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    Normally-off high electron mobility transistors
    1.
    发明授权
    Normally-off high electron mobility transistors 有权
    常关高电子迁移率晶体管

    公开(公告)号：US09373688B2

    公开(公告)日：2016-06-21

    申请号：US13100343

    申请日：2011-05-04

    申请人： Gilberto Curatola ,  Oliver Häberlen ,  Gianmauro Pozzovivo

    发明人： Gilberto Curatola ,  Oliver Häberlen ,  Gianmauro Pozzovivo

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/20

    CPC分类号： H01L29/42356 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

    摘要： A normally-off transistor includes a first region of III-V semiconductor material, a second region of III-V semiconductor material on the first region, a third region of III-V semiconductor material on the second region and a gate electrode adjacent at least one sidewall of the third region. The first region provides a channel of the transistor. The second region has a band gap greater than the band gap of the first region and causes a 2-D electron gas (2DEG) in the channel. The second region is interposed between the first region and the third region. The third region provides a gate of the transistor and has a thickness sufficient to deplete the 2DEG in the channel so that the transistor has a positive threshold voltage.

    摘要翻译： 常闭晶体管包括III-V族半导体材料的第一区域，第一区域上的III-V族半导体材料的第二区域，第二区域上的III-V族半导体材料的第三区域和至少相邻的栅电极 第三区域的一个侧壁。 第一区域提供晶体管的通道。 第二区域具有比第一区域的带隙大的带隙，并且在通道中产生2-D电子气体（2DEG）。 第二区域介于第一区域和第三区域之间。 第三区域提供晶体管的栅极并且具有足以消耗沟道中的2DEG的厚度，使得晶体管具有正的阈值电压。

    Normally-Off High Electron Mobility Transistors
    2.
    发明申请
    Normally-Off High Electron Mobility Transistors 有权
    常关高电子迁移率晶体管

    公开(公告)号：US20120280278A1

    公开(公告)日：2012-11-08

    申请号：US13100343

    申请日：2011-05-04

    申请人： Gilberto Curatola ,  Oliver Häberlen ,  Gianmauro Pozzovivo

    发明人： Gilberto Curatola ,  Oliver Häberlen ,  Gianmauro Pozzovivo

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/42356 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

    摘要： A normally-off transistor includes a first region of III-V semiconductor material, a second region of III-V semiconductor material on the first region, a third region of III-V semiconductor material on the second region and a gate electrode adjacent at least one sidewall of the third region. The first region provides a channel of the transistor. The second region has a band gap greater than the band gap of the first region and causes a 2-D electron gas (2DEG) in the channel. The second region is interposed between the first region and the third region. The third region provides a gate of the transistor and has a thickness sufficient to deplete the 2DEG in the channel so that the transistor has a positive threshold voltage.

    摘要翻译： 常闭晶体管包括III-V族半导体材料的第一区域，第一区域上的III-V族半导体材料的第二区域，第二区域上的III-V族半导体材料的第三区域和至少相邻的栅电极 第三区域的一个侧壁。 第一区域提供晶体管的通道。 第二区域具有比第一区域的带隙大的带隙，并且在通道中产生2-D电子气体（2DEG）。 第二区域介于第一区域和第三区域之间。 第三区域提供晶体管的栅极并且具有足以消耗沟道中的2DEG的厚度，使得晶体管具有正的阈值电压。

    III-V Semiconductor Devices with Buried Contacts
    3.
    发明申请
    III-V Semiconductor Devices with Buried Contacts 有权
    具有埋地触点的III-V半导体器件

    公开(公告)号：US20130153919A1

    公开(公告)日：2013-06-20

    申请号：US13331899

    申请日：2011-12-20

    申请人： Gilberto Curatola ,  Gianmauro Pozzovivo ,  Oliver Häberlen

    发明人： Gilberto Curatola ,  Gianmauro Pozzovivo ,  Oliver Häberlen

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/743 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/872

    摘要： A semiconductor device such as a diode or transistor includes a semiconductor substrate, a first region of III-V semiconductor material on the semiconductor substrate and a second region of III-V semiconductor material on the first region. The second region is spaced apart from the semiconductor substrate by the first region. The second region is of a different composition than the first region. The semiconductor device further includes a buried contact extending from the semiconductor substrate to the second region through the first region. The buried contact electrically connects the second region to the semiconductor substrate.

