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    Programmable matrix array with chalcogenide material
    2.
    发明授权
    Programmable matrix array with chalcogenide material 有权
    具有硫属化物材料的可编程矩阵阵列

    公开(公告)号：US08379439B2

    公开(公告)日：2013-02-19

    申请号：US12640723

    申请日：2009-12-17

    申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

    发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141

    摘要： A memory element, a threshold switching element, or the series combination of a memory element and a threshold switching element may be used for coupling conductive lines in an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a breakdown layer in series with the phase-change material and/or threshold switching material between the conductive lines. The matrix array may be used in a programmable logic device.

    摘要翻译： 可以使用存储元件，阈值开关元件或存储元件和阈值开关元件的串联组合来耦合电可编程矩阵阵列中的导线。 可以通过选择性地将导电线之间的相变材料和/或阈值开关材料串联的击穿层来降低泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

    Shunted Phase Change Memory
    3.
    发明申请
    Shunted Phase Change Memory 有权
    分流相变存储器

    公开(公告)号：US20110085376A1

    公开(公告)日：2011-04-14

    申请号：US12969756

    申请日：2010-12-16

    申请人： Guy Wicker

    发明人： Guy Wicker

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1286

    摘要： By using a resistive film as a shunt, the snapback exhibited when transitioning from the reset state or amorphous phase of a phase change material, may be reduced or avoided. The resistive film may be sufficiently resistive that it heats the phase change material and causes the appropriate phase transitions without requiring a dielectric breakdown of the phase change material.

    摘要翻译： 通过使用电阻膜作为分路，可以减少或避免从相变材料的复位状态或非晶相转变时的突出。 电阻膜可以具有足够的电阻性，使得其加热相变材料并引起适当的相变，而不需要相变材料的介电击穿。

    Shunted phase change memory
    4.
    发明授权
    Shunted phase change memory 有权
    分流相变存储器

    公开(公告)号：US07916514B2

    公开(公告)日：2011-03-29

    申请号：US11810228

    申请日：2007-06-04

    申请人： Guy Wicker

    发明人： Guy Wicker

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/01

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1286

    摘要： By using a resistive film as a shunt, the snapback exhibited when transitioning from the reset state or amorphous phase of a phase change material, may be reduced or avoided. The resistive film may be sufficiently resistive that it heats the phase change material and causes the appropriate phase transitions without requiring a dielectric breakdown of the phase change material.

    摘要翻译： 通过使用电阻膜作为分路，可以减少或避免从相变材料的复位状态或非晶相转变时的突出。 电阻膜可以具有足够的电阻性，使得其加热相变材料并引起适当的相变，而不需要相变材料的介电击穿。

    Planar segmented contact
    5.
    发明授权
    Planar segmented contact 有权
    平面分段联系人

    公开(公告)号：US07579210B1

    公开(公告)日：2009-08-25

    申请号：US12054919

    申请日：2008-03-25

    申请人： Guy Wicker

    发明人： Guy Wicker

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/24

    摘要： An electronic device including a planar segmented contact. A method for forming the device includes depositing a first insulator on a substrate, forming an opening in the first insulator, disposing a conductive material in the opening where the conductive material defines two or more conductive regions, forming a second insulator over the conductive layer, removing a portion of the second insulator to expose less than all of the conductive regions, recessing at least one of the exposed conductive regions, forming a third insulator over the recessed conductive region, and planarizing to expose at least one of the non-recessed conductive regions without exposing a recessed conductive region. An electrically stimulable material may then be formed over an exposed non-recessed conductive region.

