公开(公告)号：US09472273B2

公开(公告)日：2016-10-18

申请号：US14791463

申请日：2015-07-05

申请人： Ward Parkinson

发明人： Ward Parkinson

IPC分类号： G11C8/10 ,  G11C13/00 ,  G11C8/08

CPC分类号： G11C13/0023 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76

摘要： A thin-film memory may include a thin-film transistor-free address decoder in conjunction with thin-film memory elements to yield an all-thin-film memory. Such a thin-film memory excludes all single-crystal electronic devices and may be formed, for example, on a low-cost substrate, such as fiberglass, glass or ceramic. The memory may be configured for operation with an external memory controller.

公开(公告)号：US20120051140A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13199328

申请日：2011-08-26

申请人： Steven Jeffrey Grossman ,  Ward Parkinson ,  Daniel Robert Shepard ,  Thomas Michael Trent ,  Sam Ira Young

发明人： Steven Jeffrey Grossman ,  Ward Parkinson ,  Daniel Robert Shepard ,  Thomas Michael Trent ,  Sam Ira Young

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C7/10 ,  G11C13/0002

摘要： A random access memory device is disclosed having an interface that is compatible with a NAND FLASH memory device such that the device can be operated with a standard NAND memory device's controller device. This memory device is can store data internally using any random access storage technology including PRAM, MRAM, RRAM, FRAM, OTP-RAM and 3-D memory.

摘要翻译： 公开了一种随机存取存储器件，其具有与NAND FLASH存储器件兼容的接口，使得该器件可以与标准NAND存储器件的控制器器件一起工作。 该存储器件可以使用包括PRAM，MRAM，RRAM，FRAM，OTP-RAM和3-D存储器在内的任何随机存取技术在内部存储数据。

公开(公告)号：US20110240943A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13158565

申请日：2011-06-13

申请人： George Gordon ,  Semyon D. Savransky ,  Ward Parkinson ,  Sergey A. Kostylev ,  James Reed ,  Tyler Lowrey ,  Ilya V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

发明人： George Gordon ,  Semyon D. Savransky ,  Ward Parkinson ,  Sergey A. Kostylev ,  James Reed ,  Tyler Lowrey ,  Ilya V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0033 ,  G11C8/10 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/04 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/76

摘要： Disturb from the reset to the set state may be reduced by creating an amorphous phase that is substantially free of crystal nuclei when programming the reset state in a phase change memory. In some embodiments, this can be achieved by using a current or a voltage to program that exceeds the threshold voltage of the phase change memory element, but does not exceed a safe current voltage which would cause a disturb.

摘要翻译： 通过在对相变存储器中的复位状态进行编程时产生基本上不含结晶核的非晶相，可以减小从复位到设定状态的干扰。 在一些实施例中，这可以通过使用超过相变存储元件的阈值电压的电流或电压来实现，但不超过将导致干扰的安全电流电压来实现。

公开(公告)号：US07839674B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12286784

申请日：2008-10-02

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427

摘要： A chalcogenide material is proposed for programming the cross-connect transistor coupling interconnect lines of an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer in series with the select device or a phase change material. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 提出硫族化物材料来编程电可编程矩阵阵列的交叉连接晶体管耦合互连线。 可以通过选择性地将薄绝缘击穿层与选择装置或相变材料串联来减小泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US20100110782A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12683735

申请日：2010-01-07

申请人： Ward Parkinson ,  Yukio Fuji

发明人： Ward Parkinson ,  Yukio Fuji

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C7/1021 ,  G11C7/065 ,  G11C7/08 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1069 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1096 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C7/22 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3431 ,  G11C2013/0085 ,  G11C2207/005

摘要： An array of non-volatile memory cells arranged in logical columns and logical rows, and associated circuitry to enable reading or writing one or more memory cells on a row in parallel. In some embodiments, the array of memory cells may include a phase change material. In some embodiments, the circuitry may include a write driver, a read driver, a sense amplifier, and circuitry to isolate the memory cells from the sense amplifier with extended refresh.