    摘要翻译： 诸如二极管或晶体管的半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的III-V半导体材料的第一区域和第一区域上的III-V半导体材料的第二区域。 第二区域与第一区域与半导体衬底间隔开。 第二区域具有与第一区域不同的组成。 半导体器件还包括从半导体衬底延伸穿过第一区域延伸到第二区域的埋入触点。 埋入式触点将第二区域电连接到半导体衬底。

    Contact Structures for Compound Semiconductor Devices
    6.
    发明申请
    Contact Structures for Compound Semiconductor Devices 有权
    复合半导体器件的接触结构

    公开(公告)号：US20130299842A1

    公开(公告)日：2013-11-14

    申请号：US13470771

    申请日：2012-05-14

    申请人： Gerhard Prechtl ,  Clemens Ostermaier ,  Oliver Häberlen ,  Gianmauro Pozzovivo

    发明人： Gerhard Prechtl ,  Clemens Ostermaier ,  Oliver Häberlen ,  Gianmauro Pozzovivo

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

    摘要： A semiconductor device includes a semiconductor body including a plurality of compound semiconductor layers and a two-dimensional charge carrier gas channel region formed in one of the compound semiconductor layers. The semiconductor device further includes a contact structure disposed in the semiconductor body. The contact structure includes a metal region and a doped region. The metal region extends into the semiconductor body from a first side of the semiconductor body to at least the compound semiconductor layer which includes the channel region. The doped region is formed in the semiconductor body between the metal region and the channel region so that the channel region is electrically connected to the metal region through the doped region.

    摘要翻译： 半导体器件包括半导体本体，其包括多个化合物半导体层和形成在化合物半导体层之一中的二维电荷载流子通道区域。 半导体器件还包括设置在半导体本体中的接触结构。 接触结构包括金属区域和掺杂区域。 金属区域从半导体本体的第一侧延伸到半导体本体至少包括沟道区的化合物半导体层。 掺杂区域形成在金属区域和沟道区域之间的半导体本体中，使得沟道区域通过掺杂区域电连接到金属区域。

    SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH AN INTEGRATED HALL SENSOR
    10.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH AN INTEGRATED HALL SENSOR 有权
    半导体器件与集成霍尔传感器的布置

    公开(公告)号：US20130075724A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：US13241627

    申请日：2011-09-23

    申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Lutz Goergens ,  Helmut Angerer ,  Gianmauro Pozzovivo ,  Markus Zundel

    发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Lutz Goergens ,  Helmut Angerer ,  Gianmauro Pozzovivo ,  Markus Zundel

    IPC分类号： H01L29/20

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/22 ,  H01L29/7787 ,  H01L43/065

    摘要： A semiconductor arrangement includes a semiconductor body and a semiconductor device, the semiconductor device including first and second load terminals arranged distant to each other in a first direction of the semiconductor body and a load path arranged in the semiconductor body between the first and second load terminals. The semiconductor arrangement further includes at least one Hall sensor arranged in the semiconductor body distant to the semiconductor device in a second direction perpendicular to the first direction. The Hall sensor includes two current supply terminals and two measurement terminals.

    摘要翻译： 半导体装置包括半导体本体和半导体器件，所述半导体器件包括在所述半导体本体的第一方向上彼此远离布置的第一和第二负载端子以及布置在所述半导体本体中的所述第一和第二负载端子之间的负载路径 。 半导体装置还包括至少一个霍尔传感器，该霍尔传感器在垂直于第一方向的第二方向上布置在远离半导体器件的半导体本体中。 霍尔传感器包括两个电源端子和两个测量端子。