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    Thyristor with integrated resistance and method for producing it
    1.
    发明申请
    Thyristor with integrated resistance and method for producing it 审中-公开
    具有集成电阻的晶闸管及其制造方法

    公开(公告)号：US20060267104A1

    公开(公告)日：2006-11-30

    申请号：US11315976

    申请日：2005-12-21

    申请人： Detlef Scholz ,  Uwe Kellner-Werdehausen ,  Franz-Josef Niedernostheide ,  Hans-Joachim Schulze ,  Carsten Schneider

    发明人： Detlef Scholz ,  Uwe Kellner-Werdehausen ,  Franz-Josef Niedernostheide ,  Hans-Joachim Schulze ,  Carsten Schneider

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/7424 ,  H01L23/051 ,  H01L29/7408 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A thyristor has a semiconductor body (1), in which a p-doped emitter (8), an n-doped base (7), a p-doped base (6) and an n-doped main emitter (5) are arranged successively in a vertical direction, the p-doped base (6) having a resistance zone (65) with a predetermined electrical resistance (R.int) extending in a lateral direction (r) perpendicular to the vertical direction, an external resistor (30, R.ext) that is arranged or can be arranged outside the semiconductor body (1) being electrically connected in parallel with the resistance zone (65), and the external resistor (30) having, in a specific temperature range, a temperature coefficient whose magnitude is less than the magnitude of the temperature coefficient of the resistance zone (65) in the specific temperature range.

    摘要翻译： 晶闸管具有半导体本体（1），其中配置p掺杂发射极（8），n掺杂基极（7），p掺杂基极（6）和n掺杂主发射极（5） 具有在垂直于垂直方向的横向方向（r）延伸的具有预定电阻（R.int）的电阻区（65）的p掺杂基底（6），外部电阻器（30） ，Rext）布置或布置在半导体本体（1）的外部，与电阻区（65）并联电连接，外部电阻器（30）在特定温度范围内具有温度系数 其大小小于特定温度范围内电阻区（65）的温度系数的大小。