摘要翻译： 布置在逻辑列和逻辑行中的非易失性存储器单元的阵列，以及相关联的电路，以使得能够并行地读取或写入行上的一个或多个存储器单元。 在一些实施例中，存储器单元阵列可以包括相变材料。 在一些实施例中，电路可以包括写入驱动器，读取驱动器，读出放大器以及通过扩展刷新来将存储器单元与读出放大器隔离的电路。

公开(公告)号：US07706178B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US12069092

申请日：2008-02-06

申请人： Ward Parkinson

发明人： Ward Parkinson

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H03K19/17736 ,  Y10S438/90

摘要： A phase-change material is proposed for coupling interconnect lines an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer between the phase change material and at least one of the lines. The matrix array may be used in a programmable logic device. The logic portions of the programmable logic device may be tri-stated.

摘要翻译： 提出了一种相变材料用于将互连线耦合到电可编程矩阵阵列。 可以通过在相变材料和至少一条线之间选择性地放置薄的绝缘击穿层来降低泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。 可编程逻辑器件的逻辑部分可以是三态的。

公开(公告)号：US20090310402A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12214144

申请日：2008-06-17

申请人： Ward Parkinson

发明人： Ward Parkinson

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0023 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76

摘要： A thin-film memory may include a thin-film transistor-free address decoder in conjunction with thin-film memory elements to yield an all-thin-film memory. Such a thin-film memory excludes all single-crystal electronic devices and may be formed, for example, on a low-cost substrate, such as fiberglass, glass or ceramic. The memory may be configured for operation with an external memory controller.

摘要翻译： 薄膜存储器可以包括结合薄膜存储器元件的薄膜无晶体管地址解码器以产生全薄膜存储器。 这样的薄膜存储器不包括所有单晶电子器件，并且可以例如形成在诸如玻璃纤维，玻璃或陶瓷的低成本基底上。 存储器可以被配置为与外部存储器控制器一起操作。

公开(公告)号：US07499315B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11318789

申请日：2005-12-24

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427

摘要： A chalcongenide material is proposed for programming the cross-connect transistor coupling interconnect lines of an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer in series with the select device or a phase change material. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 提出了一种chalcongenide材料用于编程电可编程矩阵阵列的交叉连接晶体管耦合互连线。 可以通过选择性地将薄绝缘击穿层与选择装置或相变材料串联来减小泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US20080084735A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11848997

申请日：2007-08-31

申请人： Ward Parkinson

发明人： Ward Parkinson

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/76

摘要： A phase change memory cells including a memory element or a threshold device is read using a read current which does not threshold either the memory element or the threshold device in the case of both a set and a reset memory element. As a result, higher currents may be avoided, increasing read endurance. A sensing circuit includes a charging rate detector coupled to a selected address line and sensing a rate of change of a voltage on the selected address line.

摘要翻译： 包括存储器元件或阈值器件的相变存储器单元使用在集合和复位存储器元件的情况下不对存储器元件或阈值器件进行阈值的读取电流来读取。 因此，可以避免更高的电流，增加阅读耐力。 感测电路包括耦合到所选择的地址线并感测所选地址线上的电压的变化率的充电速率检测器。

公开(公告)号：US20060233019A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11105829

申请日：2005-04-14

申请人： Sergey Kostylev ,  Tyler Lowrey ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Ward Parkinson

发明人： Sergey Kostylev ,  Tyler Lowrey ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Ward Parkinson

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C2013/0054

摘要： A phase change memory may be read so as to reduce the likelihood of a read disturb. A read disturb may occur, for example, when a reset device is raised to a voltage, which causes its threshold device to trigger. The triggering of the threshold device produces a displacement current which may convert a reset device to a set device. By ensuring that the reset cell never reaches a voltage that would result in triggering of the threshold device, read disturbs may be reduced.

摘要翻译： 可以读取相变存储器，以便减少读取干扰的可能性。 例如，当复位装置升高到电压时，可能会发生读取干扰，导致其阈值装置触发。 阈值装置的触发产生位移电流，其可以将复位装置转换成集装置。 通过确保复位单元不会达到会导致阈值器件触发的电压，可能会降低读取干扰。