公开(公告)号：US20150003145A1

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：US14463454

申请日：2014-08-19

Applicant: Everspin Technologies, Inc.

Inventor： Syed M. Alam ,  Thomas W. Andre

IPC: G11C11/16 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C11/1673 ,  G11C7/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/1084 ,  G11C7/12 ,  G11C11/00 ,  G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/50008

Abstract: An analog read circuit measures the resistance of each of a plurality of bits in an array of resistive memory elements. Data stored within a latch determines whether to selectively enable the analog read circuit. In an alternate embodiment, a sense amplifier is coupled to the latch and the array, and the data stored in the latch determines whether to selectively enable the sense amplifier.

Abstract translation: 模拟读取电路测量电阻存储元件阵列中的多个位中的每一个的电阻。 存储在锁存器内的数据确定是否选择使能模拟读取电路。 在替代实施例中，读出放大器耦合到锁存器和阵列，并且存储在锁存器中的数据确定是否选择性地使能读出放大器。

公开(公告)号：US09047967B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US14463454

申请日：2014-08-19

Applicant: Everspin Technologies, Inc.

Inventor： Syed M. Alam ,  Thomas W. Andre

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/00 ,  G11C7/12 ,  G11C11/16 ,  G11C11/00 ,  G11C29/50 ,  G11C13/00 ,  G11C11/02

CPC classification number: G11C11/1673 ,  G11C7/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/1084 ,  G11C7/12 ,  G11C11/00 ,  G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/50008

Abstract: An analog read circuit measures the resistance of each of a plurality of bits in an array of resistive memory elements. Data stored within a latch determines whether to selectively enable the analog read circuit. In an alternate embodiment, a sense amplifier is coupled to the latch and the array, and the data stored in the latch determines whether to selectively enable the sense amplifier.

Abstract translation: 模拟读取电路测量电阻存储元件阵列中的多个位中的每一个的电阻。 存储在锁存器内的数据确定是否选择使能模拟读取电路。 在替代实施例中，读出放大器耦合到锁存器和阵列，并且存储在锁存器中的数据确定是否选择性地使能读出放大器。