公开(公告)号：US20130161705A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13334514

申请日：2011-12-22

申请人： Don Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Hui Ne ,  Linda Romano ,  Richard J. Brown ,  Madhan Raj

发明人： Don Disney ,  Isik C. Kizilyalli ,  Hui Ne ,  Linda Romano ,  Richard J. Brown ,  Madhan Raj

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L29/66924 ,  H01L21/027 ,  H01L21/283 ,  H01L21/308 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/66916 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/8086

摘要： A semiconductor device includes a III-nitride substrate, a first III-nitride epitaxial layer coupled to the III-nitride substrate and having a mesa, and a second III-nitride epitaxial layer coupled to a top surface of the mesa. The semiconductor device further includes a III-nitride gate structure coupled to a side surface of the mesa, and a spacer configured to provide electrical insulation between the second III-nitride epitaxial layer and the III-nitride gate structure.

摘要翻译： 半导体器件包括III族氮化物衬底，耦合到III族氮化物衬底并具有台面的第一III族氮化物外延层和耦合到台面的顶表面的第二III族氮化物外延层。 半导体器件还包括耦合到台面的侧表面的III族氮化物栅极结构，以及被配置为在第二III族氮化物外延层和III族氮化物栅极结构之间提供电绝缘的间隔物。