烯层上彼此分离的第一电极层和第一半导体层， 第二电极层和在第二石墨烯层上彼此分离的第二半导体层，以及在第一和第二半导体层上的输出电极，并且被配置为输出输出信号。 第一半导体层掺杂有比第二半导体层选自n型杂质和p型杂质的不同类型的杂质。

公开(公告)号：US09184236B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13589650

申请日：2012-08-20

申请人： David Seo ,  Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jae Song

发明人： David Seo ,  Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jae Song

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/2007 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612

摘要： A method of transferring graphene includes patterning an upper surface of a substrate to form at least one trench therein, providing a graphene layer on the substrate, the graphene layer including an adhesive liquid thereon, pressing the graphene layer with respect to the substrate, and removing the adhesive liquid by drying the substrate.

摘要翻译： 转移石墨烯的方法包括图案化衬底的上表面以在其中形成至少一个沟槽，在衬底上提供石墨烯层，所述石墨烯层包括其上的粘合剂液体，相对于衬底压制石墨烯层，并且去除 粘合剂液体通过干燥基材。

公开(公告)号：US09064777B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13591732

申请日：2012-08-22

申请人： Jin-Seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Seong-jun Park ,  David Seo ,  Hee-jun Yang

发明人： Jin-Seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Seong-jun Park ,  David Seo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/16 ,  H01L29/786 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： According to example embodiments, a graphene switching devices has a tunable barrier. The graphene switching device may include a gate substrate, a gate dielectric on the gate substrate, a graphene layer on the gate dielectric, a semiconductor layer and a first electrode sequentially stacked on a first region of the graphene layer, and a second electrode on a second region of the graphene layer. The semiconductor layer may be doped with one of an n-type impurity and a p-type impurity. The semiconductor layer may face the gate substrate with the graphene layer being between the semiconductor layer and the gate substrate. The second region of the graphene layer may be separated from the first region on the graphene layer.

摘要翻译： 根据示例性实施例，石墨烯切换装置具有可调屏障。 石墨烯开关装置可以包括栅极衬底，栅极衬底上的栅极电介质，栅极电介质上的石墨烯层，顺序地堆叠在石墨烯层的第一区域上的半导体层和第一电极，以及第二电极， 石墨烯层的第二区域。 半导体层可以掺杂有n型杂质和p型杂质中的一种。 半导体层可以面对栅极衬底，其中石墨烯层位于半导体层和栅极衬底之间。 石墨烯层的第二区域可以与石墨烯层上的第一区域分离。

公开(公告)号：US20110108521A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12923428

申请日：2010-09-21

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Su-kang Bae ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo ,  Myung-hee Jung

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Su-kang Bae ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo ,  Myung-hee Jung

IPC分类号： B44C3/10 ,  B44C1/00 ,  B65H81/00

CPC分类号： C01B31/0206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  Y10T156/1041

摘要： Example embodiments relate to methods of manufacturing and transferring a larger-sized graphene layer. A method of transferring a larger-sized graphene layer may include forming a graphene layer, a protection layer, and an adhesive layer on a substrate and removing the substrate. The graphene layer may be disposed on a transferring substrate by sliding the graphene layer onto the transferring substrate.

摘要翻译： 示例实施例涉及制造和传送较大尺寸石墨烯层的方法。 转移较大尺寸石墨烯层的方法可以包括在基板上形成石墨烯层，保护层和粘合剂层，并去除基板。 石墨烯层可以通过将石墨烯层滑动到转印衬底上而设置在转印衬底上。

公开(公告)号：US09359211B2

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：US12805084

申请日：2010-07-12

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： C01B31/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  B01J23/755 ,  B01J37/34

CPC分类号： C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

摘要： Methods of fabricating graphene using an alloy catalyst may include forming an alloy catalyst layer including nickel on a substrate and forming a graphene layer by supplying hydrocarbon gas onto the alloy catalyst layer. The alloy catalyst layer may include nickel and at least one selected from the group consisting of copper, platinum, iron and gold. When the graphene is fabricated, a catalyst metal that reduces solubility of carbon in Ni may be used together with Ni in the alloy catalyst layer. An amount of carbon that is dissolved may be adjusted and a uniform graphene monolayer may be fabricated.

摘要翻译： 使用合金催化剂制造石墨烯的方法可以包括在基板上形成包含镍的合金催化剂层，并通过向合金催化剂层供给烃气体来形成石墨烯层。 合金催化剂层可以包括镍和选自铜，铂，铁和金中的至少一种。 当制造石墨烯时，可以在合金催化剂层中与Ni一起使用降低碳在Ni中的溶解度的催化剂金属。 可以调节溶解的碳的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：US08421131B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12929817

申请日：2011-02-17

申请人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

发明人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/124 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A graphene electronic device may include a silicon substrate, connecting lines on the silicon substrate, a first electrode and a second electrode on the silicon substrate, and an interlayer dielectric on the silicon substrate. The interlayer dielectric may be configured to cover the connecting lines and the first and second electrodes and the interlayer dielectric may be further configured to expose at least a portion of the first and second electrodes. The graphene electronic device may further include an insulating layer on the interlayer dielectric and a graphene layer on the insulating layer, the graphene layer having a first end and a second end. The first end of the graphene layer may be connected to the first electrode and the second end of the graphene layer may be connected to the second electrode.