    摘要翻译： 一种包括平面分段接触的电子设备。 一种用于形成该器件的方法包括在衬底上沉积第一绝缘体，在第一绝缘体中形成开口，在导电材料限定两个或多个导电区域的开口中设置导电材料，在导电层上形成第二绝缘体， 移除所述第二绝缘体的一部分以暴露出小于所有导电区域，使所述暴露的导电区域中的至少一个凹陷，在所述凹进的导电区域上形成第三绝缘体，以及平坦化以暴露所述非凹陷导电 区域，而不暴露凹陷的导电区域。 然后可以在暴露的非凹入的导电区域上形成电刺激材料。

    Phase change memory with improved temperature stability
    7.
    发明申请
    Phase change memory with improved temperature stability 审中-公开
    相变存储器具有改善的温度稳定性

    公开(公告)号：US20070238225A1

    公开(公告)日：2007-10-11

    申请号：US11400632

    申请日：2006-04-07

    申请人： Guy Wicker

    发明人： Guy Wicker

    IPC分类号： H01L21/82

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141

    摘要： A phase change memory may be formed using a chalcogenide material that includes selenium. The inclusion of selenium improves the heat stability of the resulting memory device. The chalcogenide may also be a lean germanium composition.

    摘要翻译： 可以使用包括硒的硫族化物材料形成相变记忆体。 硒的包含改善了所得到的存储器件的热稳定性。 硫族化物还可以是贫锗组合物。

    Shunted phase change memory
    8.
    发明授权
    Shunted phase change memory 有权
    分流相变存储器

    公开(公告)号：US07242019B2

    公开(公告)日：2007-07-10

    申请号：US10318706

    申请日：2002-12-13

    申请人： Guy Wicker

    发明人： Guy Wicker

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1286

    摘要： By using a resistive film as a shunt, the snapback exhibited when transitioning from the reset state or amorphous phase of a phase change material, may be reduced or avoided. The resistive film may be sufficiently resistive that it heats the phase change material and causes the appropriate phase transitions without requiring a dielectric breakdown of the phase change material.

    摘要翻译： 通过使用电阻膜作为分路，可以减少或避免从相变材料的复位状态或非晶相转变时的突出。 电阻膜可以具有足够的电阻性，使得其加热相变材料并引起适当的相变，而不需要相变材料的介电击穿。

    Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same
    9.
    发明申请
    Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same 有权
    电可重写非易失性存储元件及其制造方法

    公开(公告)号：US20070096074A1

    公开(公告)日：2007-05-03

    申请号：US11264129

    申请日：2005-11-02

    申请人： Isamu Asano ,  Natsuki Sato ,  Tyler Lowrey ,  Guy Wicker ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Stephen Hudgens

    发明人： Isamu Asano ,  Natsuki Sato ,  Tyler Lowrey ,  Guy Wicker ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Stephen Hudgens

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： A non-volatile memory element includes a first interlayer insulation layer 11 having a first through-hole 11a, a second interlayer insulation layer 12 having a second through-hole 12a formed on the first interlayer insulation layer 11, a bottom electrode 13 provided in the first through-hole 11, recording layer 15 containing phase change material provided in the second through-hole 12, a top electrode 16 provided on the second interlayer insulation layer 12, and a thin-film insulation layer 14 formed between the bottom electrode 13 and the recording layer 15. In accordance with this invention, the diameter D1 of a bottom electrode 13 buried in a first through-hole 11a is smaller than the diameter D2 of a second through-hole 12a, thereby decreasing the thermal capacity of the bottom electrode 13. Therefore, when a pore 14a is formed by dielectric breakdown in a thin-film insulation layer 14 and the vicinity is used as a heating region, the amount of heat escaping to the bottom electrode 13 is decreased, resulting in higher heating efficiency.

    摘要翻译： 非易失性存储元件包括具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11，具有形成在第一层间绝缘层11上的第二通孔12a的第二层间绝缘层12， 在第一通孔11中，设置在第二通孔12中的包含相变材料的记录层15，设置在第二层间绝缘层12上的顶部电极16和形成在第二通孔12的底部电极之间的薄膜绝缘层14 13和记录层15。 根据本发明，埋在第一通孔11a中的底部电极13的直径D 1小于第二通孔12a的直径D 2，从而降低底部电极13的热容量 。 因此，当通过薄膜绝缘层14中的电介质击穿形成孔14a并且将其附近用作加热区域时，逸出到底部电极13的热量减少，导致更高的加热效率。