公开(公告)号：US09514942B1

公开(公告)日：2016-12-06

申请号：US15060009

申请日：2016-03-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES Inc.

Inventor： Elliot John Smith ,  Thorsten Kammler ,  Andreas Hellmich ,  Carsten Grass

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/66 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823437 ,  H01L22/26 ,  H01L27/1207

Abstract: A method of forming a gate structure over a hybrid substrate structure with topography having a bulk region and an SOI region is disclosed including forming a gate material layer above the SOI and bulk regions, forming a mask layer above the gate material layer, forming a first planarization layer above the mask layer, forming a first gate structure masking pattern above the first planarization layer, patterning the first planarization layer in alignment with the first gate structure masking pattern, and patterning the mask layer in accordance with the patterned first planarization layer, resulting in a gate mask disposed above the gate material layer.

Abstract translation: 公开了一种在具有体积区域和SOI区域的形貌的混合衬底结构上形成栅极结构的方法，包括在SOI和体区上形成栅极材料层，在栅极材料层上方形成掩模层，形成第一 在所述掩模层上方形成平坦化层，在所述第一平坦化层上方形成第一栅极结构掩模图案，使与所述第一栅极结构掩模图案对准的所述第一平坦化图案图案化，以及根据所述图案化的第一平坦化层图案化所述掩模层， 在栅极掩模上设置在栅极材料层上方。