公开(公告)号：US20160111298A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：US14819904

申请日：2015-08-06

申请人： Go-jun Kim ,  Vladimir Volynets ,  Sang-jin An ,  Hee-jeon Yang ,  Sang-heon Lee ,  Sung-keun Cho ,  Xinglong Chen ,  In-ho Choi

发明人： Go-jun Kim ,  Vladimir Volynets ,  Sang-jin An ,  Hee-jeon Yang ,  Sang-heon Lee ,  Sung-keun Cho ,  Xinglong Chen ,  In-ho Choi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/3065

摘要： An etching method using plasma includes generating plasma by supplying process gases to at least one remote plasma source (RPS) and applying power to the at least one RPS, and etching an etching object by supplying water (H2O) and the plasma to a process chamber.

摘要翻译： 使用等离子体的蚀刻方法包括通过向至少一个远程等离子体源（RPS）提供处理气体并向所述至少一个RPS施加电力来产生等离子体，并且通过向处理室供应水（H 2 O）和等离子体来蚀刻蚀刻对象 。

公开(公告)号：US09520301B2

公开(公告)日：2016-12-13

申请号：US14819904

申请日：2015-08-06

申请人： Go-jun Kim ,  Vladimir Volynets ,  Sang-jin An ,  Hee-jeon Yang ,  Sang-heon Lee ,  Sung-keun Cho ,  Xinglong Chen ,  In-ho Choi

发明人： Go-jun Kim ,  Vladimir Volynets ,  Sang-jin An ,  Hee-jeon Yang ,  Sang-heon Lee ,  Sung-keun Cho ,  Xinglong Chen ,  In-ho Choi

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/3065

摘要： An etching method using plasma includes generating plasma by supplying process gases to at least one remote plasma source (RPS) and applying power to the at least one RPS, and etching an etching object by supplying water (H2O) and the plasma to a process chamber.

摘要翻译： 使用等离子体的蚀刻方法包括通过向至少一个远程等离子体源（RPS）提供处理气体并向所述至少一个RPS施加电力来产生等离子体，并且通过向处理室供应水（H 2 O）和等离子体来蚀刻蚀刻对象 。