公开(公告)号：US20120009749A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12832082

申请日：2010-07-08

申请人： Dexter TAN ,  Kin Leong PEY ,  Sai Hooi YEONG ,  Yoke King CHIN ,  Kuang Kian ONG ,  Chee Mang NG

发明人： Dexter TAN ,  Kin Leong PEY ,  Sai Hooi YEONG ,  Yoke King CHIN ,  Kuang Kian ONG ,  Chee Mang NG

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/7613

摘要： Embodiments relate to a method for fabricating nano-wires in nano-devices, and more particularly to nano-device fabrication using end-of-range (EOR) defects. In one embodiment, a substrate with a surface crystalline layer over the substrate is provided and EOR defects are created in the surface crystalline layer. One or more fins with EOR defects embedded within is formed and oxidized to form one or more fully oxidized nano-wires with nano-crystals within the core of the nano-wire.

摘要翻译： 实施例涉及一种用于在纳米器件中制造纳米线的方法，更具体地涉及使用端部范围（EOR）缺陷的纳米器件制造。 在一个实施例中，提供了在衬底上具有表面结晶层的衬底，并且在表面晶体层中产生了EOR缺陷。 一个或多个嵌入有EOR缺陷的翅片被形成并被氧化，以在纳米线芯内形成具有纳米晶体的一个或多个完全氧化的纳米线。

公开(公告)号：US20090286373A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12466391

申请日：2009-05-15

申请人： Dexter Xueming TAN ,  Benjamin COLOMBEAU ,  Clark Kuang Kian ONG ,  Sai Hooi YEONG ,  Chee Mang NG ,  Kin Leong PEY

发明人： Dexter Xueming TAN ,  Benjamin COLOMBEAU ,  Clark Kuang Kian ONG ,  Sai Hooi YEONG ,  Chee Mang NG ,  Kin Leong PEY

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a semiconductor device is presented. The method includes providing a substrate and forming a gate stack over the substrate. A first laser processing to form vacancy rich regions within the substrate on opposing sides of the gate stack is performed. The vacancy rich regions have a first depth from a surface of the substrate. A first implant causing end of range defect regions to be formed on opposing sides of the gate stack at a second depth from the surface of the substrate is also carried out, wherein the first depth is proximate to the second depth.

摘要翻译： 本发明提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括提供衬底并在衬底上形成栅叠层。 执行在栅极堆叠的相对侧上在衬底内形成空位丰富区域的第一激光处理。 空位丰富区域具有从基板表面的第一深度。 还执行第一种植入物，其在基板的表面的第二深度处形成在栅叠层的相对侧上形成范围缺陷区域的端部，其中第一深度接近第二深度。

公开(公告)号：US20130187264A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13353336

申请日：2012-01-19

申请人： Dexter Xueming TAN ,  Yoke King CHIN ,  Kin Leong PEY

发明人： Dexter Xueming TAN ,  Yoke King CHIN ,  Kin Leong PEY

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method for forming a device is disclosed. A substrate with a contact region is provided. Vacancy defects are formed in the substrate. The vacancy defects have a peak concentration at a depth DV. A metal based contact is formed in the contact region. The metal based contact has a depth DC which is equal to about DV. The vacancy defects lower the resistance of the metal based contact with the substrate.

摘要翻译： 公开了一种用于形成装置的方法。 提供具有接触区域的基板。 在基板中形成空位缺陷。 空位缺陷在深度DV具有峰值浓度。 在接触区域中形成金属基触点。 基于金属的触点具有等于约DV的深度DC。 空位缺陷降低了与基板的金属基接触的电阻。