公开(公告)号：US5744403A

公开(公告)日：1998-04-28

申请号：US719699

申请日：1991-06-25

申请人： Edward Alan Dein ,  Michael Douglas Gross ,  Richard Allen Pudliner

发明人： Edward Alan Dein ,  Michael Douglas Gross ,  Richard Allen Pudliner

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/509 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/5096 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402

摘要： Dielectric layers comprising a silicon oxide and having essentially constant thickness across a wafer are produced by a plasma-deposition method; in preferred processing, a wafer is supported on a surface which extends significantly past the edge of the wafer. Resulting layers may be further processed by localized etching of windows or vias, uniform layer thickness being particularly beneficial, when timed etching is used, to ensure uniformity of etched openings.

摘要翻译： 通过等离子体沉积方法制造包含氧化硅并且跨晶片具有基本上恒定的厚度的介电层; 在优选的处理中，晶片被支撑在远大于晶片边缘的表面上。 可以通过窗口或通孔的局部蚀刻进一步处理所得的层，当使用定时蚀刻时，均匀的层厚度是特别有利的，以确保蚀刻开口的均匀性。

公开(公告)号：US08465608B1

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13630637

申请日：2012-09-28

申请人： Kevin R. Coffey ,  Edward Alan Dein ,  Bo Yao

发明人： Kevin R. Coffey ,  Edward Alan Dein ,  Bo Yao

IPC分类号： D03D43/00

CPC分类号： C06B33/00 ,  C06B45/14

摘要： A method for forming a metastable intermolecular composite (MIC) includes providing a vacuum level of

摘要翻译： 形成亚稳态分子间复合材料（MIC）的方法包括在沉积室中提供<10-8乇基础压力的真空水平。 沉积与水蒸汽反应的金属的第一材料的第一层，然后在第一层上沉积金属氧化物的第二材料的第二层。 第一和第二材料能够发生放热化学反应以形成至少一种产物，并且第一和第二层的物理接近度足够接近，使得在引发放热反应时，反应发展成自引发化学反应。 从第一材料与水蒸气的反应，在第一层和第二层之间形成平均厚度<1nm的界面区域。 在一个实施例中，第一材料是Al，第二材料是CuO x。

公开(公告)号：US5641994A

公开(公告)日：1997-06-24

申请号：US668310

申请日：1996-06-26

申请人： Cheryl Anne Bollinger ,  Edward Alan Dein ,  Sailesh Mansinh Merchant ,  Arun Kumar Nanda ,  Pradip Kumar Roy ,  Cletus Walter Wilkins, Jr.

发明人： Cheryl Anne Bollinger ,  Edward Alan Dein ,  Sailesh Mansinh Merchant ,  Arun Kumar Nanda ,  Pradip Kumar Roy ,  Cletus Walter Wilkins, Jr.

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/482 ,  H01L23/532 ,  H01L27/04 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L23/4827 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/10253

摘要： A Si IC includes an Al-based layer which is deposited as a composite of sublayers of different composition Al-based materials. In one embodiment a first sublayer comprises an Al-Si-based alloy disposed so as to prevent substantial Si migration into the first sublayer, and a second sublayer, above the first, comprises an Al-based alloy with substantially no Si to alleviate precipitation-induced problems.

摘要翻译： Si IC包括Al基层，其被沉积为不同组成的Al基材料的亚层的复合物。 在一个实施例中，第一子层包括Al-Si基合金，其被设置为防止实质的Si迁移到第一子层中，并且第一子层在第一子层之上包括基本上不含Si的Al基合金以减轻沉淀 - 引起的问题。