Electrochemical device including amorphous metal oxide
    2.
    发明授权
    Electrochemical device including amorphous metal oxide 有权
    包括无定形金属氧化物的电化学装置

    公开(公告)号:US09178219B2

    公开(公告)日:2015-11-03

    申请号:US13721908

    申请日:2012-12-20

    IPC分类号: H01M4/02 H01M4/88 H01M8/10

    摘要: In one or more embodiments, an electrochemical device includes a substrate having a substrate surface; an amorphous metal oxide layer supported on the substrate surface; and a noble metal catalyst supported on the amorphous metal oxide layer to form a catalyst layer. The amorphous metal oxide layer may contact only 25 to 75 percent of the substrate surface. The amorphous metal oxide layer may include less than 10 weight percent of crystalline metal oxide. In certain instances, the amorphous metal oxide layer is substantially free of crystalline metal oxide.

    摘要翻译: 在一个或多个实施方案中,电化学装置包括具有基底表面的基底; 支撑在基板表面上的非晶金属氧化物层; 以及负载在所述非晶金属氧化物层上以形成催化剂层的贵金属催化剂。 无定形金属氧化物层可以仅接触基底表面的25%至75%。 无定形金属氧化物层可以包括小于10重量%的结晶金属氧化物。 在某些情况下,非晶金属氧化物层基本上不含结晶金属氧化物。

    Electrochemical Device Including Amorphous Metal Oxide
    4.
    发明申请
    Electrochemical Device Including Amorphous Metal Oxide 有权
    包括无定形金属氧化物的电化学装置

    公开(公告)号:US20140178801A1

    公开(公告)日:2014-06-26

    申请号:US13721908

    申请日:2012-12-20

    IPC分类号: H01M4/88

    摘要: In one or more embodiments, an electrochemical device includes a substrate having a substrate surface; an amorphous metal oxide layer supported on the substrate surface; and a noble metal catalyst supported on the amorphous metal oxide layer to form a catalyst layer. The amorphous metal oxide layer may contact only 25 to 75 percent of the substrate surface. The amorphous metal oxide layer may include less than 10 weight percent of crystalline metal oxide. In certain instances, the amorphous metal oxide layer is substantially free of crystalline metal oxide.

    摘要翻译: 在一个或多个实施方案中,电化学装置包括具有基底表面的基底; 支撑在基板表面上的非晶金属氧化物层; 以及负载在所述非晶金属氧化物层上以形成催化剂层的贵金属催化剂。 无定形金属氧化物层可以仅接触基底表面的25%至75%。 非晶金属氧化物层可以包括小于10重量%的结晶金属氧化物。 在某些情况下,非晶金属氧化物层基本上不含结晶金属氧化物。