摘要翻译： 石墨烯电子器件可以包括硅衬底，硅衬底上的连接线，硅衬底上的第一电极和第二电极，以及硅衬底上的层间电介质。 层间电介质可以被配置为覆盖连接线，并且第一和第二电极和层间电介质可以被进一步配置为暴露第一和第二电极的至少一部分。 所述石墨烯电子器件还可以包括在所述层间电介质上的绝缘层和所述绝缘层上的石墨烯层，所述石墨烯层具有第一端和第二端。 石墨烯层的第一端可以连接到第一电极，并且石墨烯层的第二端可以连接到第二电极。

公开(公告)号：US09108848B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US12923428

申请日：2010-09-21

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Su-kang Bae ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo ,  Myung-hee Jung

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Su-kang Bae ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo ,  Myung-hee Jung

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C01B31/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C01B31/0206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  Y10T156/1041

摘要： Example embodiments relate to methods of manufacturing and transferring a larger-sized graphene layer. A method of transferring a larger-sized graphene layer may include forming a graphene layer, a protection layer, and an adhesive layer on a substrate and removing the substrate. The graphene layer may be disposed on a transferring substrate by sliding the graphene layer onto the transferring substrate.

摘要翻译： 示例实施例涉及制造和传送较大尺寸石墨烯层的方法。 转移较大尺寸石墨烯层的方法可以包括在基板上形成石墨烯层，保护层和粘合剂层，并去除基板。 石墨烯层可以通过将石墨烯层滑动到转印衬底上而设置在转印衬底上。

公开(公告)号：US20110210314A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US12929817

申请日：2011-02-17

申请人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

发明人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/124 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A graphene electronic device may include a silicon substrate, connecting lines on the silicon substrate, a first electrode and a second electrode on the silicon substrate, and an interlayer dielectric on the silicon substrate. The interlayer dielectric may be configured to cover the connecting lines and the first and second electrodes and the interlayer dielectric may be further configured to expose at least a portion of the first and second electrodes. The graphene electronic device may further include an insulating layer on the interlayer dielectric and a graphene layer on the insulating layer, the graphene layer having a first end and a second end. The first end of the graphene layer may be connected to the first electrode and the second end of the graphene layer may be connected to the second electrode.

摘要翻译： 石墨烯电子器件可以包括硅衬底，硅衬底上的连接线，硅衬底上的第一电极和第二电极以及硅衬底上的层间电介质。 层间电介质可以被配置为覆盖连接线，并且第一和第二电极和层间电介质可以被进一步配置为暴露第一和第二电极的至少一部分。 所述石墨烯电子器件还可以包括在所述层间电介质上的绝缘层和所述绝缘层上的石墨烯层，所述石墨烯层具有第一端和第二端。 石墨烯层的第一端可以连接到第一电极，并且石墨烯层的第二端可以连接到第二电极。

公开(公告)号：US20110108609A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12805084

申请日：2010-07-12

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： B23K31/02 ,  B05D1/36 ,  C23C16/26 ,  C23C14/34 ,  B23K20/00

CPC分类号： C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

摘要： Methods of fabricating graphene using an alloy catalyst may include forming an alloy catalyst layer including nickel on a substrate and forming a graphene layer by supplying hydrocarbon gas onto the alloy catalyst layer. The alloy catalyst layer may include nickel and at least one selected from the group consisting of copper, platinum, iron and gold. When the graphene is fabricated, a catalyst metal that reduces solubility of carbon in Ni may be used together with Ni in the alloy catalyst layer. An amount of carbon that is dissolved may be adjusted and a uniform graphene monolayer may be fabricated.

摘要翻译： 使用合金催化剂制造石墨烯的方法可以包括在基板上形成包含镍的合金催化剂层，并通过向合金催化剂层供给烃气体来形成石墨烯层。 合金催化剂层可以包括镍和选自铜，铂，铁和金中的至少一种。 当制造石墨烯时，可以在合金催化剂层中与Ni一起使用降低碳在Ni中的溶解度的催化剂金属。 可以调节溶解的碳的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：US10157989B2

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：US13478548

申请日：2012-05-23

申请人： Chang Seung Lee ,  Sang Wook Kim ,  Seong Jun Park ,  David Seo ,  Young Jun Yun ,  Yung Hee Lee

发明人： Chang Seung Lee ,  Sang Wook Kim ,  Seong Jun Park ,  David Seo ,  Young Jun Yun ,  Yung Hee Lee

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/861 ,  H01L29/16 ,  H01L29/786

摘要： A method of manufacturing a graphene electronic device may include forming a metal compound layer and a catalyst layer on a substrate, the catalyst layer including a metal element in the metal compound layer, growing a graphene layer on the catalyst layer, and converting the catalyst layer into a portion of the metal compound layer.